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具有電場(chǎng)調(diào)制功能的二芳基乙烯類光致變色化合物及合成方法
本發(fā)明提供一種具有電場(chǎng)調(diào)制功能的二芳基乙烯類光致變色化合物及合成方法，該方法包括以下步驟：首先合成含有電子傳輸基團(tuán)的芳雜環(huán)中間體；然后合成含有電荷傳輸基團(tuán)的芳雜環(huán)中間體；將所述這兩部份中間體分別結(jié)合到一個(gè)八氟環(huán)戊烯分子的兩個(gè)雙鍵碳上的氟原子上，形成含兩種不同類型電荷傳輸基團(tuán)的不對(duì)稱型二芳基乙烯類光致變色化合物；含電子傳輸基團(tuán)的中間體化合物則須先制成單取代的全氟環(huán)戊烯中間體才能順利得到目標(biāo)產(chǎn)物。有益效果是該化合物具有更好的光致變色性和抗疲勞性，更重要的是在這類化合物中可以引入電場(chǎng)干預(yù)的光致變色性。由于不對(duì)稱型二芳基乙烯類光致變色化合物分子的特性，可制造出可控的光致變色新材料，在光信息存儲(chǔ)和新型光學(xué)器件領(lǐng)域，具有廣闊的應(yīng)用前景。
天津城建大學(xué)
2021-04-11
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一種聚 3-己基噻吩/碳納米管復(fù)合材料及制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種聚3-己基噻吩/碳納米管復(fù)合材料及制備方法。 所述復(fù)合材料中含有聚3-己基噻吩30wt％至80wt％以及均勻分散的碳 納米管 1wt％至 15wt％，所述碳納米管形貌完整，其直徑在 40nm 至 60nm 之間，其長(zhǎng)度在 5μm 至 15μm 之間，所述碳納米管表面包覆有 厚度在 3nm 至 10nm 之間的聚 3-己基噻吩。其制備方法包括以下步驟： (1)將聚 3-己基噻吩和高分子量聚合物均勻分散于有機(jī)溶劑中；(
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁耦合Ｔ型結(jié)直接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)直接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過(guò)輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線終端的直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過(guò)利用直接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考信號(hào)合成，同樣利用直接加熱式微波功率傳感器檢測(cè)合成功率，
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)直接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)直接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、兩個(gè)熱電偶和隔直電容所構(gòu)成，熱電偶是由金屬臂和半導(dǎo)體
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合Ｔ型結(jié)間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合Ｔ型結(jié)間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)間接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過(guò)輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線終端的間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過(guò)利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考信號(hào)合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測(cè)合成功率，從而
東南大學(xué)
2021-04-14
基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)器，主要實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)包括由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)、間接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。功率通過(guò)第一間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過(guò)利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)直接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)直接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)傳輸線、兩個(gè)熱電偶和一個(gè)隔直電容所構(gòu)成，每個(gè)熱電偶
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)終端電阻以及熱電堆所構(gòu)成，熱電堆是由兩種不同的半導(dǎo)體
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基微機(jī)械懸臂梁耦合間接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基微機(jī)械懸臂梁耦合間接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器，實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率合成／分配器和間接加熱式微波功率傳感器。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)結(jié)構(gòu)相同的懸臂梁在ＣＰＷ中央信號(hào)線上方，用于耦合部分待測(cè)信號(hào)，通過(guò)錨區(qū)與功率合成器相連，耦合信號(hào)的功率相等，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號(hào)線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號(hào)通過(guò)功率分配器分成兩路信號(hào)，分別與兩路懸臂梁耦合的信號(hào)通過(guò)功率合成器合成，功率合成器的輸出端連接到間接加熱式微波功
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種改性香菇培養(yǎng)基廢料重金屬吸附劑制備和應(yīng)用方法
采用化學(xué)藥劑和焙燒復(fù)合改性方法提高天然香菇培養(yǎng)基廢料吸附重金屬離子的能力，開(kāi)發(fā)了一種改性香菇培養(yǎng)基廢料重金屬吸附劑，特別適合于微污染含重金屬陽(yáng)離子的污水處理，如礦山污水、冶煉污水、電鍍污水以及其它行業(yè)含重金屬污水的深度處理。所用原料香菇培養(yǎng)基廢料成本廉價(jià)，制備工藝簡(jiǎn)單，而且吸附飽和的材料可以通過(guò)熱處理回收重金屬，無(wú)二次污染產(chǎn)生。
北京科技大學(xué)
2021-04-13