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基片集成類導波結構是近十幾年來微波毫米波學界發(fā)展起來的一種新型高性能平面集成導波結構，它具有極低的電磁泄露和互擾，其品質因數(shù)和功率容量遠高于傳統(tǒng)平面?zhèn)鬏斁€，國內外數(shù)百所大學和研究機構開展了大量研究，使之成為微波毫米波領域最受關注的研究分支之一。 學科洪偉教授課題組是國際上這一學術分支的主要倡導者和貢獻者之一，在IEEE系列刊物上發(fā)表學術論文120余篇，在美、英、德、日、韓、波、葡等國家召開的國際會議上作大會報告、特邀報告20余次，論文被40多個國家的學者正面他引5000余次，獲授權國家發(fā)明專利50余項。 該研究成果在國內外都產生了比較大的影響，獲2016年度國家自然科學二等獎。

本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的非易失 D 觸發(fā)器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及將憶阻器與定值電阻串聯(lián)構成的分壓電路模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經本身的電荷大小改變的特性，實現(xiàn)了觸發(fā)器的鎖存以及觸發(fā)功能。本發(fā)明所構建 D 觸發(fā)器不僅具有傳統(tǒng)觸發(fā)器的功能，而且具備響應速度快以及非易失性的特點

本發(fā)明提供了一種基于憶阻的非易失性存儲器及其讀、寫、擦除操作方法以及測試電路；基于憶阻的非易失性存儲器電路包括憶阻存儲單元、選址開關、控制開關以及分壓電路。本電路的設計通過行列地址信號對憶阻存儲單元進行選址，通過外加脈沖信號對讀、寫、擦除操作進行選擇，并提供了基于憶阻的非易失性存儲器的功能測試電路驗證此電路結構的有效性。同時，在此電路結構的基礎上，利用憶阻的非易失性原理，探討了對此基于憶阻的非易失性存儲器電路的

項目簡介 本成果處提供一種低阻高通量耐污型水處理膜，以磺化聚醚砜-聚砜/TiO2超濾膜為 模板，以 FeCl2為還原劑，在基膜孔道內原位化學沉積生成 Fe3O4納米粒子，以獲得 Fe3O4/ 磺化聚醚砜-聚砜/TiO2磁性超濾膜，本成果具有阻力小、通量大、耐污染、壽命長等優(yōu) 點。 產品性能、指標 （1）阻力小，使用 TiO2 與膜材料共混增強膜的親水性，增大膜通量，0.1 MPa 下 水通

成果介紹基片集成類導波結構是近十幾年發(fā)展起來的一類新型平面集成高性能導波結構，2011年被國際微波雜志列為“改變未來無源與控制器件的十大非凡發(fā)明”之首（Microwave Journal, Nov. 2011）。本項目組是國際上這一領域的主要貢獻者之一，在國家自然科學基金委創(chuàng)新群體基金和國家973項目等的資助下，對基片集成類導波結構的傳輸特性、諧振特性、損耗機理、模式轉換機理、極化轉換機理等科學問題及其在多個分支的創(chuàng)新應用開展了系統(tǒng)深入的研究，建立了精確有效的設計方法，構建了基礎設計公式，提出并命名了半?；刹▽У刃滦蛯РńY構，提出了一系列基片集成類無源元件新結構等。技術創(chuàng)新點及參數(shù)1、在國際上最早提出并發(fā)展了適合于周期性基片集成類導波結構的頻域有限差分和直線法全波分析模型，揭示了其傳輸機理，并在此基礎上構建了一組閉式設計公式。這組公式已被廣泛用于基片集成類導波結構元器件的設計。相關代表作單篇正面他引均超過150次。2、提出并命名了半?；刹▽?、折疊半?；刹▽У刃滦蛯РńY構，系統(tǒng)研究了其導波特性、損耗機理和模式轉換機理等，構建了設計公式，并在此基礎上發(fā)展了一系列新型微波毫米波高性能元器件，其中代表作單篇正面他引均超過100次。3、提出了多種基片集成波導無源新結構，深入研究了其諧振特性、耦合特性和損耗機理，并在此基礎上發(fā)展了一系列高性能新型元器件及單基片集成系統(tǒng)。相關代表作合計正面他引350余次。4、在基片集成波導天線輻射機理研究的基礎上，突破了經典Elliott設計公式的局限性，建立了相應的分析模型和設計方法，發(fā)展了一系列新穎的高性能基片集成類天線及陣列，相關代表作由于其基礎性和創(chuàng)新性被合計正面他引300余次。市場前景項目研究成果已獲54項授權國家發(fā)明專利，其中部分專利已進行技術轉讓并應用于企業(yè)產品中。

該項目以基片集成類導波結構的工作機理與創(chuàng)新應用為主線，對這類結構及器件的傳輸特性、損耗機理等基礎科學問題進行了深入研究，提出了半模基片集成波導等多種新型平面導波結構，發(fā)展了相應的設計方法，并發(fā)明了一系列新型高性能微波毫米波器件，部分器件已得到實際應用。

