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本發(fā)明公開(kāi)的一種適用于拜耳法的赤泥無(wú)害化綜合回收利用工藝主要是脫除赤泥中堿性物并通過(guò)技術(shù)手段大量提選赤泥中的鐵礦物，同時(shí)，將具有放射性的礦物如鋯石、獨(dú)居石等從赤泥中分離出來(lái)，分離后的赤泥尾礦作為大宗原料用于水泥加工、磚瓦燒制、筑路等，或者用作礦井充填材料等，將赤泥礦物“變廢為寶”、“吃干榨凈”，實(shí)現(xiàn)赤泥的大規(guī)模資源化利用，從根本上解決了赤泥筑壩堆存引起一系列的資源、環(huán)境問(wèn)題和安全隱患。

本發(fā)明公開(kāi)了一種可主動(dòng)運(yùn)渣土的全套管工法用鋼套管，包括若干鋼套管和螺旋鉆桿以及用于掘土的鉆頭，若干所述螺旋鉆桿由下至上順序軸向連接，并沿其軸向貫穿在由下至上順序軸向連接的鋼套管內(nèi)部，最上端的所述鋼套管設(shè)有排渣口，所述鉆頭的底部設(shè)有高壓水槍的連接口，所述鉆頭安裝于最下端的螺旋鉆桿，所述螺旋鉆桿的葉片與鋼套管內(nèi)壁固定連接，鋼套管帶動(dòng)螺旋鉆桿轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程中，螺旋向上的葉片將鉆頭掘起的渣土輸送至排渣口。本發(fā)明的鋼套管對(duì)貝諾托工法用鋼套管結(jié)構(gòu)進(jìn)行改造，提出將鋼套管與螺旋鉆桿固定的技術(shù)方案，從而實(shí)現(xiàn)施工過(guò)程邊掘進(jìn)邊

本發(fā)明公開(kāi)了一種采用基于 Delaunay 三角剖分的空間網(wǎng)絡(luò)編碼的網(wǎng)絡(luò)傳輸方法，適用于包含 N 個(gè)終端點(diǎn)的傳輸網(wǎng)絡(luò)；包括初始化步驟、Delaunay 預(yù)處理步驟、形成子矩形步驟、子矩形劃分步驟、求平衡前線性規(guī)劃最優(yōu)解步驟、調(diào)整中繼點(diǎn)到平衡位置步驟、求平衡后線性規(guī)劃最優(yōu)解步驟和 Delaunay 后處理步驟；通過(guò)采用 Delaunay 三角剖分得到斯坦納點(diǎn)和增補(bǔ)的斯坦納點(diǎn)作為候選的中繼點(diǎn)，并通過(guò)非均勻劃分得到候選的中繼點(diǎn)，從上述候選的中繼點(diǎn)中選出最優(yōu)的中繼點(diǎn)，對(duì)選出中繼點(diǎn)的位置進(jìn)行微調(diào)以進(jìn)一步降低代價(jià)，從而得到采用空間網(wǎng)絡(luò)編碼的網(wǎng)絡(luò)傳輸方案，解決現(xiàn)有技術(shù)中僅基于非均勻劃分的空間網(wǎng)絡(luò)編碼方法中，當(dāng)中繼點(diǎn)與終端點(diǎn)非均勻密度分布時(shí)求線性規(guī)劃最優(yōu)解時(shí)計(jì)算量大的問(wèn)題，進(jìn)一步有效提升網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)目傮w性能。

專利內(nèi)容是本發(fā)明針對(duì)背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長(zhǎng)方法，緩解了襯底與薄膜之間的應(yīng)力產(chǎn)生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應(yīng)用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達(dá)100µm以上。

本發(fā)明公開(kāi)一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜及其制備方法。該膜由聚合物樹(shù)脂、磺化聚合物樹(shù)脂和糖類高分子組成，在優(yōu)選的原料與比例下對(duì)LDL有良好的特異性吸附作用，且具有良好的穩(wěn)定性和生物相容性，可重復(fù)使用，成本低廉，有望投入大規(guī)模臨床應(yīng)用。其制備方法包括以下過(guò)程:將膜用聚合物樹(shù)脂、磺化聚合物樹(shù)脂、糖類高分子、致孔劑按一定比例溶于溶劑，制成均一的紡絲制膜液，將紡絲制膜液過(guò)濾、真空脫泡后，通過(guò)浸沒(méi)沉淀相轉(zhuǎn)化法紡絲制備中空纖維成膜，然后將所制得的中空纖維膜依次在去離子水和超純水充分漂洗。本發(fā)明采用的共混溶解制備法具有操作簡(jiǎn)便安全、原材料廉價(jià)易得等優(yōu)點(diǎn)。

成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對(duì)于濺射制備電阻膜來(lái) 說(shuō)，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí) 會(huì)造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級(jí)為千歐, 刻槽后數(shù)量級(jí)為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動(dòng)性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過(guò)在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來(lái)提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過(guò)程中, 可通過(guò)通入微量 的氧來(lái)提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過(guò)載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無(wú)線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無(wú)線網(wǎng)絡(luò) 5 移動(dòng)通信—LTE 技術(shù)

簡(jiǎn)介：本發(fā)明提供一種超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調(diào)制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:Cr2N層與WC層交替分布實(shí)現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結(jié)構(gòu)多層化,解決了抗氧化性較強(qiáng)的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時(shí)非晶WC層進(jìn)一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的

技術(shù)特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 1、對(duì)現(xiàn)有的用于污水處理的膜進(jìn)行改性，提高膜通量，減小跨膜壓力。膜通量較現(xiàn)有膜提高2倍以上，跨膜壓力只有1米左右水柱。 2、突破了以往MBR膜都是與泥水直接接觸的固有形式，對(duì)MBR結(jié)構(gòu)進(jìn)行了改進(jìn)，減少膜與污泥、胞外聚合物（EPS）等膜污染關(guān)鍵物質(zhì)的接觸，可以極大緩解膜污染問(wèn)題； 3 、采用的廉價(jià)耐污染膜材料，延長(zhǎng)膜的使用壽命，降低運(yùn)行成本； 4 、控制反應(yīng)器微生物處于內(nèi)源呼吸期，反應(yīng)器中能有效建立細(xì)菌—原生動(dòng)物—后生動(dòng)物微生態(tài)系