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產(chǎn)品概述： FCP磁場(chǎng)控制平臺(tái)是根據(jù)磁控原理設(shè)計(jì)的理想磁測(cè)量系統(tǒng)，磁場(chǎng)范圍超過3T，利用TESTIK475高斯計(jì)穩(wěn)定磁場(chǎng)控制，適合各系列電磁鐵配置，連續(xù)可變的電磁氣隙，實(shí)心的和光學(xué)入口極帽，線型雙極，真實(shí)四象限電磁鐵電源。   您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 磁場(chǎng)控制平臺(tái)磁控原理磁測(cè)量系統(tǒng) FCP磁場(chǎng)控制平臺(tái)控制特征： TESTIK475型高斯計(jì)努力保持確切的磁場(chǎng)密度，用戶輸入的控制設(shè)定點(diǎn)，用G、T、Oe、A/m來表示。北京錦正茂的電磁鐵磁場(chǎng)控制平臺(tái)集成了硬件和控制部件來形成一個(gè)變化的磁場(chǎng)平臺(tái)，可以被獨(dú)立的被利用或做為用戶設(shè)計(jì)的測(cè)量系統(tǒng)的一個(gè)基礎(chǔ)。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！  磁場(chǎng)控制平臺(tái)磁控原理磁測(cè)量系統(tǒng) ※ 磁場(chǎng)控制平臺(tái)包括錦正茂公司的電磁鐵、雙極電源、具有控制能力的DSP技術(shù)的高斯計(jì)、霍爾探頭及支架等。 錦正茂提供的磁場(chǎng)控制平臺(tái)具有不同的配制用來滿足在磁場(chǎng)強(qiáng)度、磁場(chǎng)均勻性、樣品尺寸、自定義測(cè)量要求等基礎(chǔ)之上的用戶要求。可以獨(dú)立的形成用戶所需要的不同磁場(chǎng)強(qiáng)度的可變磁場(chǎng)。廣泛用于磁光測(cè)量系統(tǒng)、VSM測(cè)量系統(tǒng)、在線退火、霍爾效應(yīng)、磁化率測(cè)量、自旋磁共振、B-H曲線測(cè)量和精準(zhǔn)的傳感器校準(zhǔn)等領(lǐng)域。 475高斯計(jì)從高斯計(jì)霍爾探頭得到反饋來計(jì)算并調(diào)整控制（模擬）輸出。為了更大程度實(shí)現(xiàn)控制的穩(wěn)定性，475型高斯計(jì)每33毫秒更新模擬輸出。結(jié)果是一個(gè)內(nèi)置的PI 控制器提供了峰值-到-峰值的0.5 G*的磁場(chǎng)穩(wěn)定性。 ※ 當(dāng)設(shè)定點(diǎn)速率激活的時(shí)候，儀器會(huì)開始從當(dāng)前磁場(chǎng)讀數(shù)加速而不是當(dāng)前設(shè)定點(diǎn)，基于對(duì)P和I的設(shè)定。另外，475高斯計(jì)能設(shè)定速率來控制設(shè)定點(diǎn)，從當(dāng)前磁場(chǎng)讀數(shù)到一個(gè)新的值，使用一個(gè)磁場(chǎng)中平滑線性變換而不是瞬態(tài)特性的PI控制。 ※ 開環(huán)磁場(chǎng)控制也可能用手動(dòng)輸出來使用475模擬輸出，這意味著忽視了反饋并且模擬輸出停留在手動(dòng)用戶調(diào)整。這個(gè)方法使磁體電源操作處于恒定電流模式。 ※ 475也包含了用戶可設(shè)定的控制斜率限制和模擬輸出電壓限制。這些軟件限制保證了磁體電源如果磁場(chǎng)控制系統(tǒng)遭到不合適的調(diào)整或開始擺動(dòng)而不會(huì)損壞。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 錦正科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對(duì)內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對(duì)外以商務(wù)平臺(tái)方式實(shí)現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學(xué)管理的現(xiàn)代化經(jīng)營模式，專門從事物理、化學(xué)和材料等領(lǐng)域的科學(xué)儀器研發(fā)、銷售各類型超低溫測(cè)試設(shè)備（液氮 液氦）制冷機(jī)系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場(chǎng)真空探針臺(tái)，霍爾測(cè)試系統(tǒng)，電輸運(yùn)測(cè)量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內(nèi)（較早）生產(chǎn)探針臺(tái)，電輸運(yùn)，電磁鐵的廠家之一。    

