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硅基縫隙耦合式Ｔ型結的間接式毫米波信號檢測器
本發明的硅基縫隙耦合式Ｔ型結的間接式毫米波信號檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構成，基于高阻Ｓｉ襯底制作，其上有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構實現信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器由共面波導傳輸線、終端電阻以及熱電堆所構成，熱電堆是由兩種不同的半導體臂級聯組成。
東南大學
2021-04-14
硅基縫隙耦合式Ｔ型結的間接式毫米波信號檢測儀器
本發明的硅基縫隙耦合式Ｔ型結的間接式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數轉換、ＭＣＳ５１單片機和液晶顯示四大模塊組成，傳感器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，上方的兩個縫隙耦合結構實現信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器主要是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器由共面波導傳輸線、終端電阻以及熱電堆所構成。模數轉換
東南大學
2021-04-14
硅基縫隙耦合式Ｔ型結的直接式毫米波信號檢測器
本發明的硅基縫隙耦合式Ｔ型結的直接式毫米波信號檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，該結構是制作在高阻Ｓｉ襯底上，其上有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構實現信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量，在前后縫隙之間有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器主要是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導傳輸線、熱電偶和隔直電容所構成，熱電偶是由金屬臂和半導體臂串聯
東南大學
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測器
本發明的硅基懸臂梁耦合間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測器，結構由懸臂梁耦合結構、功率分配／合成器、間接加熱式微波功率傳感器和開關構成。懸臂梁耦合結構上下左右對稱，包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個對稱的懸臂梁構成，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實現未知頻率毫米波相位的檢測，首先進行頻率檢測，頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現；相位檢測通過將兩路相位差為９０度的耦合信號分別同兩路等分后的參考信
東南大學
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測器
本發明的硅基懸臂梁耦合直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測器，結構主要包括懸臂梁耦合結構、功率分配／合成器、直接加熱式微波功率傳感器和開關。懸臂梁耦合結構包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個對稱的懸臂梁構成，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測信號頻率范圍內的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實現未知頻率毫米波相位的檢測，首先進行頻率檢測。頻率檢測通過利用直接加熱式微波功率傳感器測量兩路在所測信號頻率范圍內的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現；相位檢測通過將兩路在中心頻率３５ＧＨｚ
東南大學
2021-04-14
硅基縫隙耦合式Ｔ型結的直接式毫米波信號檢測儀器
本發明的硅基縫隙耦合式Ｔ型結的直接式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數轉換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，該結構是制作在高阻Ｓｉ襯底上，上方的兩個縫隙耦合結構實現信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現信號的相位測量；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導傳輸線、熱電偶和隔直電容所構成。模數轉換部分由ＳＴＭ３２和ＡＤ６２０
東南大學
2021-04-14
面向大功率開關電源器件的鐵硅粉芯關鍵生產工藝開發
：鐵硅粉芯是一種新型復合軟磁材料，主要用于 替代傳統開了氣隙的硅鋼、鐵氧體及非晶等材料，作為電感器 和電抗器的磁芯，用于對直流疊加要求較高的大功率光伏逆變 器、風電變流器、電動汽車充電機、變頻空調、有源濾波器、 UPS 電源等新能源與節能電力電子系統。 鐵硅粉芯在器件中的作用是實現電磁能量轉換，其與繞制 線圈一起組成的各種磁性器件在電力電子系統中起到功率因數 校正和濾波
合肥工業大學
2021-04-14
太陽能薄膜電池一種關鍵技術：磁控濺射制備微晶硅薄膜
目前在工業上廣泛采用的CVD技術制備硅膜，工藝和設備復雜，成本高，且在安全和環保環節上投入巨大。我們在國內首創出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結晶度的微晶硅薄膜和納米結構硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜，并實現了控制工藝的穩定性和可重復性。利用磁控濺射技術成功實現微晶硅薄膜的制備是一項重大突破，從根本上克服了現有技術的缺點，具有綠色、高效、簡單等優點。目前需要合作伙伴，把該實驗室技術放大到工業規模。
大連理工大學
2021-04-14
一種多點接觸模式下的大面積納米壓印硅模具加工方法
一種多點接觸模式下的大面積納米壓印硅模具加工方法，它將硅(100)單晶片置于多微球的多點接觸板垂直下方位置，再使硅片與多點接觸板兩者垂直相對運動至發生接觸，并達到一定接觸載荷F；使多點接觸板和硅片按照既定軌跡相對運動，進行刻劃；刻劃后，將硅片放入質量分數為15～25％的KOH溶液中腐蝕一段分鐘，即可得到具有預先設定結構的納米壓印硅模具。該方法在多點接觸模式下進行，可以方便地控制所加工納米壓印硅模具的圖案、排列方式等；刻劃過程中硅片與多點接觸板始終保持平行狀態。該方法的設備和原材料成本低，操作簡便、步驟簡單，能一次性完成大面積的硅(100)單晶片納米壓印模具加工，具有明顯的低成本、高效率的特點。
西南交通大學
2016-10-20
一種摻雜硅量子點發光二極管器件及其制備方法
本發明公開了一種摻雜硅量子點發光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結構上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點的 SiNx 薄膜，透明導電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點-SiNx 薄膜的電 致發光特性，構成發光二極管的發光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點，同時摻雜硅量子點與硅襯底形成的 p-n 結增強電子空穴的輻射復 合。此外，利用銀納
華中科技大學
2021-04-14