近日，清華大學航院、柔性電子技術研究中心馮雪教授課題組在《國家科學評論》（National Science Review）在線發(fā)表了題為“可抑制運動噪聲的類皮膚可穿戴連續(xù)血壓監(jiān)測系統(tǒng)”（Wearable skin-like optoelectronic systems with suppression of motion artifact for cuff-less continuous blood pressure monitor）的論文，描述了課題組制備的一種柔性超薄光電傳感器件與電路系統(tǒng)，能夠自然貼附在人體皮膚上實現(xiàn)醫(yī)學意義上的連續(xù)血壓和血氧測量，并實時無線傳輸數(shù)據(jù)到智能設備終端。該系統(tǒng)利用類皮膚可延展傳感技術建立了新型連續(xù)血壓測量方案，為解決血壓和血氧長期動態(tài)監(jiān)測提供了一條新途徑。同時，此類柔性可穿戴設備是遠程醫(yī)療的重要突破，能夠為遠程監(jiān)測提供醫(yī)療級硬件，解決精準醫(yī)療數(shù)據(jù)遠程獲取難題。類皮膚連續(xù)血壓監(jiān)測系統(tǒng)示意圖心血管疾病及其相關并發(fā)癥已經成為威脅人類生命和健康的重大隱患。根據(jù)世界衛(wèi)生組織（WHO）估計，每年大約有1790萬人死于心血管相關疾病，占全球死亡總數(shù)的31％。目前，最常用的血壓測量方案為袖帶加壓法。該方法需要袖帶捆綁在人體手腕或手臂處，測量過程不方便，也無法實現(xiàn)連續(xù)血壓監(jiān)測，影響個人的生活質量和自我監(jiān)測長期依從性，在便利性及連續(xù)測量等關鍵問題上仍未突破。類皮膚血壓監(jiān)測器件實物圖針對上述問題，馮雪教授課題組發(fā)展了基于光學原理的血壓監(jiān)測方案，利用生物兼容性材料制備了可以與人體自然共形貼附的光電系統(tǒng)。通過測量血液對不同波長的光波吸收情況，判斷血液的容積和流速變化，從而測量出血氧和血壓值。馮雪課題組結合多年的力學研究基礎和可延展柔性電子器件設計經驗，通過虛功原理建立了專門應用于柔性光電子系統(tǒng)的血壓測量模型，并提出了基于多波長測量的光路差分方法，用來抑制由人體活動等帶來的噪聲干擾，從而精確測量脈搏波播速，實現(xiàn)連續(xù)血壓的精確監(jiān)測并動態(tài)實時傳輸?shù)街悄芙K端。臨床試驗表明，與有創(chuàng)連續(xù)血壓測量相比，該類皮膚血壓監(jiān)測系統(tǒng)測量的血壓值絕對誤差小于10 mmHg，具有重要的臨床應用價值。清華大學馮雪課題組長期致力于研究可延展／超柔性等超常規(guī)微器件與大規(guī)模集成技術，所發(fā)展的柔性電子技術應用于健康醫(yī)療、智能感知及重大裝備，近年來在《科學進展》（Science Advances）、《先進材料》（Advanced Materials）、《先進功能材料》（Advanced Functional Materials）、《力學和固體物理學期刊》（Journal of the Mechanics and Physics of Solids）等期刊發(fā)表一系列高水平論文。航院、柔性電子技術研究中心李海成博士為文章第一作者，馮雪教授為論文通訊作者，參與該工作的還有北京清華長庚醫(yī)院許媛主任團隊。該項研究得到了國家重點基礎研究發(fā)展計劃（973計劃）、國家自然科學基金等的資助。

本項目主要研究和開發(fā)高遷移率透明氧化物半導體薄膜，重點研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導體薄膜;篩選合適的介質層材料，研 究和制備優(yōu)質致密的透明介質層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導電氧化物電極、透明氧化物半導體溝道層和透明介 質層構成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術對 I-V 特

微流體數(shù)字化技術通過對裸結構的微噴嘴實施脈沖的慣性力，使微量流體在慣性力與黏性力交替作用下實現(xiàn)微流體的脈沖流動，從而實現(xiàn)數(shù)字化可控的微量流體的噴射，適用于液體微噴射、粉體微噴射等領域。 成熟度：基于非晶態(tài)玻璃材料毛細加工原理，進行了拉制、鍛制、殘余應力熱處理等工序研究，制作了出微納米級的微噴嘴、微管道。以玻璃微噴嘴制備儀為平臺研究了不同拉制參數(shù)、鍛制參數(shù)對微噴嘴幾何形狀的影響規(guī)律。基于微流體脈沖驅動-控制技術，分別采用拉制、鍛制的微噴嘴穩(wěn)定地制備了均一的微液滴。 微流體

采用光互連技術可以有效的解決集成電路進一步發(fā)展的尺寸限制同時可以極大的提高芯片間信息傳輸?shù)乃俣群皖l率。Si基光子集成是實現(xiàn)集成電路光互聯(lián)的核心技術和重要研究方向。然而，Si因為其間接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉換效率已經在光電子器件領域得到廣泛的應用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實現(xiàn)Si基光子芯片的一種理想途徑。