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產業觀察：企業創新活力不斷迸發 國產畫質芯片獲突破
當前，隨著數字化轉型的不斷加深，芯片深刻影響著信息產業的發展。“十四五”規劃提出，加強關鍵數字技術創新應用，聚焦高端芯片領域，加快推進基礎理論、基礎算法、裝備材料等研發突破與迭代應用。
人民網
2022-01-17
工信部：預計今年汽車芯片供應形勢持續向好
考慮到全球主要芯片企業加大車規級芯片的生產供應，新建產能將于今年陸續釋放，國內部分芯片產品供給能力逐步提升，預計今年汽車芯片供應形勢還會持續向好。
人民網
2022-03-09
基于微流控芯片的血液多指標分析儀
已有樣品/n養老產業是未來的黃金產業，養老院的常規體檢和快速診斷是一個痛點。基于微流控芯片的體液多參數分析儀滿足了這個需求，市場需求在50 億人民幣以上，目前還沒有同類產品。該成果針對社區醫院和養老院的常規體檢和疾病診斷，開發了于微流控芯片的體液多參數分析儀，更換芯片可以檢測血常規、血生化、尿液、免疫等多個項目。實現一臺儀器檢測多種常見疾病。目前階段性成果或結題成果獲得：專利1 項、SCI 論文11 篇、湖北省自然科
武漢大學
2021-01-12
一種安全存儲器芯片、系統及其認證方法
本發明公開了一種安全存儲器芯片、系統及其認證方法；該安 全存儲器芯片包括總線接口模塊、存儲器模塊、控制模塊、加密模塊 和私鑰；控制模塊和存儲器模塊共用一個總線接口模塊，加密模塊和 存儲器模塊均與控制模塊相連，私鑰與加密模塊相連；存儲器模塊的 存儲區域包括通用區域和受保護區域，通用區域用于存儲軟件程序， 受保護區域用于存儲敏感數據；公鑰存儲于通用區域內。本發明提供 的安全存儲器芯片具備更高的安全性；安全存儲器芯片中的存
華中科技大學
2021-01-12
微流控芯片通道成形與自動對準裝配系統
在國際上率先開展了塑料微流控芯片通道成形與自動對準裝配系統的研究，研制成功國內外首臺塑料微流控芯片自動化制造裝備，采用并發展了新技術，研制了包括塑料微流控芯片微通道熱壓成形機、熱鍵合機、光電對準系統、操作機器人、上下料裝置等設備所構成的芯片制作裝備，取得了熱壓鍵合溫度循環控制方法與裝置、芯片預聯接方法與裝置、芯片對準鍵合全自動卡盤裝置以及芯片檢測器等一批具有自主知識產權的關鍵技術。
大連理工大學
2021-04-13
柑桔十種主要病害病原的基因芯片
本發明公開了一種檢測十種主要柑桔病害病原的基因芯片，包括固相載體和固定在該固相載體上的特異 性寡核苷酸探針，其特征在于：固定在所述固相載體上的特異性寡核苷酸探針具有SEQIDNO:1-SEQIDNOIO所示的寡核苷酸序列或者與SEQIDNO:1-SEQIDNO:10^示的寡核苷酸序列互補的DNA或 RNA。本發明方法設計合理，能夠提高檢測柑桔主要病害病原的敏感性、特異性及準確性；高通量，一次檢 測即能檢出十種柑桔病害，十種病毒基本概括了柑桔主要病害病原；能夠發現各種柑桔病原物的混合感染。
西南大學
2021-04-13
超高分辨率圖像增強與顯示芯片（產品）
成果簡介：超分辨率圖像重建技術是近年來發展迅速的圖像處理新技術，其 目的是超越成像傳感器、成像和信道的分辨極限，利用所獲低分辨率圖像， 實現高分辨率圖像的重建。超高分辨率圖像增強與顯示芯片項目利用超分辨 率圖像實時處理技術，實現從一幅或多幅低分辨率視頻圖像處理獲得高分辨率圖像，在圖像被放大的同時增強圖像更多的細節，提高圖像的清晰度和分 辨率，實現攝像傳感器的低分辨率與顯示器高分辨率之間的匹配，解決目前 圖像獲取與顯示分辨率不匹配的瓶頸問題，在現有圖
北京理工大學
2021-04-14
國產首款腦機編解碼集成芯片——“腦語者”
由中電云腦（天津）科技有限公司（簡稱“中電云腦”）聯合天津大學共同研發的國產首款腦機編解碼集成芯片——“腦語者”是一款擁有完全自主知識產權的國產高集成腦-機交互芯片，可適用于特種醫學、康復醫學、腦認知、神經反饋、信號處理等腦-機混合智能的重點應用領域。“腦語者”芯片是中國電子信息產業集團（簡稱“中國電子”）和天津大學
天津大學
2021-04-14
一種基于波矢測量的紅外成像探測芯片
本發明公開了一種基于波矢測量的紅外成像探測芯片，包括面陣紅外折射微透鏡、面陣非制冷紅外探測器和驅控預處理模塊；其中，面陣非制冷紅外探測器位于所述面陣紅外折射微透鏡的焦面處，被劃分成多個陣列分布的子面陣非制冷紅外探測器，每個子面陣非制冷紅外探測器包括數量和排布方式相同的多個陣列分布的光敏元；面陣紅外折射微透鏡包括多個陣列分布的單元紅外折射微透鏡，每單元紅外折射微透鏡與一個子面陣非制冷紅外探測器對應。本發明的紅外成像
華中科技大學
2021-04-14
一種三維量子阱結構光電裸芯片
一種三維量子阱結構光電裸芯片，屬于一種量子阱結構光電裸芯片，解決現有三維量子阱結構光電裸芯片工作面積有限、工藝復雜、成本高的問題。本實用新型自下而上包括：襯底層、緩沖層、n 型層、量子阱層、p 型層，所述襯底層、緩沖層、n 型層、量子阱層和 p 型層表面形狀走向一致，均為均勻分布的凸臺陣列或者均勻分布的凹槽陣列，或者均勻分布的相間的凸臺和凹槽所構成的陣列。本實用新型增大了襯底層工作面積，在其上直接生長一層緩沖層來進行應力與晶格匹配，克服了工作面積與襯底面積之比較低所帶來的量子轉換效率低的問題；本實用
華中科技大學
2021-04-14