針對(duì)傳統(tǒng)光柵衍射效應(yīng)固定不變，不可調(diào)節(jié)，運(yùn)用面狹窄的問題，提出了一種磁流體光柵，利用外磁場(chǎng)的強(qiáng)度來控制磁流體的折射率和吸收系數(shù)，進(jìn)而使得磁流體光柵的折射率調(diào)制和吸收系數(shù)調(diào)制隨外磁場(chǎng)的改變而改變，實(shí)現(xiàn)磁流體光柵衍射效率可調(diào)的特性。   所述磁流體光柵包括一個(gè)周期性凹槽、一種磁流體、一個(gè)光學(xué)透明的剛性覆蓋層及一個(gè)磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置，磁流體填入周期性凹槽的各個(gè)凹槽中，光學(xué)透明的剛性覆蓋層將磁流體密封在周期性凹槽中，磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置置于周期性凹槽外，磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置通電后在磁流體所在的位置產(chǎn)生均勻、可調(diào)的磁場(chǎng)，用于改變磁流體的折射率和吸收系數(shù)。   所述的周期性凹槽是在光學(xué)透明的剛性襯底上用帶折射率的光學(xué)材料隔成一個(gè)個(gè)凹槽，制作凹槽的方法采用蝕刻法。所述磁流體，由表面包覆活性劑的磁性微粒和用于分散磁性顆粒的液相載液組成。所述周期性凹槽的深度在1μm—10μm之間、寬度在1μm一200μm之間。所述光學(xué)透明的剛性襯底和光學(xué)透明的剛性覆蓋層為石英(Si02）、光學(xué)玻璃。所述的周期性凹槽的周期Λ、深度d、入射光波長λ和磁流體光柵的平均折射率n0滿足關(guān)系式2πλd／(noΛ)2<<1薄光柵條件，形狀選用矩形、鋸齒形、余弦形。所述的磁流體的磁性微粒選用四氧化三鐵(Fe304)、三氧化二鐵(Fe203)、錳鋅鐵氧體，表面活性劑選用油酸、亞油酸、橄欖油，液相載液選用水、煤油。所述的磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置包括一個(gè)或一對(duì)螺線圈和一個(gè)可調(diào)直流恒流源，該可調(diào)直流恒流源用于給電磁鐵或螺線圈供電，其輸出電流的大小控制電磁鐵磁場(chǎng)或螺線圈感應(yīng)磁場(chǎng)的強(qiáng)度。所述的磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置產(chǎn)生的磁場(chǎng)平行于襯底或覆蓋層的表面、并且垂直于凹槽的長邊側(cè)壁。  將磁流體這一液相磁性物質(zhì)用來制作光柵，利用磁流體的折射率和吸收系數(shù)隨外磁場(chǎng)強(qiáng)度變化的特點(diǎn)，通過外磁場(chǎng)即可控制光柵的衍射光效率，從而實(shí)現(xiàn)了衍射奴率可調(diào)的光柵。實(shí)現(xiàn)了可在線、實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)指定階次衍射光的衍射效率，為光通訊和光子器件領(lǐng)域的性能提高提供了新的方法。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹安裝簡單方便粘貼式磁性帶傳感器磁頭安裝允許的間隙小（10mm）非接觸式線性測(cè)量系統(tǒng)，無磨損抗液體、抗油污、抗振動(dòng)，可以在-20～70℃溫度范圍內(nèi)正常使用 廣泛應(yīng)用于各種行業(yè)的位置、角度檢測(cè)中 

320mm×220mm×200mm，酒精燈加熱，輪子會(huì)轉(zhuǎn)動(dòng)。

集成電路產(chǎn)業(yè)需要大量高端薄膜生長設(shè)備，上個(gè)世紀(jì)80年代，MBE作為一種尖端技術(shù)，國外就對(duì)中國進(jìn)行了技術(shù)封鎖，禁運(yùn)中國。甚至在今天，MBE仍然屬于美國對(duì)中國出口的管制類產(chǎn)品，每一臺(tái)都要經(jīng)過復(fù)雜的審批過程。

