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排異反應(yīng)是異體組織進入有免疫活性宿主的不可避免的難題。一般在人體器官移植手術(shù)后，病人的免疫系統(tǒng)會很快識別出外來的新器官，并對新器官有強烈的排斥作用，這種排異現(xiàn)象是導(dǎo)致器官移植手術(shù)徹底失敗的主要原因之一，嚴重時會使病人不喪失生命。為解決器官移植的排異問題，出現(xiàn)了免疫抑制劑的概念。目前臨床常用的免疫抑制劑有環(huán)孢素 A（CsA）、他克莫司（tacrolimus, FK506）、雷帕霉素（Rapamycin，簡稱 RAPA）等，但這幾種都有較大的副作用，所以尋求在臨床上高活性、低毒的新型免疫抑制劑很有必要。

本發(fā)明選擇結(jié)核桿菌生長期和休眠期主要的保護性抗原 Mtb10.4 和 Hsp16.3，構(gòu)建融合蛋白 Mtb10.4-Hsp16.3(MH)。在大腸桿菌中表 達純化該蛋白，將該蛋白和佐劑混合構(gòu)建亞單位疫苗，分別于 BCG 初免后 12、14 周加強免疫 C57BL/6 小鼠兩次，最后一次免疫 6 周后 檢測細胞免疫反應(yīng)，最后一次免疫后 10 周進行結(jié)核菌毒株&nb

雄激素受體(androgen receptor，AR)被認為在前列腺癌的發(fā)生、發(fā)展和轉(zhuǎn)移中起到關(guān)鍵作用。因此，雄激素撤除療法(androgendeprivation therapy)成為治療晚期前列腺癌的最常用和有效的方法。但是在治療的兩到三年內(nèi)，大部分晚期前列腺癌就會發(fā)展成去勢抵抗性前列腺癌(CRPC)。對于 CRPC 目前缺乏有效治療手段，成為前列腺癌治療中最為棘手的問題。在雄激素撤除環(huán)境下，AR 的再激活存在多種途徑，主要包括病灶部位雄激素的合成、AR 的基因突變、倍增和可變剪切以及 AR 共

一種局部自適應(yīng)可控浸潤性耦合微結(jié)構(gòu)強化沸騰換熱方法具體為：在換熱基底微結(jié)構(gòu)頂部設(shè)置電極膜，電極膜與金屬電極連接至電源形成電場，換熱工質(zhì)中帶電金屬納米顆粒在電場作用下間歇吸附于換熱表面，實現(xiàn)換熱表面浸潤性的可控轉(zhuǎn)換；所述金屬電極固定在換熱基底外部；金屬電極優(yōu)選為銅電極、鋁電極，形狀優(yōu)選為板狀、網(wǎng)狀或棒狀。 所述換熱基底材料為金屬如紫銅或單晶硅、藍寶石、石墨烯等非金屬，可以理解的是，換熱領(lǐng)域常用的換熱材料均適用于本發(fā)明，優(yōu)選導(dǎo)熱性良好的基底材料。換熱基底形狀為平板、圓管或異形，其中異形為換熱領(lǐng)域常見換熱器形狀。所述換熱基底微結(jié)構(gòu)為尺寸為納米級或微米級的微柱、微坑或微槽道；可以理解的是，現(xiàn)有技術(shù)中，所有用于提高換熱效率的微結(jié)構(gòu)均適用于本發(fā)明，優(yōu)選為納米級或微米級的方形微柱、矩形微柱、半球形微坑或圓柱形微坑。所述換熱基底微結(jié)構(gòu)的排列方式為規(guī)則排列如陣列式、交錯式排列，或為不規(guī)則排列。所述電極膜通過電極引線引出，以將電極膜連通并連接至電源；換熱基底、電極膜、電極引線的表面均絕緣。所述表面絕緣可以通過在表面設(shè)置絕緣層實現(xiàn)，所述絕緣層厚度為百納米級。其中，換熱基底材料為單晶硅等非導(dǎo)電材料時，則無需設(shè)置絕緣層。所述絕緣層材料為惰性金屬、金屬氧化物、陶瓷或硅膠；優(yōu)選導(dǎo)熱性優(yōu)良的絕緣材料，可以通過摻雜導(dǎo)熱性優(yōu)良材料的方式來提高絕緣材料導(dǎo)熱性。所述電極膜、電極引線材料為導(dǎo)電材料；優(yōu)選為金屬，進一步優(yōu)選為金、銀、銅或鋁。 所述電極膜厚度為百納米級。所述帶電金屬納米顆粒具有均勻親水性表面、均勻疏水性表面或雙親浸潤性表面；親水、疏水或雙親浸潤性表面通過改性獲得；帶電金屬納米顆粒尺度為納米級、微米級，形狀規(guī)則或不規(guī)則，優(yōu)選為球形或柱形。所述帶電金屬納米顆粒浸潤性與換熱基底的浸潤性不同，用于改變換熱表面浸潤性。如換熱基底表面為親水（或疏水），帶電金屬納米顆粒表面為疏水（或親水），也可以具有雙親浸潤性。所述電源為直流電源或交流電源；其中直流電源通過通、斷電實現(xiàn)電場可控；交流電源通過控制交流頻率實現(xiàn)電場可控，交流頻率根據(jù)沸騰氣泡動力學(xué)周期調(diào)節(jié)。

