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關鍵工序生產(chǎn)的自動化 ① 粉碎（雷蒙磨）自動控制系統(tǒng)的研發(fā)   研制可對粉碎車間雷蒙磨振動下料、粉碎、氣流粗分工況進行實時監(jiān)測、自動優(yōu)化控制的自動監(jiān)控系統(tǒng)。將雷蒙磨因堵塞停機造成的故障次數(shù)比現(xiàn)階段減少75%，且提高工效15%以上。    ② 氣流分級自動控制系統(tǒng)的研發(fā)   研制氣流分級機用自動控制系統(tǒng)，具備以下功能：可根據(jù)分級輪主機負載實時自動調節(jié)喂料速度、根據(jù)所設定的風壓值自動調整變頻器運行、根據(jù)生產(chǎn)工藝要求自動向企業(yè)綜合信息平臺實時發(fā)送生產(chǎn)工況參數(shù)。    ③ 提純工序實時檢測與信息管理系統(tǒng)的研發(fā)   開發(fā)可對提純缸、脫水機、烘干爐等主要設備工況進行實時監(jiān)控的智能化監(jiān)控儀設備。    ④ 水力分級自動控制系統(tǒng)的研發(fā)   研發(fā)水力分級設備用自動控制系統(tǒng)，可根據(jù)工藝曲線要求自動控制水流量。采用水泵變頻控制，變常規(guī)的高低液位控制為恒液位控制，液位控制精度達到0.3%；研制出料自動切換裝置，實現(xiàn)出料無人值守。 ⑤ SiC冶煉爐在線自動測控裝置的研發(fā)   研制SiC冶煉爐在線自動測控裝置，可按冶煉工藝和爐溫自動進行恒功率綜合優(yōu)化控制，爐溫控制精度達到2.5級。成果已在工廠正常運行3年。獲得4項發(fā)明專利授權，5項軟件著作權授權 雷蒙磨粉碎自動檢測方法及裝置                   專利號：ZL200810020792.3 一種提高碳化硅微粉水溢流分級效率的精密控制方法 專利號：ZL200910035173.6 一種燃煤鍋爐能效監(jiān)測方法                      專利號：ZL201110091483.7 陣列式LED照明燈具的中心區(qū)域溫度動態(tài)控制方法  專利號：ZL201210356239.3 一種經(jīng)濟型燃煤鍋爐能效監(jiān)測系統(tǒng)及方法           專利號：ZL201110292517.9 一種低冗余度高可靠性船舶發(fā)電機組智能測速裝置 專利號：ZL201110058228.2一種手機可遙控的總線型區(qū)域供熱計量管理系統(tǒng) 專利號：ZL201010134495.9

簡介：本發(fā)明公開一種氧化鎂模板協(xié)同氫氧化鉀活化制備多孔炭材料的方法，屬于炭材料與微波化學技術領域。該方法是以煤瀝青為碳源，納米氧化鎂為模板，氫氧化鉀為活化劑，三者研磨后的混合物轉移至剛玉坩堝中，置于微波反應器內進行一步微波加熱活化，制得電化學電容器用多孔炭材料，所得多孔炭材料比表面積介于439-1394m2/g之間，總孔容介于0.23-0.94cm3/g之間，平均孔徑介于1.95-3.36nm之間，非微孔孔容占總孔容的比例介于26.1-86.2%之間，多孔炭產(chǎn)率介于37.8-84.9%之間。本發(fā)明方法具有快速和節(jié)能的優(yōu)點，制得的多孔炭作為電化學電容器電極材料，具有很好的穩(wěn)定性和優(yōu)異的綜合性能。

簡介：本發(fā)明提供一種電化學電容器用中孔炭材料的制備方法，屬于炭材料與微波化學技術領域。該方法以花生殼為碳源，氯化鋅或磷酸為活化劑，通過微波輔助加熱活化花生殼一步制備中孔炭材料，所制得的中孔炭材料比表面積介于1307－1552m2/g之間，總孔容介于0.67－1.83cm3/g之間，平均孔徑介于2.06-5.02nm之間，非微孔孔容占總孔容的比例介于62.7-99.2%之間，產(chǎn)率介于32.3－44.9%之間。本發(fā)明中碳源是可再生的農(nóng)業(yè)廢棄物，具有廉價、易得的特點，微波加熱具有均勻、快速、節(jié)能的優(yōu)點，所制得的中孔炭作為電化學電容器電極材料，具有良好的穩(wěn)定性和優(yōu)異的綜合性能。

本發(fā)明涉及一種鈮酸鹽彈性應力發(fā)光材料及其制備方法，本發(fā)明的優(yōu)點在于：(1) 材料制備方法簡單、易操作、設備要求低；(2) 制備的材料具有強的彈性應力發(fā)光，在黑暗環(huán)境下肉眼可直接觀測，并具有較好的耐熱性和耐水性，可加工性好，應用范圍廣；(3) 材料的基體原料均為地球上的富含元素，屬于環(huán)境友好型材料。本發(fā)明的鈮酸鹽彈性應力發(fā)光材料，可廣泛應用于壓力傳感器、機械應力可視化、人造皮膚、智能蒙皮、自診斷系統(tǒng)、超精密器件加工，生物體、建筑物和機器的應力分布檢測、城市建筑物防災以及減災系統(tǒng)、預測地震產(chǎn)生、檢測飛機和汽車的損害、研究人體疾病等。

