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Nb-S i基超高溫合金制備技術
內容介紹： Nb-Si基超高溫合金具有高熔點（1750°C以上）、低密度、適中的室 溫韌性、良好的高溫強度及優良的耐腐蝕特性，可使用在1200?1450C 的溫度范圍內，用于制備航空航天、化工、高溫爐等高溫結構部件，適 合于取代鉗佬合金漏板，從而大幅度降低玄武巖纖維的制備成本。 本項目開發了Ti, Cr, Hf, Al, Mo, B, Zr
西北工業大學
2021-04-14
WC 顆粒增強 45 鋼基復合合金耐磨板
WC 顆粒增強 45 鋼基復合合金耐磨板是通過將 45 鋼水澆注到涂覆有 WC 粉末顆粒涂層的鑄型中借助于高溫鋼水的鑄滲能力使鋼水填充在 WC 粉末顆粒的間隙中而形成的一種WC 顆粒增強鋼基表面復合材料。由于復合合金耐磨板是通過鋼水滲入到 WC 顆粒粉末的間隙中形成的，所以， 合金層與基體之間與傳統的通過堆焊的方式形成的合金層不同的是兩者之間呈冶金結合。WC 顆粒增強 45 鋼基復合合金耐磨板中 WC 顆粒在整個合金層內分布均勻， 并且， 合金層中 WC 顆粒的體積百分數
江蘇大學
2021-04-14
WC顆粒增強45鋼基復合合金耐磨板
WC顆粒增強45鋼基復合合金耐磨板是通過將45鋼水澆注到涂覆有WC粉末顆粒涂層的鑄型中借助于高溫鋼水的鑄滲能力使鋼水填充在WC粉末顆粒的間隙中而形成的一種WC顆粒增強鋼基表面復合材料。由于復合合金耐磨板是通過鋼水滲入到WC顆粒粉末的間隙中形成的，所以，合金層與基體之間與傳統的通過堆焊的方式形成的合金層不同的是兩者之間呈冶金結合。 WC顆粒增強45鋼基復合合金耐磨板中WC顆粒在整個合金層內分布均勻，并且，合金層中W
江蘇大學
2021-04-14
一種紙基柔性發電裝置及其制造方法
本發明公開了一種紙基柔性發電裝置，包括由紙基絕緣層和沉 積于該紙基絕緣層表面的第一金屬導電層共同組成的第一組件，以及 由紙基絕緣層、沉積于該紙基絕緣層表面的第二金屬導電層和涂覆在 該第二金屬導電層表面上的駐極體材料層共同組成的第二組件。這兩 個組件各自的邊緣分別搭建有電極并通過封裝工藝予以聯接，并且第 一金屬導電層與駐極體材料層之間相互對置且具備一定間隙。本發明 還公開了相應的制造方法。通過本發明，所獲得的柔性發電裝
華中科技大學
2021-04-14
一種重載鐵路路基基床的建造方法
一種重載鐵路路基基床的建造方法，所述的路基基床適用于設計軸重30t、道床厚度0.35m的重載鐵路，其做法是，在路堤之上從下至上依次構筑：K30系數為90MPa/m~109MPa/m、厚度為1.8m的基床下底層；K30系數為110MPa/m~129MPa/m、厚度為1.5m的基床中底層；K30系數為130MPa/m~149MPa/m、厚度為0.6m的基床上底層；K30系數為150MPa/m~189MPa/m、厚度為0.3m的基床下表層；K30系數≥190MPa/m、厚度為0.3m的基床上表層。該法建成的重載鐵路路基基床長期穩定性及耐久性好，填料來源范圍廣，且修筑成本低，建造時間短。
西南交通大學
2016-10-25
一種用于巖基開挖的輪廓爆破方法
本發明公開了一種用于巖基開挖的輪廓爆破方法，適用于水利水電、鐵道、城市建設等工程領域的 爆破開挖工程。利用有較高粘結強度的堵塞材料加強輪廓爆破孔堵塞物的作用效果，并且導爆索不穿過 堵塞段，同時采用雷管引爆輪廓孔內的導爆索與炸藥，從而大幅延長爆生氣體在孔內的作用時間，實現 裝藥量是常規裝藥量 1/3~1/2 的前提下達到相同的輪廓面開挖效果;減小爆破振動;降低保留巖體的損 傷。該
武漢大學
2021-04-14
一種 Ag 基電觸頭的制造方法
本發明公開了一種 Ag 基電觸頭的制造方法，利用激光選區熔化 法 ， 首 先 使 用 4 × 10<sup>5</sup>W/m<sup>2</sup> ～ 10 × 10<sup>5</sup>W/m<sup>2</sup>的激光，在觸橋表面預制 20μm～50 μm 的 Ag2O 過渡層，再在過渡層表面打印出 Ag 基電觸頭三維結構。 本發明利用
華中科技大學
2021-04-14
高性能低溫燒結BZN基高頻電介質瓷料
具有自主知識產權的BZN系材料具有高性能與低溫燒結兼優的特點，介電常數高（e: 80～150），介質損耗小（tgd<6 ′10-4），介電常數溫度系數可系列化（ae: +200～-750ppm/℃），瓷體致密，絕緣電阻和抗電強度高(r31013w?cm; ev310kv/mm)，化學組成和相組成簡單，燒結溫度低（900～940℃），工藝簡單，溫度穩定
西安交通大學
2021-01-12
硫磺法利用煤基瀝青制活性炭技術
上海交通大學
2021-04-13
寬波段硅基探測器產業化開發
圖像傳感器，是一種常用的光電探測器件，它能將光子信號轉換成電子信號，被廣泛地應用在高性能光譜儀、數碼相機以及其他的電子光學設備中。普通的CCD、CMOS硅基探測器能獲得高量子效率的光譜響應范圍在400~900nm波段，在紫外波段，由于多晶硅柵的吸收系數很大，這就意味著紫外光子在極端淺（小于2nm）的表層被吸收，導致其在波長小于400nm的紫外波段量子效率（QE）極低。紫外量子效率低的缺陷限制了前照式硅基探測器在航空業、工業以及制造業等領域中的應用。因此，研制寬波段硅基探測器件使其響應范圍延伸到紫外和深紫外波段是國內外紫外探測領域的迫切需要。
上海理工大學
2021-04-13