中試階段/n透明導(dǎo)電薄膜是平臺(tái)式材料，是光電產(chǎn)業(yè)上游重要產(chǎn)品。柔性透明導(dǎo)電薄膜可以用于大尺寸柔性觸控，柔性顯示與照明、薄膜太陽能電池，可穿戴設(shè)備等戰(zhàn)略性新興柔性光電子產(chǎn)業(yè)，解決陶瓷基透明電極面臨主要成分的資源短缺和固有的脆性等不利因素，在相關(guān)領(lǐng)域取代ITO薄膜及金屬網(wǎng)格。本項(xiàng)目開發(fā)從材料到薄膜加工工藝的全鏈條技術(shù)，開發(fā)一系列面向不同光電器件需求的產(chǎn)品。目前，團(tuán)隊(duì)通過第三方機(jī)構(gòu)認(rèn)證的樣品透過率導(dǎo)電性耐彎折特性處于國際先進(jìn)水平。目前，正在進(jìn)行小試階段的研發(fā)工作，高純?cè)虾筒糠盅b備可國產(chǎn)化。

研究團(tuán)隊(duì)在薄膜研究方面，前期工作主要集中在:1)高性能透明導(dǎo)電薄膜 研發(fā)。所制備的液晶光學(xué)窗口元件實(shí)現(xiàn)可見區(qū)平均透過率大于 90%，明視覺反射 率分別為:8 度 0.24%，15 度 0.21%，30 度 0.27%;方塊電阻低于 13 歐姆，理論 電磁屏蔽能力優(yōu)于 24dB，經(jīng)用戶確認(rèn)，性能指標(biāo)處于國內(nèi)領(lǐng)先，達(dá)到國際先進(jìn) 水平。填補(bǔ)了高性能透明導(dǎo)電薄膜研發(fā)的空白，打破了西方國家在該領(lǐng)域的技術(shù) 壟斷。該研究工作為透明導(dǎo)電薄膜關(guān)鍵元件在國防軍工產(chǎn)品的裝備應(yīng)用提供理論 依據(jù)和技術(shù)支撐。2)1064 帶通

一種濕法刻蝕鎳酸鑭薄膜和鐵電薄膜/鎳酸鑭復(fù)合薄膜的腐蝕液，由雙氧水、硝酸、氫氟酸和純凈水配制而成，純凈水、雙氧水、硝酸、氫氟酸的體積比為：純凈水∶雙氧水∶硝酸∶氫氟酸＝1∶2～3∶0.5～1.0∶0.06～0.12。所述腐蝕液的制備方法，按上述配方在常溫、常壓下將計(jì)量好的純凈水與雙氧水混合均勻，然后加入計(jì)量好的硝酸并混合均勻，繼后加入計(jì)量好的氫氟酸并混合均勻。所述腐蝕液可干凈、徹底地一次性去除SiO2 和/或Pt表面的LNO薄膜或LNO復(fù)合薄膜，得到邊緣清晰、側(cè)蝕比小的刻蝕圖形。

本發(fā)明公開了一種導(dǎo)磁構(gòu)件超強(qiáng)磁化漏磁檢測(cè)方法及裝置。該方法采用單一穿過式磁化線圈對(duì)導(dǎo)磁構(gòu)件進(jìn)行局部單一軸向超強(qiáng)磁化，激發(fā)出其上縱、橫向傷的泄漏磁場(chǎng)并利用磁敏元件陣列加以拾取，實(shí)現(xiàn)其上縱、橫向傷的全面檢出；再通過信號(hào)求和比較法進(jìn)行縱、橫向傷檢出信號(hào)區(qū)分并對(duì)其進(jìn)行信號(hào)幅值補(bǔ)償，實(shí)現(xiàn)同損傷當(dāng)量的縱、橫向傷等信號(hào)幅值與靈敏度的統(tǒng)一判斷。裝置包括穿過式線圈、磁敏組件，信號(hào)識(shí)別補(bǔ)償組件和數(shù)據(jù)采集卡。本發(fā)明將傳統(tǒng)的檢測(cè)方法進(jìn)行簡化與統(tǒng)一，降低成本；實(shí)現(xiàn)導(dǎo)磁構(gòu)件與檢測(cè)單元之間簡單的直進(jìn)式相對(duì)掃查運(yùn)動(dòng)，完成高速高效地