目前在中壓直流配電網(wǎng)領(lǐng)域研究的大容量直流開斷設(shè)備，需考慮體積、成本等問題。該成果適用于中壓直流配電網(wǎng)領(lǐng)域，特別是涉及一種適用于中壓直流斷路器的電流轉(zhuǎn)移電路及方法，基于混合式直流斷路器，提供一種適用于中壓場合的電流轉(zhuǎn)移電路及方法，通過配置輔助換流單元，對儲能電容器預(yù)先充以適量電壓，實現(xiàn)對故障電流的轉(zhuǎn)移，滿足中壓直流配電網(wǎng)對故障快速切除需求。 該成果提出一種中壓混合式直流斷路器電流轉(zhuǎn)移電路及方法，使故障電流轉(zhuǎn)移與關(guān)斷功能集成化，又能兼顧中壓直流配網(wǎng)對斷路器設(shè)備的體積、成本以及工作可靠性等要求，對擴大直流斷路器的應(yīng)用范圍具有重要工程意義。

本發(fā)明公開一種低合金高強鋼制品的節(jié)約型免回火強韌化工藝方法，包含鋼材冶煉及成型、高溫加熱和保溫和冷卻及等溫處理工藝三個步驟，本工藝方法適用于C-Mn系低合金高強鋼。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種工藝簡單、適宜大規(guī)模生產(chǎn)且具有良好強韌性配合的低合金高強鋼制品的制備工藝，其特點在于從高溫下的控制冷卻和中斷冷卻并在冷卻終止溫度下進行保溫的強韌化制造工藝。相對于傳統(tǒng)的淬火回火工藝，該工藝簡化了淬火獲得馬氏體和馬氏體+貝氏體復(fù)相組織，然后再進行回火處理的工藝，相對Q-P-T工藝而言，本工藝具有更適宜于規(guī)模化生產(chǎn)的可操作性，簡化了由P工藝立即升溫到T工藝的過程，使生產(chǎn)更容易操作。

一種高速鐵路CRTS-II型板式無砟軌道橋臺水平位移測試方法，其步驟為：a)測試端刺水平位移，b)測試摩擦板水平變形，c)測試相對于摩擦板的橋臺水平位移，d)測試溫度校正值，e)計算橋臺水平位移。溫度校正位移傳感器測試值實現(xiàn)了端刺與摩擦板上基準桿端部連接的位移傳感器測試值的校正，該測量方法原理清晰、測量誤差小、精度高，滿足高速鐵路CRTS-II型板式無砟軌道橋臺水平位移的測試。

本發(fā)明公開了一種采用選擇性激光熔化快速成形技術(shù)制備高溫 鈦合金的方法，包括以下步驟：(1)按照鈦合金的名義化學(xué)成分中各元 素的質(zhì)量比例來配置各元素的粉末，隨后進行真空感應(yīng)熔煉；(2)采用 氣霧化制粉法對熔煉形成的鈦合金進行制粉；(3)建立零件三維模型， 并導(dǎo)入到選擇性激光熔化快速成形設(shè)備中；(4)將粉末置入到選擇性激 光熔化快速成形設(shè)備里，并在基板上進行零件成形；(5)采用線切割工 藝將成形的零件從基板上分離，再將零

本發(fā)明公開了一種無需可信第三方支持的云端數(shù)據(jù)安全刪除系 統(tǒng)與方法，系統(tǒng)包括分布式哈希表網(wǎng)絡(luò)，用于存放解密密鑰碎片、用 戶端，用于文件加密、解密和密鑰信息刪除，包括：文件加密模塊、 文件解密模塊、密鑰分發(fā)與重組模塊、本地密鑰信息模塊和文件刪除 模塊，文件加密和解密模塊用于對文件加解密，密鑰分發(fā)與重組模塊 用于對密鑰分片和重組，本地密鑰信息模塊用于存儲相關(guān)密鑰信息， 文件刪除模塊用于刪除密鑰信息；云端，提供數(shù)據(jù)服務(wù)器和密

本發(fā)明公開了一種無位置傳感器的無刷雙饋電動機調(diào)速控制方 法，包括：獲取功率繞組的頻率 fp；獲取控制繞組的頻率 fc；根據(jù)功 率 繞組 的 頻 率 fp 和 控制 繞 組 的頻 率 fc 獲 得轉(zhuǎn) 速 辨 識值<img file=""DDA0000636051420000011.GIF"" wi=""379"" he=""155"" />將轉(zhuǎn) 速的指令值減去轉(zhuǎn)速辨識值<img file=""DDA0000636051420000012. GIF"" wi=""64"" he=""8