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低成本非真空銅銦硒（CIGS）薄膜太陽電池制造技術(shù)
CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計可達(dá)到0.3$/W。 本項目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導(dǎo)體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構(gòu)成淺埋式 p-n 結(jié)。太陽光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結(jié)的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預(yù)置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學(xué)水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導(dǎo)電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積，等。
南開大學(xué)
2021-02-01
低成本非真空銅銦硒（CIGS）薄膜太陽電池制造技術(shù)
CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特 點，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計可達(dá)到 0.3$/W。 本項目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導(dǎo)體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層 CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構(gòu)成淺埋式 p-n 結(jié)。太陽光照射在電池 上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結(jié)的自建電場分離，從而輸出電能。工藝 流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法分步電沉積CuIn-Ga 金屬預(yù)置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學(xué)水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導(dǎo)電膜的濺射沉積→ Ni/Al 電極沉積，等。
南開大學(xué)
2021-04-11
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CDTE薄膜的表面腐蝕及用此法制備CDTE太陽電池
CdTe薄膜的表面腐蝕及用此法制備CdTe太陽電池，屬于半導(dǎo)體器件加工領(lǐng)域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去離子水的混合液作為腐蝕液，其中，NaAc作為緩沖劑，以保持溶液的pH值不變，使反應(yīng)更穩(wěn)定，通過CdTe和硝酸發(fā)生反應(yīng)生成富碲層；清洗吹干后，沉積含Cu或不含Cu背接觸層，最后沉積背電極以制備CdTe太陽電池。沉積背接觸材料，可增加pn結(jié)附近的載流子濃度，降低肖特基勢壘高度，避免直接沉積Cu形成比較復(fù)雜的CuxTe結(jié)構(gòu)。采用這種方法腐蝕并制備CdTe太陽電池，可顯著提高太陽電池的性能，并保證器件性能的穩(wěn)定性和重復(fù)性。
四川大學(xué)
2021-04-11
兩步法退火制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的方法
一種兩步法退火制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的方法，工藝步驟包括制備過渡層、制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜、鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理；鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理是將鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜放入退火爐內(nèi)，在氧氣流中以40℃/秒的升溫速率升溫至800℃～850℃后即刻停止加熱，使其隨爐冷卻至500℃～600℃保溫3分鐘～5分鐘，然后隨爐冷卻至室溫。采用上述方法制備的鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜鈣鈦礦相純度可達(dá)100％，結(jié)晶性能好，表面均方根粗糙度較低，而且還具有剩余極化強(qiáng)度高和高度擇優(yōu)取向的特點。
四川大學(xué)
2021-04-11
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一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法
本發(fā)明提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括：（1）準(zhǔn)備可彎曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡膠基板表面涂覆粘合劑；（3）在所述基板上沉積柵極；（4）在經(jīng)步驟（3）處理后的器件上沉積有機(jī)介電層單元；（5）在所述有機(jī)介電層單元上分別沉積源極單元層和漏極單元層；（6）基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進(jìn)行熱處理，以消除界面應(yīng)力和器件的壓應(yīng)力；（7）沉積有機(jī)半導(dǎo)體層單元。本方法通過一種機(jī)械拉伸基板的方法減小器件的溝道寬度，有效提高了制造精度，提升了柔性電子器件的分辨
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法
本發(fā)明屬于納米薄膜材料制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法，利用電子束沉積鍍膜技術(shù)和納米膜卷曲技術(shù)，先制備單質(zhì)Fe的納米膜卷曲管結(jié)構(gòu)，然后在空氣氣氛下退火得到Fe2O3納米膜卷曲管；其制備工藝簡單，操作方便，原理科學(xué)，無污染，環(huán)境友好，能夠有效控制卷曲管的管壁厚度，制備的納米膜卷曲管長度能達(dá)到幾百微米。本發(fā)明在新能源、氣敏、催化、等領(lǐng)域具有重要用途。
青島大學(xué)
2021-04-13
一種基于金屬納尖陣電極的電調(diào)透射光薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬納尖陣電極的電調(diào)透射光薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納尖高密度排布構(gòu)成的一層納米厚度的金屬納尖陣陰極和一層納米厚度的平面陽極，該陽極由透光的納米厚度的金屬氧化物導(dǎo)電膜制成，陰陽電極間填充有由納米厚度的透明光學(xué)介質(zhì)材料制成的電隔離膜；在加電態(tài)下，金屬納尖陣陰極上可自由移動的電子被電極間所激勵的電場驅(qū)控，向納尖頂聚集，納尖底部及相鄰尖端間的平坦區(qū)域上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)自由電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種雙路電控納線簇電極的電調(diào)光透射薄膜
本發(fā)明公開了一種雙路電控納線簇電極的電調(diào)光透射薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納線簇高密度排布構(gòu)成的圖案化公共電極以及分布在其上端和下端的頂面陰極和底面金屬納膜陰極，頂面陰極和圖案化公共電極均由透光的納米厚度的同材質(zhì)膜制成，底面金屬納膜陰極由納米厚度的金屬膜制成；頂面陰極和圖案化公共電極以及圖案化公共電極與底面金屬納膜陰極間均填充有納米厚度的同材質(zhì)光學(xué)介質(zhì)材料。本發(fā)明雙路電控納線簇電極的電調(diào)光透射薄膜，可對入射光
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種同時制備石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法
本發(fā)明公開了一種同時制備石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法，包括 S1 對金屬鎳片襯底進(jìn)行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2向管式爐中通入惰性氣體；S3 對管式爐進(jìn)行升溫處理使其達(dá)到750℃～1000℃并保持 10 分鐘～50 分鐘，向管式爐中通入氫氣，并對金屬鎳片襯底進(jìn)行熱處理；S4 向管式爐中通入流量為 20sccm～100sccm 的碳?xì)浠衔铮沟媒?jīng)過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳?xì)浠衔锪呀庖约版嚻芴己笸瑫r生長石墨烯和非晶碳薄膜；S5 對管式爐進(jìn)行降溫處理，并將生長有石墨烯和非晶碳薄膜的鎳片
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜的制備方法
本發(fā)明公開了一種自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜的制備方法，包括下述步驟：S1：對金屬鎳片襯底進(jìn)行超聲清洗，并烘干后放置于管式爐中；S2：向所述管式爐中通入惰性氣體；S3：對所述管式爐進(jìn)行升溫處理使其達(dá)到 600℃-720℃，向所述管式爐中通入氫氣，并對所述金屬鎳片襯底進(jìn)行熱處理；S4：向所述管式爐中通入碳?xì)浠衔铮沟媒?jīng)過熱處理后的金屬鎳片襯底催化碳?xì)浠衔锪呀夂笊L非晶碳薄膜；S5：對所述管式爐進(jìn)行降溫處理，并將生長有非晶碳薄膜的鎳片浸泡在腐蝕液中腐蝕掉襯底鎳片后獲得自支撐類石墨多孔非晶碳薄膜。采用本
華中科技大學(xué)
2021-04-14