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簡介：本發(fā)明公開了一種鋁酸鈰納米棒電子封裝材料，屬于結(jié)構(gòu)材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明鋁酸鈰納米棒電子封裝材料的質(zhì)量百分比組成如下：鋁酸鈰納米棒65?80％、聚乙二醇3?6％、聚丙乙烯3?6％、木質(zhì)素磺酸鈉0.05?0.5％、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷3?8％、乙烯?四氟乙烯共聚物10?15％，鋁酸鈰納米棒的直徑為30?100nm、長度為1?2μm。本發(fā)明提供的鋁酸鈰納米棒電子封裝材料具有耐老化及耐腐蝕性能優(yōu)良、易加工、絕緣性好、熱膨脹系數(shù)小、導(dǎo)熱系數(shù)高等特點，在電子封裝領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。

我國生產(chǎn)止血芳酸的企業(yè)主要有：常州寅盛藥業(yè)有限公司、湖南洞庭藥業(yè)有限公司、常州市遠華化工有限公司、常州市陽光藥業(yè)有限公司等企業(yè)。多是采用以對甲基苯甲酸為原料，在溶劑中氯化，得到對氯甲基苯甲酸，然后和氨水反應(yīng)，得到對氨甲基苯甲酸，通過精制得到最終產(chǎn)品止血芳酸。 在氯化過程中，為了控制雜質(zhì)的生成，對甲基苯甲酸的氯化轉(zhuǎn)化率一般控制在60-65%，這樣就會產(chǎn)生大量的固體廢料。以常州寅盛藥業(yè)有限公司為例，企業(yè)2014年生產(chǎn)止血芳酸400噸，產(chǎn)生這種固體廢料約300噸（折干計）。目前多是以固廢的

鈦酸鍶環(huán)形壓敏電阻器（STR）是以SrTiO3 為主要成分，添加微量稀土元素及金屬氧化物，經(jīng)球磨、噴霧造粒、成型、高溫還原氣氛下燒結(jié)，再經(jīng)熱處理，印制銀電極，電性能測量分選而制得的，是國際上八十年代末九十年代初發(fā)展起來的一種新型多功能復(fù)合電子元件。該產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡單，制造工藝流程短，適應(yīng)于自動化大生產(chǎn)，原材料（除銀漿外）全部國產(chǎn)化，因此成本較低，從配方到工藝有

本項目屬于電子信息功能材料技術(shù)領(lǐng)域。 特色及先進性：為了實現(xiàn)同一種單晶薄膜即可應(yīng)用于磁光器件，又可應(yīng)用于微波器件中，本項目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設(shè)計體系，為了使其同時具有良好的磁光和微波特性，本項目很好的根據(jù)晶格匹配原則設(shè)計了材料配方，并選用無鉛液相外延技術(shù)，大大提高了薄膜的性能。本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學(xué)問題。研究內(nèi)容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設(shè)計研究：基于四能級躍遷模型，并結(jié)合離子替代規(guī)律和多離子摻雜技術(shù)，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術(shù)研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無鉛配方、生長速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗證研究，設(shè)計制備平面波導(dǎo)型磁光開關(guān)對材料磁光性能的驗證。 技術(shù)指標：（1）建成了我國第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產(chǎn)線，最大尺寸達到3英寸，單面薄膜厚度達到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數(shù)：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設(shè)計、制備和測試工作。 促進科技進步作用意義：本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。該項目研制的材料已提供給中電集團41所、美國Delaware大學(xué)、天津大學(xué)、中國工程物理研究院、深圳市通能達電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評。

本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學(xué)問題。

本發(fā)明公開了一種基于紅外成像的薄膜測厚儀，包括光源、準直透鏡、分光棱鏡、參考路散射玻璃、參考路紅外濾光片、參考路反 射鏡、測量路散射玻璃、測量路紅外濾光片、測量路反射鏡、半透半 反分光鏡、成像透鏡、CCD；測量時參考物經(jīng)反射鏡、分光鏡和成像 透鏡成像到 CCD 光敏面，被測物經(jīng)反射鏡和成像透鏡也成像到 CCD 光敏面，CCD 將圖像傳送至計算機，經(jīng)圖像處理后根據(jù)圖像的灰度值 求得被測物的厚度；如此形成雙光路測量系統(tǒng)，避免了光源光強變化 的影響；使用散射光透射成像的測量體系，避免了傳統(tǒng)紅外測厚裝置 中存在的干涉影響；設(shè)置具有多個局部標準厚度的參考物，該裝置可 以獲取參考物各個局部標準厚度，從而能夠更加精確地測量薄膜厚度。 

