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產品概述： 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 磁光克爾效應測量系統 磁光克爾效應裝置是一種基于磁光效應原理設計的超高靈敏度磁強計，是研究磁性薄膜、磁性微結構的理想測量工具。旋轉磁光克爾效應（RotMOKE）是在磁光克爾效應測量基礎上的一種類似于轉矩測量各向異性的實驗方法，可以定量的得到樣品的磁各向異性的值。但由于電磁鐵磁場大小的限制，只適合于測量磁各向異性的易軸在膜面內而且矯頑場不太大的磁性薄膜材料。結合源表可以進行樣品的磁輸運性能測量。RotMOKE具有以下特點：測量精度高、測量時間短；非接觸式測量，是一種無損測量；測量范圍為一個點，可以測量同一樣品不同部位的磁化情況；可以產生平滑、穩定的受控磁場，并且磁場平滑過零。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 應用領域： 磁光克爾效應測量系統廣泛應用于諸如磁性納米技術、自旋電子學、磁性薄膜、磁性隨機存儲器、GMR/TMR等磁學領域。 可測試材料：記錄磁頭，磁性薄膜，特殊磁介質，磁場傳感器 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 產品特點： 1·測量靈敏度高，穩定性好，噪音低 2·非接觸式測量，是一種無損測量 3·可以測量同一樣品厚度不等的楔形磁性薄膜 4·可以將樣品放到真空中原位測量 5·可以測量同一樣品不同部位的磁化情況 6·縱向、橫向和極向克爾效應測試 7·三百六十度電動旋轉樣品，可測試樣品各向異性 8·手動左右和上下位移樣品，可測試樣品表面不同點的克爾效應 9·樣品座有電接口，可加入磁電耦合測試。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 技術指標: 1· 樣品尺寸：大Φ10mm的圓 2· 克爾角分辨率（δ）：0.001度； 3·橢偏率分辨率（ε）：0.1%； 4·小光斑（Φ）：10微米； 5· 大磁場：單維0.26特斯拉； 6· 樣品電動角度步進0.1度，手動位移步進10微米； 7·噪音：1%。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 技術參數： 1·光學平臺：    剛性隔震，不銹鋼貼面，1200*800*800mm，M6螺孔，25mm陣距，150mm臺板厚度，帶腳輪。臺面平整度0.1/1000mm，平臺載荷300Kg，固有頻率≤2.5Hz，阻尼比0.12~0.13R/S。 2·矢量電磁鐵： 錦正茂二維矢量電磁鐵，每維大磁場0.26T，極面直徑30mm，磁場間隙40mm，中心10mm正方體內均勻區1%。 3·電磁鐵電源： 錦正茂單相雙極性恒流，大10A，小分辨率0.1mA，穩定性50ppm/h，對應小分辨率0.1Gauss。 4·激光器： Newport    632.8nm，2mW，2%穩定度，噪音<1% rms（30Hz~10MHz），通過聚焦透鏡光斑小為10μm的圓。 5·起偏/檢偏器：格蘭-湯普森棱鏡，外徑25.4mm，通光孔徑10mm，消光比<5*10^-5，角度范圍14~16°，波長范圍350~2300nm。 6·聚焦透鏡：K9雙凸，設計波長633nm，外徑25.4mm，焦距150mm，焦距誤差±0.5%，面精度X方向λ/4，Y方向λ/2。 7·四分之一波片：Ø25.4mm，波長632.8nm，投射波前畸變λ/8，相位延遲精度λ/100。 8·光電傳感器：15mm²感應面積，0.21A/W響應度，暗電流1nA，對430~900nm波長光敏感，分流電阻200Mohm。 9·電流放大器：1pA/V大增益，1MHz帶寬，大輸入±5mA，大輸出±5V，增益精度為輸出的±0.05% 10·高精度電壓表：六位半，小分辨率0.1μV，90天準確度達到0.002%，四位半精度下快2000 readings/second 11·手動位移和電動旋轉樣品桿：   XYZ三維位移，XY行程25mm，Z行程13mm，轉動360度，樣品座為直徑11mm的圓，上有電接頭。 12·計算機：聯想商用，集成多串口卡。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！

