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信息技術(shù)快速發(fā)展使得芯片功耗顯著增大，熱量管理因而成為其中至關(guān)重要的核心環(huán)節(jié)。熱量的快速導(dǎo)出對(duì)于芯片正常運(yùn)行是決定性的。具有高導(dǎo)熱能力的散熱薄膜是這方面的關(guān)鍵材料，發(fā)展高性能、低成本散熱薄膜材料已經(jīng)成為關(guān)系未來(lái)消費(fèi)電子、信息技術(shù)乃至人工智能等許多領(lǐng)域的關(guān)鍵。現(xiàn)有的散熱薄膜主要采用的是聚酰亞胺薄膜經(jīng)過(guò)高溫碳化、石墨化后形成的人造石墨膜，其原材料聚酰亞胺的制備技術(shù)掌握在杜邦公司手中，成本昂貴，國(guó)內(nèi)散熱膜加工企業(yè)的利潤(rùn)率不斷受到擠壓。

本發(fā)明公開(kāi)了一種通過(guò)膜側(cè)種植方法防除苜蓿田間雜草的技術(shù)。使用該技術(shù)可以有效控制苜蓿田雜草的蓋度，使苜蓿田的蓋度降低21?46％；同時(shí)大幅提高當(dāng)年的苜蓿干草產(chǎn)量，提高幅度19.8％?152.6％。可以使每公頃3年總的產(chǎn)量增加9387.6?9438.4kg，按每噸價(jià)格2400元計(jì)算，可以使每公頃增加經(jīng)濟(jì)效益22530?22652元，折合每畝增效1502?1510元。同時(shí)降低了除草劑的使用量，減少了對(duì)環(huán)境的污染，可以有效促進(jìn)苜蓿產(chǎn)業(yè)的低環(huán)境消耗生產(chǎn)的目標(biāo)。

制備對(duì)可見(jiàn)光透過(guò)良好，而對(duì)紫外線和紅外線有優(yōu)良的阻隔作用，并且價(jià)格低廉，易于加工的建筑用或車用太陽(yáng)膜是非常有應(yīng)用價(jià)值和實(shí)際意義的。現(xiàn)今市場(chǎng)上的太陽(yáng)膜，一般是采用沉積或?yàn)R射的方法在聚合物薄膜或直接在玻璃上沉積制備的一層或多層金屬或金屬氧化物，主要利用金屬膜或金屬氧化物膜對(duì)紅外線進(jìn)行吸收和反射。但由于這種方法所需設(shè)備復(fù)雜昂貴，而且填充的金屬及金屬氧化物的成本也不低廉，所以制備低成本且性能優(yōu)良的太陽(yáng)膜成為一種需求。本項(xiàng)目采用價(jià)廉易得的炭黑作為填充物，與聚合物復(fù)合制備太陽(yáng)膜。炭黑作為一種典型的吸光物質(zhì)，對(duì)紫外線和紅外線有很強(qiáng)的吸收特性，但炭黑易團(tuán)聚，在聚合物基體中不易分散，造成薄膜不同區(qū)域可見(jiàn)光和紫外線及紅外線的透過(guò)率差異很大，另外炭黑粒子的分布不均，也會(huì)造成成膜性能差，薄膜韌性不能達(dá)到應(yīng)用要求。本項(xiàng)目首先通過(guò)對(duì)炭黑進(jìn)行改性，改善其在聚合物基體中的分散，并使改性炭黑粒子的尺寸遠(yuǎn)小于可見(jiàn)光的波長(zhǎng)，粒子和基體的折射率盡量匹配，從而減小粒子填充的體積份數(shù)。炭黑經(jīng)過(guò)改性后，其填充的聚合物復(fù)合薄膜將具有較好的透明性，同時(shí)又能在一定程度保持對(duì)紫外線和紅外線的強(qiáng)吸收特性,使這種復(fù)合薄膜作為太陽(yáng)膜使用成為一種可能。本項(xiàng)目詳細(xì)研究了改性炭黑在基體中的分散狀況，并對(duì)復(fù)合薄膜的光學(xué)特性進(jìn)行了重點(diǎn)研究, 解決可見(jiàn)光透過(guò)率與紅外線阻隔這一對(duì)矛盾，從而制備符合太陽(yáng)膜性能要求的新型復(fù)合薄膜。另外，制備復(fù)合薄膜的方法簡(jiǎn)單，操作時(shí)無(wú)需復(fù)雜昂貴的設(shè)備，因此應(yīng)用前景廣闊。

