网上赌场真人发牌-澳门网上赌场空城

內(nèi)容介紹： 電磁釧接是一種先進(jìn)的抑接工藝方法，可以解決普通鑰接方法在鑰接 鈦合金等難成形材料斜釘、復(fù)合材料結(jié)構(gòu)方面的鑰接難題，能夠手工釧 接大直徑鑰釘和無頭斜釘。釆用電磁卽接代替普通鑰接可以大幅度提高 結(jié)構(gòu)疲勞壽命，減小釧接噪音，改善工人勞動條件。 電磁釧接可用于干涉配合緊固件的安裝，解決傳統(tǒng)安裝方法難以安裝 大直徑大干涉量干涉配合緊固件安

該團(tuán)隊選用了常見的醫(yī)用聚合物聚乙烯醇(PVA)，通過冷凍解凍和干燥-退火的處理，提高納米晶域在垂直界面方向的有序度，從而實(shí)現(xiàn)該粘接界面的疲勞閾值達(dá)到800 J/m 2

本實(shí)用新型公開了一種木柱抄手榫墩接加固結(jié)構(gòu)，包括傳統(tǒng)建筑木柱的修繕加固結(jié)構(gòu)本體；所述傳統(tǒng)建筑木柱的修繕加固結(jié)構(gòu)本體是由原柱、墩接柱、鐵箍、十字線組成；其中原柱和墩接柱橫截面上畫有十字線，原柱和墩接柱均分成四瓣，原柱和墩接柱相互搭交處分別剔除十字中的兩瓣，形成榫頭，原柱和墩接柱通過榫頭相互插接；所述鐵箍包裹在原柱和墩接柱的搭接處；本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，構(gòu)造合理、新穎，能夠有效的對木柱進(jìn)行修繕加固，大大的提高了柱體結(jié)構(gòu)的性能，降低了試驗(yàn)試件性能破壞的風(fēng)險，有利于古建筑的保護(hù)和利用。

EVA（乙烯-醋酸乙烯共聚物）熱熔膠粘劑是一種不需溶劑、不含水份、100％的固體可熔性的聚合物體系。在常溫下為固體，加熱到一定溫度變?yōu)槟芰鲃拥恼承砸后w。因其不含任何溶劑，故屬于環(huán)保型膠粘劑。EVA熱熔膠對幾乎所有的材料均有熱膠接力，綜合性能好。其主要缺點(diǎn)是粘接強(qiáng)度低。 該技術(shù)通過加入一種粘接強(qiáng)度改性劑，很大程度地提高了EVA熱熔膠的粘接強(qiáng)度，其膠接強(qiáng)度與反應(yīng)型聚氨酯熱熔膠相當(dāng)。該熱熔膠制備方便，設(shè)備簡單。該技術(shù)已獲國家發(fā)明專利授權(quán)（專利號：CN100350011C） 通過該技術(shù)制得的EVA熱熔膠具有更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。不僅能廣泛用于制鞋，服裝粘貼，書籍無線裝訂，木材積層板制作，無紡布制作，汽車坐席、車燈等的組裝，電子、電器中的絕緣捻子封緘，電子部件灌封，光盤制作等方面。還可作為結(jié)構(gòu)膠粘劑應(yīng)用于汽車、建筑、道路施工等領(lǐng)域。

本發(fā)明提供了一種用于三層結(jié)構(gòu)薄膜的接料裝置，包括接料底板，設(shè)置在接料底板的一相對兩側(cè)，用于提供粘結(jié)膠帶的粘結(jié)膠帶組件；設(shè)置在接料底板的另一相對兩側(cè)，用于對接薄膜整齊對位的膠帶糾偏組件；設(shè)置在接料底板上用于接料時固定對接薄膜的壓合組件；以及設(shè)置在接料底板上方用于夾持三層結(jié)構(gòu)薄膜各層的夾持組件。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)三層結(jié)構(gòu)薄膜的分層對接，整個裝置結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，易于實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明公開了一種自粘接雙壁香精微膠囊的制備及應(yīng)用方法。采用復(fù)合乳化劑，以香精為囊芯，密胺樹脂和聚丙烯酸酯為壁材，分別通過原位聚合法和界面聚合法分別對香精進(jìn)行包囊，制備了自粘接雙壁香精微膠囊，并提供了這種自粘接雙壁香精微膠囊的應(yīng)用方法。本發(fā)明效果為采用一種安全環(huán)保的制備方法制得自粘接雙壁香精微膠囊，其固含量為30%-35%，較市面上其他香精微膠囊固含量高出10%-15%。通過原位聚合法和界面聚合法進(jìn)行雙層造壁，對香精包裹率可達(dá)90%-95%，產(chǎn)品乳液具有良好的穩(wěn)定性。自粘接雙壁香精微膠囊在保持微膠囊特有優(yōu)勢的同時，使其具備了自粘接性能，簡化了棉織物整理工藝。且整理的棉織物留香效果良好，靜置留香可達(dá)6個月，水洗10次后仍然能保持怡人香氣。