一、產品簡介      光無源器件是光纖通信設備的重要組成部分。它是一種光學元器件，也是其它光纖應用領域不可缺少的元器件。該實驗儀重點介紹了常用的光無源器件的相關參數及測試方法，主要包括光纖轉換器、光纖變換器、光纖耦合器，光纖隔離器、光纖衰減器、WDM等器件的參數的測試原理及測試方法。幫助學生直觀的了解各種光無源器件的性能，從而更準確的使用不同器件進行光纖通信方面實驗。 二、實驗內容  1、光纖轉換器測試實驗  2、光纖變換器測試實驗  3、光纖耦合器測試實驗  4、光纖隔離器特性測試實驗  5、波分復用器和解復用器測試實驗  6、可調光纖衰減器測試實驗  7、光纖機械光開關特性測試實驗  8、光纖偏振控制器特性測試實驗  9、光纖偏振分束器（PBS）性能能參數測試實驗 三、實驗配置參數 1、光源：波長1310±20nm，1550±20nm；輸出功率：1-2.5mw，連續可調；輸出端口：FC/PC；穩定性＜0.5db（5h）；光源類型：LD光源； 2、光功率計：波長范圍800-1700nm；輸入接口：FC 校準波長：1550nm,1310nm； 3、偏振控制器：插入損耗＜0.05dB；消光比＞40dB；回波損耗＞65dB； 4、光纖機械光開關：插入損耗：1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ，P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波損耗＞50dB ；開關速度：≦8ms ； 5、高隔離度光纖隔離器：最大插入損耗：0.35dB ；回波損耗：≧50dB ；隔離度：≧30dB ； 6、光纖耦合器：分光比：50% : 50% ；最大插入損耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纖波分復用器：隔離度：1310nm ：31.8% ；1550nm ：34%；插入損耗：1310nm ：0.30%；1550nm ：0.34% ； 8、光纖可調衰減器：0-30db可調； 9、配置：光纖光源，光纖光功率計、光纖耦合器、光波分復用器、光纖偏振控制器、光纖偏振分束器，可調衰減器、光纖隔離器、光纖機械光開關、法蘭盤、實驗指導書及實驗錄像光盤等。 四、實驗目的 1、了解光連接器及其原理、種類，實驗操作進行連接器參數測量； 2、掌握光纖偏振控制器工作原理，實驗操作單模光纖偏振狀態控制； 3、了解光纖耦合器用途及其性能參數，實驗操作測量耦合器特性參數測量； 4、了解光纖隔離器用途及其性能參數，實驗操作光纖隔離器特性參數測量； 5、了解光纖光開關用途及其性能參數，實驗操作光纖光開關特性參數測量； 6、了解光波分復用器（WDM）的原理與意義，操作雙波長波分復用（WDM）的原理性實驗；

由上海復旦天欣科教儀器有限公司研制生產的磁光克爾與法拉第效應綜合測試系統將兩種研究磁光效應的實驗結合于同一套測試系統中。在表面磁光克爾效應的研究中，應用該系統可以自動改變電磁鐵電流大小及方向，并實時采集記錄偏振光信號與磁場強度信號的改變，從而獲得薄膜樣品矯頑力、磁各異性等方面的信息；在法拉第效應的實驗中加入了控溫裝置，可在不同溫度下利用正交消光法檢測樣品的的費爾德常數。 應用該實驗儀主要完成以下實驗： 1．磁光克爾效應實驗：測量薄膜或者塊狀拋光鐵磁性樣品的克爾旋轉角，分析其磁學性質； 2．常溫法拉第效應實驗：測量不同材料的常溫費爾德常數； 3．變溫法拉第效應實驗：測量不同溫度情況下材料的菲爾德常數，分析溫度對材料磁滯旋光的影響； 4．法拉第效應譜線測量：測量不同光譜照射情況下材料的菲爾德常數（選用不同波長的激光器）。

產品詳細介紹 TSY-1型同軸、偏振光多功能攝影儀 價格：3860.001、45度半透半反鏡將水平方向入射光轉變成垂直的同軸光，用于對光滑表面上的痕跡進行同軸光拍照。2、配備多種濾光片，可進行分色照相。3、配備起偏鏡、檢偏鏡、偏振光眼鏡，可進行偏振光照相。4、配備底透射光，可進行透射照相。電源：AC220V，50HZ主柱升降范圍≥220mm上下調焦范圍≥150mm聚光鏡調節范圍≥220mm  

