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基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器，主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和直接加熱式微波功率傳感器構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)懸臂梁在ＣＰＷ中央信號(hào)線上方，結(jié)構(gòu)相同，用于耦合部分待測(cè)信號(hào)，通過錨區(qū)與Ｔ型結(jié)相連，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號(hào)線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號(hào)通過Ｔ型結(jié)分成兩路信號(hào)，分別與兩路懸臂梁耦合的信號(hào)通過Ｔ型結(jié)合成，Ｔ型結(jié)的輸出端連接到直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行功率檢測(cè)。最后根據(jù)兩個(gè)直接加熱式微波
東南大學(xué)
2021-04-14
基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器，主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和間接加熱式微波功率傳感器構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)懸臂梁在ＣＰＷ中央信號(hào)線上方，結(jié)構(gòu)相同，用于耦合部分待測(cè)信號(hào)，通過錨區(qū)與Ｔ型結(jié)相連，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號(hào)線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號(hào)通過Ｔ型結(jié)分成兩路信號(hào)，分別與兩路懸臂梁耦合的信號(hào)通過Ｔ型結(jié)合成，Ｔ型結(jié)的輸出端連接到間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行功率檢測(cè)。最后根據(jù)兩個(gè)間接加熱式微波
東南大學(xué)
2021-04-14
科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)在礦物基結(jié)構(gòu)材料的仿生礦化制備領(lǐng)域取得系列進(jìn)展
探究源自生物礦物材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理無(wú)疑將為人工礦物基新材料的研發(fā)提供重要啟發(fā)和依據(jù)，然而如何在人工材料中設(shè)計(jì)和制造這些復(fù)雜結(jié)構(gòu)，一直是困擾科學(xué)界的難題。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-10-17
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5-醛基胞嘧啶的標(biāo)記方法及其在單堿基分辨率測(cè)序中的應(yīng)用
本項(xiàng)目采用化學(xué)生物學(xué)手段，篩選出特異性成環(huán)標(biāo)記5-醛基胞嘧啶（5fC）的化合物——疊氮茚二酮和丙二腈，并且標(biāo)記產(chǎn)物在隨后的PCR擴(kuò)增過程實(shí)現(xiàn)胞嘧啶（C）到胸腺嘧啶（T）的轉(zhuǎn)變，可實(shí)現(xiàn)全基因組5-醛基胞嘧啶的單堿基分辨率檢測(cè)。用疊氮茚二酮標(biāo)記作為標(biāo)記化合物，可實(shí)現(xiàn)對(duì)含有5-醛基胞嘧啶DNA片段的先富集再測(cè)序，將測(cè)序成本大大降低。用生物相容性很好的丙二腈作為標(biāo)記化合物，可實(shí)現(xiàn)單細(xì)胞水平的5-醛基胞嘧啶單堿基分辨率檢測(cè)。血液中細(xì)胞外游離DNA上的核酸修飾可以作為人類癌癥的生物標(biāo)記物，本項(xiàng)目涉及的核酸修飾檢測(cè)技術(shù)，不會(huì)造成DNA降解，適應(yīng)于臨床小量珍貴樣品，在癌癥的液態(tài)活檢上具有重大潛力。
北京大學(xué)
2021-01-12
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大規(guī)模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。
上海理工大學(xué)
2021-04-11
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用于鑄件表面的優(yōu)良綠色鋅合金電鍍的強(qiáng)滲透性與高分散性的電鍍液
本專利公開了一種無(wú)氰離子的電鍍工藝，屬于材料表面處理領(lǐng)域。該工藝本專利是采取新的電鍍液，具有滲透性強(qiáng)、分散性好的特性。 鑄件在整個(gè)電鍍過程中，可以克服現(xiàn)有鑄鋼件電鍍工藝的所有缺陷，實(shí)現(xiàn)鑄件快速高效優(yōu)質(zhì)電鍍，該工藝具有鍍層厚度均勻、鍍層光澤度好、鍍層與鑄件結(jié)合力牢固、鍍層致密、鍍層抗氧化能力好的特點(diǎn)，鍍層的中性鹽霧化試驗(yàn)、酸霧化試驗(yàn)達(dá)到國(guó)家規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)（96小時(shí)無(wú)腐蝕點(diǎn)）。目前該項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)發(fā)展成熟，有很大的推廣應(yīng)用價(jià)值。通過X射線能譜儀分析鍍層的成分，具體分析譜圖見附件。
南京工程學(xué)院
2021-04-13
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西南交通大學(xué)康國(guó)政團(tuán)隊(duì)《Nature》子刊發(fā)表最新成果：高強(qiáng)鋁合金焊接強(qiáng)韌性獲突破
高強(qiáng)度鋁合金結(jié)構(gòu)強(qiáng)韌性差一直是困擾航空航天、高速列車等重大裝備的世紀(jì)難題。自從焊接技術(shù)發(fā)明以來(lái)，鋁合金熔焊結(jié)構(gòu)頻繁發(fā)生疲勞破壞，根源在于損傷演化機(jī)理不明。
西南交通大學(xué)
2022-10-14
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多孔銅鋅合金中的親鋰鋅位點(diǎn)誘導(dǎo)金屬鋰的均勻成核與無(wú)枝晶沉積
三維（3D）親鋰集流體可以調(diào)節(jié)鋰金屬負(fù)極中鋰枝晶生長(zhǎng)，然而目前大部分集流體的親鋰層在高溫環(huán)境下使用熔融法預(yù)儲(chǔ)存鋰時(shí)面臨著熔化或脫落的挑戰(zhàn)。針對(duì)該問題，鄧永紅研究團(tuán)隊(duì)通過簡(jiǎn)單的去合金法制備了一種帶有親鋰鋅位點(diǎn)的3D多孔CuZn合金集流體。由于親鋰鋅位點(diǎn)以量子點(diǎn)的形式存在于CuZn合金中，熔融法預(yù)鋰化時(shí)親鋰鋅位點(diǎn)不僅不會(huì)融化與脫落，反而由于鋅對(duì)鋰具有強(qiáng)
南方科技大學(xué)
2021-04-14
大規(guī)模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化，乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成，其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路，是芯片的散熱通道，又是連結(jié)電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發(fā)展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能，加入少量強(qiáng)化元素，通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度，同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。
上海理工大學(xué)
2021-04-13
愛備護(hù)實(shí)驗(yàn)室急救藥箱 ABH-G002A 手提基礎(chǔ)款鋁合金急救箱套裝
杭州愛貝護(hù)醫(yī)療科技有限公司
2021-12-13