柔性智能互動終端的關(guān)鍵材料與傳感器件是實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)革命的重要技術(shù)，柔性透明導(dǎo)電薄膜為其 中不可取代的關(guān)鍵元件。本團隊在前期工作中針對納米銀線透明導(dǎo)電薄膜進行了系統(tǒng)的研究，包含材料合 成、導(dǎo)電墨水配方調(diào)制、大面積卷對卷制程工藝和柔性觸控樣機制備，已經(jīng)初步建立起一條從材料、工藝 到器件應(yīng)用的產(chǎn)學(xué)模式；并做了一系列十余項的專利布局（發(fā)明專利12篇，授權(quán)專利6篇）。其采用的技 術(shù)方法如下： （1）低成本的表面圖形化工藝。包含基于光酸顯影的可圖形化配方調(diào)制、基于表面能差異化驅(qū)動的 自組裝電極圖形化，相比較于傳統(tǒng)的激光、黃光刻蝕，溶液態(tài)的圖形化方式成本更低，同時可保證滿足柔 性觸控傳感器的線寬/線距要求； （2）高穩(wěn)定性的納米銀導(dǎo)電薄膜。基于單分子緩蝕劑修飾的納米銀線穩(wěn)定性提升方案，相較于業(yè)界 傳統(tǒng)的單級分子蒸餾存在分離效率不高、能耗 較大和成本較高等問題，而常規(guī)精餾方法又會使某 些活性組分發(fā)生熱變質(zhì)或分解能等不足。薄膜蒸發(fā) 與精餾是一種特殊的液－液分離技術(shù)，本技術(shù)成果 將薄膜蒸發(fā)的高效蒸發(fā)性與精密精餾的高分離度融 合于一臺完整的設(shè)備中，既可避免熱敏性物質(zhì)長期 暴露于加熱器內(nèi)，又可使各組分通過

該成果是原有的鋁反射激光全息防偽末的升級替換品。這種薄膜結(jié)構(gòu)簡單，僅有信 息層和基底層兩層組成。全息圖像以激光全息技術(shù)拍攝并用激光雕刻和電鑄手段，以光 柵條紋的形式復(fù)制到鎳質(zhì)金屬模版上。以金屬模版熱壓氣凝膠或有機高聚物聚氨酯涂層， 形成承載全息圖像的信息層，可在薄膜上再現(xiàn)全息圖像。

