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金屬增材制造的口腔贗復體支架制作方法及其贗復體支架
金屬增材制造的口腔贗復體支架制作方法及其贗復體支架，所述的制作方法包括：獲取患者口腔上頜三維模型數據、在模型上選取口腔贗復體支架的上頜面、重建上頜面、拉伸上頜面至實體形成初始支架模型、修復初始支架模型達到設計要求并形成最終可打印制造的支架CAD模型；然后利用選擇性激光熔融3D打印機進行打印制造，制造出支架模型，并對支架模型進行熱處理和表面處理；所述的口腔贗復體支架包括利用金屬材料制得的本體，所述的本體包括套合部和帶有網狀結構的支撐部。本發明的有益效果是：利用3D打印技術制作出符合臨床要求的結構，精度高、表面質量好、制作周期短，更符合臨床要求。
浙江大學
2021-04-13
一種超大長徑比深孔類零件的金屬增材制造方法
本發明公開一種超大長徑比深孔類零件的金屬增材制造方法， 首先通過金屬增材制造沉積一層金屬，然后銑削成平面，最后鉆孔加 工孔徑，形成“沉積金屬，銑削平面，鉆孔成形”的工藝過程。其特 點是在增材制造每層金屬的過程中進行深孔的加工，變深孔加工為厚 度約 1～3mm 的淺孔加工，因而可以有效地解決直徑小到 1mm 的超大 長徑比深孔無法加工的問題，避免了傳統深孔加工中切削散熱難、刀 具易走偏等技術難題，制造成本較低，零件成形
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于復雜零件的固熔復合增材成形方法
本發明公開了一種適用于復雜零件的固熔復合增材成形方法， 該方法包括以下步驟：建立金屬零件 CAD 幾何模型，然后提取 STL 模型，利用分層切片軟件以分層厚度為單位對 STL 模型進行合理分層 并提取各層的輪廓信息，由計算機根據這些輪廓信息生成控制指令； 通過切割裝置用該層對應的數控指令沿該層的輪廓軌跡切割該層板 料；按照各層的排列次序通過焊料依次將各層板料進行粘合，以此完 成整個零件的粘合處理；粘合處理后的整個零件進行加熱，以實現固 熔復合熔接成形，以此方式，完成復雜零件的增材成形。本發明與現 有
華中科技大學
2021-04-14
一種入射角度不敏感的顏色濾光片的制備方法
本發明公開了一種入射角不敏感的顏色濾光片，包括基底，所述的基底上布置有若干圓柱形的光柵，所述光柵以正六邊形排列，光柵材料為硅，基底材料為熔融石英。本發明還公開了上述濾光片的制備方法。本發明的入射角不敏感顏色濾光片，與傳統的化學濾光片和傳統的干涉濾光片不同，它采用二維光柵的結構，利用光柵層中產生的巨大的折射率差別，通過高低折射率差區域之間的耦合產生諧振，從而達到入射角不敏感的濾光效果。本發明入射角不敏感的顏色濾光片的制備方法，制備簡單，成本低，便于大規模、批量化生產。因此該發明有望在液晶顯示、彩色印刷、傳感探測和防偽等領域廣泛應用。
浙江大學
2021-04-11
一種氣體超聲波換能器壓電片與匹配層的壓制夾具
本實用新型公開了一種氣體超聲波換能器壓電片與匹配層的壓制夾具。底座安裝下壓板，底座上部安裝氣缸，上壓板與氣缸連接，上壓板下端面中間縱向設有滑槽，二塊固定V型塊固定在滑槽內，上端放有壓電片的真空吸盤安裝在上壓板孔中，并對真空吸盤和壓電片的定位與夾緊；下壓板上端面設有與上壓板滑槽對稱布置的滑槽，固定V型塊固定在滑槽內，上端放有匹配層的真空吸盤安裝在下壓板孔中，活動V型塊推動在滑槽內移動，實現對真空吸盤和匹配層的定位與夾緊；二個真空吸盤開有中心孔，分別經上、下壓板上的氣孔、氣管與各自真空發生器連接。本實用新型采用負壓吸附裝卸壓電片和匹配層方便；使用V型塊定位和夾緊實現壓電片和匹配層對中，同軸度較高。
浙江大學
2021-04-13
大蒜素系列產品——大蒜素軟膠囊、大蒜素片（產品）
成果簡介：大蒜素軟膠囊和大蒜素片的藥理作用很廣：1）抗菌作用：大蒜 素對葡萄球菌、腦膜炎雙球菌、肺炎雙球菌、鏈球菌、白喉桿菌、痢疾桿菌、 大腸桿菌、傷寒桿菌、副傷寒桿菌、結核桿菌、霍亂弧菌等均有明顯的抑致或殺滅作用。2）對心血管的作用：大蒜素對飼膽固醇引起家兔高膽固醇血癥，高血液凝固性和主動脈脂質沉積具有保護作用。并有降低血膽固醇、三酸甘油酯和脂蛋白的作用。3）抗癌和提高免疫力作用：對肺部和消化道的霉菌感染有抑制作用，大蒜與腫瘤抽出
北京理工大學
2021-04-14
一種半弧形Bi2Se3超薄納米片的制備方法
本發明涉及一種半弧形Bi2Se3超薄納米片的制備方法，其具體作法是：a、配制混合溶液：分別稱量0.1-1mmol Bi(NO)3·5H2O，0.5-1.5mmol Se，1mmolNa2SO3,將其混合后放入高壓釜內襯。在高壓釜內襯中加入80mL乙醇，用玻璃棒攪拌越5min。b、水熱反應：封閉高壓釜后，將其放入箱式爐加熱至200°C，12h，待自然冷卻后取出。c、離心過濾：將b步反應后所得的溶液超聲5-8分鐘，1000轉/分離心過濾，將濾液于80℃下干燥得灰黑色產物，即為半弧形Bi2Se3超薄納米片。合成步驟少，操作簡單，目的產物物性能優良。
西南交通大學
2016-10-20
燃料電池技術突破——天津大學教授單相法合成COF納米片
近日，天津大學姜忠義教授、Michael Guiver教授、尹燕教授合作報道了單相法合成共價有機框架（COF）納米片的研究工作。單相法擺脫了目前常用的“兩相法”或“多相法”對表面/界面的依賴，利用電荷排斥效應，實現了COF納米片的超高體積收率。
天津大學
2023-01-03
高穩定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性 好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數 (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為 兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術
天津大學
2021-04-11
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發明專利/實用新型/：發明授權 簡介：本發明公開了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產生沉淀物，將獲得的沉淀經洗滌、過濾、 干燥、煅燒制成單分散超細氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經模壓成型和冷等靜壓強化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐
華中科技大學
2021-04-14