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本發(fā)明公開了一種聚乙烯-醋酸乙烯酯共聚物／氫氧化鎂-碳納米管復(fù)合阻燃材料的制備方法和應(yīng)用，由下述組分經(jīng)過熔融共混熱壓成型制成，將100重量份聚乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和1-10重量份基于碳納米管基體的單分散氫氧化鎂納米粒子置于密煉機(jī)中，熔融混煉、熱壓成型、冷卻固化。采用碳納米管為載體，降低氫氧化鎂粒徑，使其實(shí)現(xiàn)納米級(jí)分散。提高氫氧化鎂與聚乙烯-醋酸乙烯酯共聚物接觸面積，提高聚合物阻燃性能。

本實(shí)用新型公開了一種基于單相全橋二極管鉗位多電平背靠背變換器的同相供電系統(tǒng)，其平衡變壓器(1)的輸入端L

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用； ※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。 ???????

近日，西安交通大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院電子陶瓷與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室任巍教授和牛剛教授團(tuán)隊(duì)利用機(jī)械剝離獲得少層二硫化鉬材料制備具有背柵結(jié)構(gòu)和納米級(jí)溝道長度的光電晶體管，實(shí)現(xiàn)了較高探測率(＞1013Jones)和響應(yīng)率(＞103A/W)。

工業(yè)級(jí)SLA打印機(jī)二極管泵浦固體激光Nd:YVO4波長的控制研發(fā)控制程序的編程研發(fā)

近日，劉志偉在Light: Science & Applications雜志上發(fā)表了題為“Lanthanide complexes with d-f transition: new emitters for single-emitting-layer white organic light-emitting diodes”的論文，該工作合成了具有d-f躍遷發(fā)光性質(zhì)的天藍(lán)光發(fā)射的鈰(III)配合物Ce-TBO2Et和橙紅光發(fā)射的銪(II)配合物Eu(Tp2Et)2，利用兩種發(fā)光材料構(gòu)建的SEL-WOLEDs發(fā)光效率高且發(fā)光顏色穩(wěn)定。研究表明，主體材料不參與傳能過程且低能量的橙紅光材料的質(zhì)量摻雜濃度可高達(dá)5wt%，體現(xiàn)了d-f躍遷稀土發(fā)光配合物應(yīng)用于SEL-WOLEDs時(shí)可簡化傳能過程和器件制備工藝的優(yōu)勢。

該項(xiàng)研究成果指出了一種能有效免疫復(fù)雜應(yīng)力影響的可拉伸OECT及其傳感器的新方法，通過結(jié)合有序蜂窩狀半導(dǎo)體聚合物制備方法與雙向預(yù)拉伸技術(shù)，成功研制了最高可拉伸至140%的OECT，且其輸出特性在可拉伸范圍內(nèi)保持了高度穩(wěn)定。

近期，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、周弘教授等在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件研究方面取得重要進(jìn)展，研制出一種新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)二極管。