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錦正茂TESK301 低溫控溫儀實驗室低溫控制儀器0.01K分辨率
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錦正茂低溫控溫儀TESK301型低溫控溫儀是有北京錦正茂科技有限責任公司自主研發的高精度單回路低溫溫度控制系統，可以實現從20K-600K的溫度控制輸出。該溫控系統具有一路傳感器輸入和一路加熱輸出功能，傳感器輸入和加熱輸出組成了一個控制回路。TESK301單通道設計能滿足大部分實驗室科研以及工業低溫控溫使用。配合適當的傳感器低溫度測量低至1.4K，高溫達到600K以上，分辨率高達10mK。加熱輸出功率分為三檔可調節，低檔低至0.8W，可達80W，能滿足大部分低溫設備加熱需求。
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TESK301內置了一個標準恒流電源向電阻溫度計供電,通過四線法測量溫度傳感器電壓信號，經16位A/D轉換，自校準，數字濾波，查分度表，修正計算后顯示實測溫度，經與設定溫度比較后，實時PID運算給出控制信號，通過機內固態繼電器周期控制加熱電壓來實現溫度的控制。
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錦正科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售 各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-02-07
“高等教育這十年——新時代、新科技、新內涵”云端展覽：守正創新·教育現代化成果展
守正創新·教育現代化成果展主要面向國際國內創新型企業。展區旨在交流展示國內外教育領域的新技術、新裝備、新理念、新教育，加強企業與高校的交流合作，促進教育、科技與產業的融合。
中國高等教育學會
2022-08-12
DT640-BC型裸片溫度計硅二極管低溫溫度傳感器錦正茂科技
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-11-17
錦正茂定制液氮低溫恒溫器 光學 實驗室降溫設備 溫區65K~500K 可選700K
北京錦正茂科技有限公司
2022-11-14
錦正茂 硅二極管DT640-BC型裸片溫度計小型溫度傳感器1.4K-500K
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-08-05
廈門大學電子科學與技術學院羅正錢教授團隊在可見光時空鎖模光纖激光器研究取得重要進展
羅正錢教授團隊采用少模Pr/Yb共摻雙包層ZBLAN光纖作為可見光增益介質，構建基于非線性偏轉旋轉（NPR）技術的鎖模激光腔，利用腔內空間濾波效應和NPR可飽和吸收效應補償階躍折射率光纖中超大的模間色散，從而平衡了各橫模之間的走離效應，首次實現了可見光波段的時空鎖模光纖激光。
廈門大學
2022-06-15