　　桐鄉市光儀教學儀器設備有限公司為普教儀器專業生產廠，有高中、初中、小學教師演示， 學生實驗用教學儀器各種類型數十種。主要產品有：初高中物理、化學、生物各類實驗材料、照明電路材料J1008 兩用氣筒 J2106 鉤 碼J2358 電阻圈 J2368 演示線路實板J2369 學生線路實驗板 J2409 演示原副線圈J2410 原副線圈 J2411 蹄形電磁鐵J2412 電鈴 J2515 雙縫干涉儀J2523 初中光學實驗盒 J2527 望遠鏡J2706 放大鏡 J218 小學聲學實驗盒J219 小學熱學實盒 J248、249 一、二年級自然盒J251 光學演示箱 J252 小學光學實驗盒等等。 產品供應全國二十多個省市教儀供應部門，部分產品口外各地政府及世行貸款教儀采購招標中屢有中標。  

光峰科技，科創板上市企業（股票代碼：688007），是一家擁有原創技術、核心專利、核心器件研造能力的全球領先激光顯示科技企業。 光峰科技于2007年發明了ALPD®激光顯示技術， 解決了長期困擾 RGB 三色激光顯示技術的系列問題，并率先在全球范圍實現技術的產業化。其被視為下一代激光顯示的發展方向，確立了我國在激光顯示領域的國際領先地位。ALPD®激光技術架構作為一個底層關鍵架構，可延伸應用至多個領域，目前已歷經四代技術升級，在全球范圍內布局專利保護。 基于首創并不斷升級的ALPD®激光顯示技術架構，光峰科技打造了激光顯示核心器件——激光光學引擎，并將該核心器件與電影、電視、教育、展示等顯示場景相結合，開發了眾多激光顯示產品及系統解決方案。 帶著科技改變人類生活的激情，光峰科技致力激光顯示技術和產品的研究創新，不斷豐富人類對美好生活的選擇，滿足人們在高速通訊及人工智能時代對信息顯示新的要求，不斷靠近“新光源 新生活”的夢想和抱負。

簡介 在外加磁場的作用下，物質的光學性質會發生改變，這就是磁光效應。磁光效應主要包含磁光克爾效應、法拉第磁致旋光效應、科頓 - 穆頓磁致雙折射效應。本實驗系統利用一套可以進行自由組合的實驗裝置，通過搭建不同的測量光路來實現對這三種完全不同的磁光效應 的測量。具體實驗內容為：測量鎳薄膜的磁光克爾旋轉角、測量蒸餾水的法拉第旋光系數、測量磁流體的磁致雙折射（科頓 - 穆頓效應） 的 o 光與 e 光的折射率差，其中前兩部分作為基礎性實驗內容開展面上實驗，第三部分作為研究性實驗內容可供在現有實驗基礎上開展研 究性實驗。

小試階段/n本發明涉及一種Si3N4/SiCW復相結合SiC耐火材料及其制備方法。其技術方案是：以50~75wt%的碳化硅、18~36wt%的單質硅和2~15wt%的碳為原料，外加所述原料3~7wt%的改性結合劑，攪拌均勻，機壓成型，成型后的坯體在220℃條件下干燥8~48小時；干燥后的坯體在氮氣氣氛中燒成，隨爐自然冷卻至室溫，即得Si3N4/SiCW復相結合SiC耐火材料。所述燒成的溫度制度是：先升溫至890~920℃，保溫1~3小時；再升溫至1180~1350℃，保溫4~10小時；然后升溫至在1

本發明提供一種制備 N-甲基烏洛托品鹽的方法，將烏洛托品和質子酸生成的質子化烏洛托品鹽在適 宜條件下直接轉化成 N-甲基烏洛托品鹽。其原理為:烏洛托品質子化后生成含 N-H 鍵的叔胺陽離子; 陽離子的生成使與質子化氮原子相連的烏洛托品骨架上的亞甲基活化，繼之在適宜條件下發生斷鏈、轉 移和插入 N+-H 鍵的反應，最終生成 N-甲基烏洛托品陽離子，在這種亞甲基轉移反應中，陰離子一般不 參與反應。該制備方法不用其它甲基化試劑，涉及化學

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