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研發(fā)階段/n本發(fā)明提供一種蛋白質(zhì)分子印跡膜，能夠選擇性識別結(jié)合模板蛋白質(zhì)分子，是以魔芋葡甘聚糖為主要基質(zhì)，其制備方法是將魔芋葡甘聚糖充分溶脹后，加交聯(lián)劑或與其它高分子共混，中和后加入模板蛋白質(zhì)分子，充分混合后流涎成膜，干燥脫水形成模板蛋白質(zhì)的分子印跡，加洗脫液充分洗脫模板蛋白質(zhì)分子后制成魔芋葡甘聚糖蛋白質(zhì)分子印跡膜。本發(fā)明所得蛋白質(zhì)分子印跡膜，可作為生物分離模擬親和膜應(yīng)用于蛋白質(zhì)分離純化，尤其是基因工程蛋白質(zhì)產(chǎn)品的分離純化，生物傳感檢測中的敏感膜部件以模擬抗體識別相應(yīng)抗原等。

本發(fā)明是一種活性污泥與生物膜協(xié)同作用的污水處理設(shè)備，適用于處理石化工業(yè)廢水，以及低濃度和高濃度的生產(chǎn)或生活污廢水。處理工藝的處理效果穩(wěn)定，運行可靠，出水水質(zhì)可以達到國家排放標(biāo)準(zhǔn)的一級標(biāo)準(zhǔn)；產(chǎn)生的污泥具有較好的沉降性能，易于處理；與其它處理設(shè)備或構(gòu)筑物相比較，工藝流程短，污泥回流量減少40％～ 80％，運行費用降低18％～31％。通過處理設(shè)備的內(nèi)外成結(jié)合達到多種處理工藝的組合，運行方式靈活，節(jié)省工程的投資，減少占地面積。

一、項目進展 創(chuàng)意計劃階段 二、負(fù)責(zé)人及成員 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 入學(xué)/畢業(yè)時間 學(xué)號 鄧多多 化學(xué)化工/化學(xué)工程 2018.9/2022.6 201831044104 三、指導(dǎo)教師 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 職務(wù)/職稱 研究方向 王娜 化學(xué)化工/制藥工程 實驗教師/高級實驗師 環(huán)境功能材料 四、項目簡介 聚乙烯亞胺是一種包含伯胺，仲胺和叔胺的部分支鏈聚合物。本項目根據(jù)聚乙烯亞胺和單寧酸的性質(zhì)，采用聚乙烯吡咯烷酮（PVP）與超支化聚乙烯亞胺作為紡絲的前體材料，通過靜電紡絲制備納米級纖維膜，再與戊二醛交聯(lián)，使纖維膜具有水不溶性，最后與單寧酸接枝。制備出一種新型纖維膜并用于吸附水中Cr(VI)離子。

該項目是在國家自然科學(xué)基金委的大力支持下，由西安交通大學(xué)吳裕遠教授主持的課題組經(jīng)過15年的艱苦努力，突破傳統(tǒng)機理，銳意科技創(chuàng)新，所取得的最新成果，榮獲2001年國家技術(shù)發(fā)明獎二等獎。該項目是西安交通大學(xué)，擁有完全的自主知識產(chǎn)權(quán),非常適宜在制氧、石油、化工、乙烯等換熱器領(lǐng)域推廣應(yīng)用。 

研發(fā)階段/n本發(fā)明涉及一種利用親水改性無機填料作致孔劑制備多孔膜的方法，該方法是在成膜過程中使用水或水溶液將親水改性的無機填料以固體狀態(tài)從聚合物膜中析出得到多孔膜的方法，該親水改性的無機填料是使用能溶于水且能與無機填料形成配位鍵或氫鍵的聚合物或小分子化合物改性制備的，其特征在于，該方法包括如下工序：無機填料的親水改性工序，該親水改性工序可以在配制膜液前完成或在膜液配制過程中完成；使用水或水溶液作為凝膠浴在浸沒沉淀相轉(zhuǎn)化的成膜過程中將親水改性的無機填料以固體狀態(tài)從膜中析出的工序。這種方法制膜時不僅可以

本發(fā)明涉及一種具有高d33的無鉛壓電陶瓷-聚合物壓電復(fù)合材料的制備方法。該方法按式(1-x)(LiaNabK1-a-b)(Nb1-cSbc)O3-xABO3-yM組分配料，采用傳統(tǒng)陶瓷制備方法制備鈮酸鈉鉀基無鉛壓電陶瓷粉料；再將陶瓷粉料與聚合物聚偏氟乙烯按比例混合球磨；烘干后超聲震蕩，將混合粉料經(jīng)冷壓成型后加溫處理，再在其表面濺射金電極，硅油浴中極化后測試其壓電復(fù)合材料樣品的壓電性能d33；最后將樣品置入去離子水或鹽溶液中浸泡，再測試其樣品的壓電性能d33。結(jié)果表明，經(jīng)浸泡處理的鈮酸鈉鉀基無鉛壓電陶瓷-聚合物壓電復(fù)合材料的d33比未經(jīng)浸泡過的有大幅度提高，提高比例甚至可達300％。

專利內(nèi)容是本發(fā)明針對背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，緩解了襯底與薄膜之間的應(yīng)力產(chǎn)生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應(yīng)用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達100µm以上。

成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無線網(wǎng)絡(luò) 5 移動通信—LTE 技術(shù)

簡介：本發(fā)明提供一種超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調(diào)制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結(jié)構(gòu)多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的