透明導(dǎo)電氧化物薄膜具有良好的導(dǎo)電性能和透光性能，廣泛應(yīng)用于平面液晶顯示（LCD）、電致發(fā)光顯示（ELD）、等離子體顯示（PD）以及太陽能電池、熱鏡、電磁屏蔽等。在相當一段時間內(nèi), In2O3：Sn (ITO) 薄膜作為一種典型的透明導(dǎo)電氧化物薄膜得到了極廣泛的應(yīng)用，但ITO 薄膜中的銦有毒，在制造和應(yīng)用中對人體有害；ITO 中的In2O3 的價格昂貴,成本較高， ITO 薄膜易受氫等離子體的還原作用，這些缺點在很大程度上限制了ITO 薄膜的研究和應(yīng)用。新型透明導(dǎo)電ZnO :Al (AZO) 薄膜中的ZnO 價格便宜,來源豐富,無毒,并且在氫等離子中穩(wěn)定性要優(yōu)于ITO，在很多領(lǐng)域特別是太陽電池領(lǐng)域具有逐步取代ITO薄膜的趨勢。本產(chǎn)品是多層ZAO透明導(dǎo)電膜，具有透過率高和電阻率低的優(yōu)點，而且非常適合制備絨面，可作為陷波結(jié)構(gòu)應(yīng)用于薄膜太陽能電池中。 透明導(dǎo)電膜的主要性能指標有兩個：透過率和方阻。產(chǎn)業(yè)化對透明導(dǎo)電膜透過率的要求一般要達到80%以上，南韓的Ｗｏｏｎ－ＪｏＪｅｏｎｇ制備的ZAO膜在可見光區(qū)域的平均透過率大于９５％，是國際最高水平。國外科研人員制備的ZAO透明導(dǎo)電膜室溫電阻率最低可達3×10-4Ω·cm，方塊電阻最低可達3Ω/□。國內(nèi)制備的ZAO透明導(dǎo)電膜一般平均透過率約為80%，電阻率在10-3數(shù)量級。 本產(chǎn)品具體性能指標是：透過率＞85%，方阻<50Ω/□。 太陽電池是正在蓬勃發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。國務(wù)院剛剛頒布的《可再生能源中長期發(fā)展規(guī)劃》中明確提出：到2010年，太陽能發(fā)電總?cè)萘窟_到30萬千瓦，其中全國將建成1000個屋頂光伏發(fā)電項目，總?cè)萘?萬千瓦，大型并網(wǎng)光伏電站總?cè)萘?萬千瓦；到2020年，太陽能發(fā)電總?cè)萘窟_到180萬千瓦，其中全國建成2萬個屋頂光伏發(fā)電項目，總?cè)萘?00萬千瓦，太陽能光伏電站總?cè)萘繉⑦_到20萬千瓦；另外，光伏發(fā)電在通訊、氣象、長距離管線、鐵路、公路等領(lǐng)域的應(yīng)用，計劃到2010年也將累計達到3萬千瓦，到2020年將達到10萬千瓦。而全球太陽能光伏市場將從2000年的10億美元到2015年擴大到1500億美元。透明導(dǎo)電薄膜是太陽電池中關(guān)鍵的薄膜，需求巨大。

薄膜晶體管（thin film transistor, TFT）本質(zhì)上是一種場效應(yīng)晶體管，其電性質(zhì)與傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管一樣，都是利用垂直于導(dǎo)電溝道的電場強度來控制溝道的導(dǎo)電能力來實現(xiàn)系統(tǒng)放大，這被稱為電導(dǎo)率調(diào)制或場效應(yīng)原理。同時它也是良好的開關(guān)元件，當柵源電壓小于閾值電壓時器件截止，反之導(dǎo)通。場效應(yīng)管是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的，它是電壓控制器件，不吸收信號源電流，不消耗信號源功率，因此它的輸入阻抗很高，它還具有很好的溫度特性、抗干擾能力強、便于集成等優(yōu)點。 與硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁帶寬度大、透明等優(yōu)異的半導(dǎo)體特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成為平板顯示器件的像素開關(guān)。若使用ZnO-TFT作為有源矩陣驅(qū)動的開關(guān)元件有以下明顯優(yōu)勢： (1) ZnO為寬禁帶半導(dǎo)體材料，可以避免可見光照射對器件性能的影響，保證顯示器的清晰度不受太陽光照的影響； (2) 提高開口率，提高顯示器的亮度，進而可以降低功耗； (3) 如果存儲電容也用透明材料制備，制備全透明顯示器件便成為可能； (4) 對襯底要求不高。ZnO薄膜的生長溫度較低，即使室溫條件下也可以生長高質(zhì)量ZnO薄膜，因此襯底可以選擇廉價的玻璃或者柔韌性塑料等，這又是柔性顯示器成為可能； (5) ZnO具有很好的載流子遷移率，使得ZnO-TFT既具有很高的開態(tài)電流，又有效的抑制關(guān)態(tài)電流的增加；研究ZnO-TFT的另一個重要意義在于推動透明電子學(xué)的研究。ZnO-TFT的實現(xiàn)對透明電子學(xué)來說是一個富有成效的進展，具有里程碑的意義，為制造透明電路和系統(tǒng)創(chuàng)造了條件。