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本發(fā)明公開了一種軟件定義的固態(tài)盤融合存儲(chǔ)方法，在主機(jī)端 增加主機(jī)端融合存儲(chǔ)層 HFSL（Host-Fusion-Storage-Layer），直接獲取 固態(tài)盤的物理塊特性以及使用過程中的統(tǒng)計(jì)信息，結(jié)合上層數(shù)據(jù)訪問 特點(diǎn)進(jìn)行固態(tài)盤的復(fù)雜 IO 調(diào)度及管理，以及分配粒度可變的地址映射 方 法 實(shí) 現(xiàn) 固 態(tài) 盤 持 久 化 的 高 性 能 。 本 發(fā) 明 在 主 機(jī) 端 實(shí) 現(xiàn) 對(duì) NAND-FLASH 的性能優(yōu)化以及 PCM 與 N

基于多元信息融合的油菜生長(zhǎng)模型是用數(shù)學(xué)方程描述油菜、氣候和土壤之間的作用過程,根據(jù)氣象條件、土壤條件以及管理方案，動(dòng)態(tài)定量的描述油菜生長(zhǎng)、發(fā)育、籽粒形成及產(chǎn)量。油菜生長(zhǎng)模型最重要的意義是對(duì)整個(gè)油菜生育系統(tǒng)的知識(shí)進(jìn)行綜合，并量化生理生態(tài)過程及其相互關(guān)系,即綜合知識(shí)和量化關(guān)系。油菜模型是利用計(jì)算機(jī)強(qiáng)大的信息處理和計(jì)算功能,對(duì)不同生育過程進(jìn)行系統(tǒng)分析和合成,相當(dāng)于所研究系統(tǒng)的最新知識(shí)的積累和綜合。在這種知識(shí)合成的過程中,還能鑒定知識(shí)空缺,從而明確新的研究方向，同時(shí)，油菜模擬研究在理解油菜生理生態(tài)過程及其變量間關(guān)系的基礎(chǔ)上，進(jìn)行量化分析和數(shù)理模擬，從而促進(jìn)了對(duì)油菜生育規(guī)律由定性描述向定量分析的轉(zhuǎn)化過程，深化了對(duì)油菜生育過程的定量認(rèn)識(shí)。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

2025年3月27日，比亞迪迪空間微信號(hào)以《共筑產(chǎn)教融合新平臺(tái)丨天津市大學(xué)軟件學(xué)院與天津迪空間共建社會(huì)實(shí)踐基地》為題對(duì)我校進(jìn)行了報(bào)道。

成果描述：本發(fā)明公開了一種柴油機(jī)微粒捕集器DPF碳累積量估計(jì)方法，通過壓差傳感器測(cè)得DPF前后總壓力差，根據(jù)DPF前后總壓力差和廢氣體積流量得到DPF的總流阻，根據(jù)灰分質(zhì)量和廢氣體積流量得到DPF殘余碳產(chǎn)生的流阻，總流阻減去白載體流阻及殘余碳產(chǎn)生的流阻即可得到積碳所產(chǎn)生的流阻，根據(jù)積碳產(chǎn)生的流阻與廢氣體積流量即可得到碳積累量；所述灰分質(zhì)量通過廢氣質(zhì)量流量和發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速經(jīng)過積分計(jì)算得到。本發(fā)明提出了碳積累量增量估計(jì)方法，可以基于當(dāng)前總流阻、當(dāng)前灰分質(zhì)量和當(dāng)前廢氣體積流量計(jì)算出碳積累量的增量，然后得到當(dāng)前的碳積累量。本發(fā)明方法得到的DPF碳累積量估計(jì)精度更高，而且避免了使用現(xiàn)有估計(jì)方法中物理意義不明確的參數(shù)，估計(jì)過程更加快速精確，從而大大提高了判斷DPF再生時(shí)機(jī)的準(zhǔn)確性。市場(chǎng)前景分析：內(nèi)燃機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。與同類成果相比的優(yōu)勢(shì)分析：技術(shù)先進(jìn)，性價(jià)比較高。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測(cè)試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。