本實用新型公開了一種填充高溫相變材料的自熱型重整制氫反應器。該自熱型重整制氫反應器從上至下依次由上表面設有甲醇水蒸氣重整反應物進口管和甲醇催化燃燒反應物進口管的上蓋板、石墨墊片、上蒸發(fā)板、石墨墊片、下蒸發(fā)板、石墨墊片、下表面填充有高溫相變材料的甲醇重整制氫吸熱板、密封板、石墨墊片、下表面填充有高溫相變材料的甲醇催化燃燒板、石墨墊片和下表面設有燃燒尾氣出口管和燃燒尾氣出口管的下蓋板層疊而成。本實用新型利用高溫相變材料的相變潛熱，有效提高自熱反應器的熱穩(wěn)定性，減少反應器內部的溫度梯度與反應器工作時的溫度波動，抑制由反應器過熱造成的催化劑活性下降與脫落，提高反應器的熱效率與甲醇轉換率。

發(fā)明了一種新層狀結構復合材料，由其制造鋅液內加熱器的外套管材料解決了耐腐蝕和機械性能一統(tǒng)的材料難題。因此，由此材料制造的新型鋅液內加熱器可以解決所有尺寸鋅鍋的內加熱問題。配以陶瓷鋅鍋就可以徹底解決傳統(tǒng)鐵制鋅鍋的壽命短，鋅渣多，鍍鋅質量不好的問題。資金需求： 配合生產(chǎn)線的關鍵設備，投資建廠，興建年100萬千瓦能力的裝備，投資2億元。產(chǎn)值10億元，利潤5億元。可出讓的股份比例：是

本發(fā)明涉及半導體復合材料的制備，旨在提供一種球狀微米二氧化錫負載微米、納米銀顆粒材料的制備方法。包括：將質量NaOH溶液加入SnCl4·5H2O溶液中進行水熱反應，反應產(chǎn)物離心分離，并以去離子水和乙醇洗滌，烘干，即得到球狀微米二氧化錫；將球狀微米二氧化錫加入至AgNO3水溶液中，以銀材質的陰極和陽極插入至混合物中進行電鍍；電鍍時，傾斜電鍍容器并使其沿中心軸旋轉，讓混合物保持攪動狀態(tài)；混合物抽濾棄濾液，抽濾產(chǎn)物烘干，即得到最終產(chǎn)物。本發(fā)明采用電鍍技術提高球狀微米二氧化錫的功能性質并且擴大其應用范圍；該復合材料中，微米、納米銀顆粒均勻地負載于球狀微米二氧化錫上，銀顆粒的粒徑可控，分散度高，能夠節(jié)約材料，可應用于電接觸材料領域。

通過溶劑熱方法，成功制備出一種層間距寬化并富有缺陷的1T-VS 2 納米片，展現(xiàn)出優(yōu)異的電催化析氫性能。由于有機溶劑分子以及在反應過程中產(chǎn)生的銨離子等的插層作用，該溶劑熱法制備出的VS 2 納米片層間距寬化至1.0 nm，比塊體VS 2 材料的層間距（0.575 nm）增加了74%。層間距的寬化引起晶格的畸變而引入眾多的缺陷，豐富的缺陷賦予VS 2 納米片更多的活性位點，層間距的寬化還進一步改變了VS 2 材料的電子結構，從而使得該VS 2 納米片具有更加優(yōu)化的氫吸附自由能（? G H ）。HER測試結果表明，該VS 2 納米片呈現(xiàn)出優(yōu)異的電催化性能，具有較小的塔菲爾斜率（36 mV dec ?1 ）、具有較低的過電位（-43 mV@10 mA cm ?2 ）和良好的穩(wěn)定性（60 h）。此外，通過第一性原理計算的結果表明，層間距寬化的VS 2 具有更優(yōu)化的? G H （-0.044 eV），媲美貴金屬Pt(如圖3 ). 。并且，層間距的寬化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。這里，理論計算結果和實驗相一致，較好地證明了通過層間距和缺陷的精細調控，可以有效提升二維材料的電催化析氫反應活性, 揭示了層間距和缺陷結構調控對提升電催化析氫的基本原理。此項研究工作為層狀二維材料的晶體和缺陷結構精準調控研究提供了新思路，為開發(fā)高性能電催化析氫材料研究打開了一扇新窗戶。

一種高熵合金顆粒增強鋁基復合材料及其制備方法，屬于復合 材料制備領域，解決現(xiàn)有金屬基增強相所存在的自身脆性以及燒結溫 度受限，影響材料致密化，難以實現(xiàn)復合材料強度和塑性同時提高的 問題。本發(fā)明的鋁基復合材料，由基體相與增強相通過球磨混合及燒 結成型構成，基體相鋁和增強相高熵合金顆粒 AlCoCrFeNiTi0.5 的體 積比為 1∶4～1∶9。所述高熵合金顆粒增強鋁基復合材料的制備方法， 包括制備高熵合金鑄錠步驟、制備高熵合金粉末步驟、制備復合粉末 步驟和燒結成型步驟。本發(fā)明工藝簡單、能耗和成本均比較低、易于 在生產(chǎn)中實現(xiàn)，所制備的高熵合金顆粒增強鋁基復合材料的拉伸強度 提高了 32.4～90.1％，延伸率提高了 29.6～52.0％，提高了鋁基復合材 料的綜合性能。

通過精細調控Ge2+離子前驅體溶液與已制備的錫納米顆粒反應，合成帶隙可調的半導體錫鍺合金納米晶（0.51 eV至0.71 eV）。使用的錫納米晶模板可以大大降低反應的成核、結晶和生長的反應能壘。與以前報道的反應溫度（約300 ℃）相比，課題組的方法可以在較低的溫度下（60-180 ℃）得到錫鍺合金納米晶。課題組深入闡明了從錫到錫鍺合金納米晶的相變機理，清晰揭示了從不均勻核殼結構到均勻合金結構的演變過程。