研發(fā)階段/n仿生型膜通過(guò)在普通的白色薄膜中添加轉(zhuǎn)光劑，使陽(yáng)光中對(duì)作物無(wú)用的紫外光轉(zhuǎn)變?yōu)閷?duì)作物生長(zhǎng)有利的藍(lán)紫光（430nm-480nm）及紅光（630nm-680nm），從而促進(jìn)作物生長(zhǎng)速度的提高和產(chǎn)量的增加。由于仿生型膜能將陽(yáng)光中的能量較高的紫外光轉(zhuǎn)變?yōu)槟芰肯鄬?duì)較低的藍(lán)紫光，因此，用仿生型膜包裝水果、蔬菜等綠色食品，可起到保護(hù)水果、蔬菜的功效。在甜玉米、黃瓜、轉(zhuǎn)基因番茄、棉花營(yíng)養(yǎng)體上進(jìn)行田間應(yīng)用實(shí)驗(yàn)，均提高了苗期生長(zhǎng)速度，作物開(kāi)花結(jié)果提前3-15天左右，作物產(chǎn)量提高5-10%左右；在番茄、甜玉米、黃

1. 項(xiàng)目背景（1）隨著經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展以及國(guó)家對(duì)環(huán)境保護(hù)問(wèn)題的日益重視，污水排放要求越來(lái)越嚴(yán)格，而傳統(tǒng)的處理方法不能滿足日趨嚴(yán)格的排放要求，膜技術(shù)幾乎能將所有的微生物截流在

二、成果介紹1、 成果簡(jiǎn)介：（500字以內(nèi)） 本項(xiàng)目針對(duì)國(guó)內(nèi)外對(duì)特種高分子樹(shù)脂及膜材料的重大需求，在傳統(tǒng)聚芳醚酮和聚醚砜樹(shù)脂的基礎(chǔ)上，制備高附加值和高性能的功能型改性聚芳醚樹(shù)脂及功能膜材料。具體的研究?jī)?nèi)容和完成情況包括：（1）功能型聚芳醚樹(shù)脂合成、化學(xué)改性及放大；（2）適合耐高溫樹(shù)脂的膜制備工藝；（3）針對(duì)功能膜材料在分離膜、質(zhì)子交換膜、功能涂層和生物醫(yī)用材料方面的應(yīng)用性開(kāi)發(fā)。研制

本實(shí)用新型涉及一種光能驅(qū)動(dòng)靜電水膜空氣凈化裝置，屬于家用電器領(lǐng)域。從上到下包括頂殼、收 塵區(qū)、底殼，所述頂殼上表面有進(jìn)氣口，太陽(yáng)能電池板，內(nèi)部有機(jī)電中樞和電機(jī)，電機(jī)通過(guò)中央軸帶動(dòng) 渦輪風(fēng)扇，在電機(jī)下面的兩側(cè)設(shè)置高壓電極，所述機(jī)電中樞內(nèi)設(shè)蓄電池和單片機(jī)，控制高壓電極和電機(jī)， 所述渦輪風(fēng)扇邊緣還有蓄水池;收塵區(qū)由外筒與金屬內(nèi)筒構(gòu)成，外筒和金屬內(nèi)筒由絕緣的支架連接，內(nèi) 筒與中央軸下端通電形成電場(chǎng);底殼內(nèi)