"本發(fā)明公開了一種盾構(gòu)法多孔隧道近接施工附加荷載的輔助支撐方法，在先掘進(jìn)隧道的管片內(nèi)壁構(gòu)造可自行走的輔助支撐結(jié)構(gòu)：即沿隧道的縱向間隔設(shè)置環(huán)形工字鋼，再用縱向工字鋼與所述環(huán)形工字鋼聯(lián)結(jié)成整體，環(huán)向千斤頂通過設(shè)置在其上的膠輪支撐在縱向工字鋼上，各環(huán)形工字鋼之間設(shè)置有縱向千斤頂，在倒數(shù)第二個環(huán)形工字鋼上設(shè)置卷揚(yáng)機(jī)，倒數(shù)第一個環(huán)形工字鋼設(shè)置有相應(yīng)的掛置卷揚(yáng)機(jī)鋼索的掛鉤。本發(fā)明方法在有效減緩盾構(gòu)法多孔隧道近接施工引起的縱向效應(yīng)的同時可以多盾構(gòu)同時掘進(jìn)，不影響先行盾構(gòu)隧道的正常出渣，不需要在先行隧道施工完畢后再施工后行隧道。 "

本實(shí)用新型公開了一種古建筑木柱燕尾榫墩接加固結(jié)構(gòu)，包括原柱和墩接新柱，墩接新柱包括燕尾榫、新柱立面和底座，新柱立面沿豎直方向設(shè)在底座的上方，新柱立面的上方設(shè)有燕尾榫，燕尾榫呈對稱燕尾狀，榫頭平面的寬度和長度均與新柱立面上平面的寬度和長度一致，榫尾內(nèi)斜邊與新柱立面之間為銳角，原柱截面立面上方開設(shè)有卯口，燕尾榫插入原柱截面卯口內(nèi)，使原柱和墩接新柱榫卯連接固定在一起，并在墩接搭交處用鐵箍加固。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單、構(gòu)造合理，在堅持不改變古建筑原材料及施工工藝原則的基礎(chǔ)上，柱根的墩接不僅保證接

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統(tǒng) 針對高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試，最多可實(shí)現(xiàn)12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級，極限測試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時在線監(jiān)測，最多可實(shí)現(xiàn)32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段，針對器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計，設(shè)計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測量的時序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測量，進(jìn)而等效獲得一個周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數(shù)測量驅(qū)動板的設(shè)計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

200610112778本發(fā)明涉及一種固體氧化物燃料電池用封接材料及其制備方法，屬于燃料電池技術(shù)領(lǐng)域。其特征在于所述材料主要組成為ＢａＯ１５～８０ｗｔ％、ＭｇＯ０～３０ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］０～１５ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］３～４５ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～２５ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］０～１５ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～１０ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～１０ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～１ｗｔ％，優(yōu)選該組成為：ＢａＯ１７～６０ｗｔ％、ＭｇＯ２～１８ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］７～１２ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］１０～４０ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～１７ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］２～１４ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～５ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～７ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～０．５ｗｔ％；其制備方法包括壓制素坯，在空氣氣氛下加熱熔融，驟冷獲得玻璃熔塊，破碎、分級等，或采用其它方法得到玻璃粉。該材料與氧化鈰基電解質(zhì)材料、鎵酸鑭基電解質(zhì)材料在浸潤性能、熱膨脹系數(shù)和化學(xué)穩(wěn)定性方面匹配良好，適用于封接金屬、陶瓷部件，特別適用于封接固體氧化物燃料電池的玻璃基封接材料。