光掩膜版(又稱光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)移的載體，是決定其微細(xì)結(jié)構(gòu)和線寬精度的核心材料和工具。 目前中國(guó)半導(dǎo)體掩膜版的國(guó)產(chǎn)化率10%左右，90%需要進(jìn)口，高端掩膜版國(guó)產(chǎn)化率3%，miniLED和microLED產(chǎn)業(yè)升級(jí)也需要更多高端掩膜版。隨著中國(guó)市場(chǎng)需求的持續(xù)提升，掩膜版產(chǎn)能嚴(yán)重不足。并且中國(guó)半導(dǎo)體掩膜版的產(chǎn)業(yè)起步較晚，技術(shù)滯后，核心技術(shù)和裝備基本讓國(guó)外公司壟斷，特別是在設(shè)備、材料領(lǐng)域眾多技術(shù)處于“卡脖子”狀態(tài)，例如掩膜版制造的核心裝備光刻機(jī)、檢測(cè)機(jī)、測(cè)量機(jī)、修復(fù)機(jī)和貼膜機(jī)等都依賴進(jìn)口，嚴(yán)重制約中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。華中科技大學(xué)徐智謀教授團(tuán)隊(duì)致力于全套高端半導(dǎo)體光掩膜版的關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)與量產(chǎn)，為“卡脖子”技術(shù)研究而努力。 具有建立180 nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體掩膜版量產(chǎn)線相關(guān)核心技術(shù)；具備130 nm至28 nm半導(dǎo)體掩膜版研發(fā)、設(shè)計(jì)及驗(yàn)證能力。主要研究成果如下： 1） 工藝突破 團(tuán)隊(duì)掌握了掩膜版MEMS微納加工量產(chǎn)核心技術(shù)，如電子束光刻、激光光刻和納米壓印光刻等MEMS微納加工工藝的各類技術(shù)參數(shù)的搭配和優(yōu)化，以及大數(shù)據(jù)量軟件快速處理、補(bǔ)償?shù)取? 2） 裝備國(guó)產(chǎn)化 A. 超高精度二維測(cè)量裝備 尺寸測(cè)量是驗(yàn)證掩膜版技術(shù)指標(biāo)的核心，主要包括關(guān)鍵尺寸測(cè)量(CD)和長(zhǎng)尺寸測(cè)量(TP)。團(tuán)隊(duì)已掌握掩膜版的關(guān)鍵測(cè)量技術(shù)，達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平，具有整套設(shè)備的整機(jī)制造能力。 TP測(cè)量是掩膜版制作的核心指標(biāo)，直接影響到客戶的套合精度，該測(cè)量設(shè)備一直由國(guó)外極少數(shù)廠商壟斷，且價(jià)格昂貴，一般在1000萬(wàn)美元以上，高端限制對(duì)中國(guó)出口。團(tuán)隊(duì)目前正在攻克該項(xiàng)技術(shù)，已取得階段性成果。 B. 缺陷修復(fù)裝備 掩膜版修補(bǔ)技術(shù)是提升良品率的關(guān)鍵手段，該技術(shù)一直為國(guó)外壟斷。團(tuán)隊(duì)已熟練掌握UV、DUV激光化學(xué)沉積技術(shù)及皮秒飛秒激光金屬處理技術(shù)，具備整機(jī)制造能力，可降低設(shè)備采購(gòu)成本70%以上。 C. Pellicle自動(dòng)貼膜裝備 隨著產(chǎn)品精度的提升和應(yīng)用領(lǐng)域的高端化，掩膜版貼膜是個(gè)不可缺少的重要環(huán)節(jié)。在IC制造領(lǐng)域100%掩膜版需貼Pellicle，在IC封裝領(lǐng)域90%以上需貼膜，在LED領(lǐng)域80%以上需貼膜。該貼膜設(shè)備一直國(guó)外公司壟斷，國(guó)內(nèi)廠家沒(méi)有提供，國(guó)外采購(gòu)全自動(dòng)貼膜設(shè)備需100萬(wàn)美元左右。團(tuán)隊(duì)具備研發(fā)制造該設(shè)備的能力，貼膜精度±0.1mm,且有設(shè)備正式在產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)，制造成本可節(jié)約90%以上。 3） 廠房建設(shè)關(guān)鍵技術(shù) 團(tuán)隊(duì)對(duì)MEMS及其掩膜工廠工藝設(shè)備廠務(wù)設(shè)計(jì)有豐富經(jīng)驗(yàn)，掌握高等級(jí)防微震廠房結(jié)構(gòu)和設(shè)備平臺(tái)的設(shè)計(jì)施工，可達(dá)到VC-D級(jí)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，滿足納米級(jí)生產(chǎn)技術(shù)要求。 【技術(shù)優(yōu)勢(shì)】 （1）掌握了高性價(jià)比掩膜版量產(chǎn)的關(guān)鍵核心技術(shù)，包括部分裝備的國(guó)產(chǎn)化，解決“卡脖子”技術(shù)難題，量產(chǎn)線建設(shè)成本節(jié)約30%以上； （2）具備28 nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)掩膜版設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)能力和驗(yàn)證平臺(tái)，驗(yàn)證周期可縮短3倍； （3）擁有一支20多年以上掩膜版量產(chǎn)、研發(fā)和銷售經(jīng)驗(yàn)的隊(duì)伍，成熟的企業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)，保證企業(yè)穩(wěn)步成長(zhǎng)，確保投資風(fēng)險(xiǎn)可控。 【合作方式】 股權(quán)投資合作共建或政府孵化+中試線。

本發(fā)明公開(kāi)了一種摩擦制備柔性透明導(dǎo)電膜的方法，該方法將 聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜平鋪在基板上，再將納米石墨粉按 0.005～ 0.02 毫克/平方厘米均勻鋪在聚乙烯或者聚氯乙烯膜上，然后將納米石 墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜上借助基板進(jìn)行摩擦，使納米石墨粉 在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面形成的微導(dǎo)電溝道，得到柔性、透明 的導(dǎo)電膜。本發(fā)明具有工藝周期短，實(shí)施便捷的特點(diǎn)。產(chǎn)品與目前市 場(chǎng)上的透明導(dǎo)電 ITO 玻璃相比，表現(xiàn)出

成果簡(jiǎn)介在本項(xiàng)目中運(yùn)用流體力學(xué)理論和動(dòng)力學(xué)方程提出了一種單流體多組元模型，它包含了一個(gè)可以適用于多組元的模型框架， 可以處理不同生物膜菌種相互之間的動(dòng)力學(xué)作用、 內(nèi)部的相互轉(zhuǎn)化、 群體的消散和混合， 整個(gè)材料系統(tǒng)近似為不可壓縮， 因此當(dāng)一個(gè)種群的體積分?jǐn)?shù)增長(zhǎng)時(shí)， 一個(gè)或多個(gè)其他的種群必須相應(yīng)的以體積分?jǐn)?shù)的形式轉(zhuǎn)化為增長(zhǎng)的種群。 我們還把這個(gè)二元模型變?yōu)楦?xì)致的三元模型， 除包含等效溶劑， 還將包含 EPS 和細(xì)菌兩種組分， 抗菌劑濃度和營(yíng)養(yǎng)素也被更細(xì)致地建模。 并且使用二元和三元模型研