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雄激素受體(androgen receptor，AR)被認(rèn)為在前列腺癌的發(fā)生、發(fā)展和轉(zhuǎn)移中起到關(guān)鍵作用。因此，雄激素撤除療法(androgendeprivation therapy)成為治療晚期前列腺癌的最常用和有效的方法。但是在治療的兩到三年內(nèi)，大部分晚期前列腺癌就會發(fā)展成去勢抵抗性前列腺癌(CRPC)。對于 CRPC 目前缺乏有效治療手段，成為前列腺癌治療中最為棘手的問題。在雄激素撤除環(huán)境下，AR 的再激活存在多種途徑，主要包括病灶部位雄激素的合成、AR 的基因突變、倍增和可變剪切以及 AR 共

一種局部自適應(yīng)可控浸潤性耦合微結(jié)構(gòu)強化沸騰換熱方法具體為：在換熱基底微結(jié)構(gòu)頂部設(shè)置電極膜，電極膜與金屬電極連接至電源形成電場，換熱工質(zhì)中帶電金屬納米顆粒在電場作用下間歇吸附于換熱表面，實現(xiàn)換熱表面浸潤性的可控轉(zhuǎn)換；所述金屬電極固定在換熱基底外部；金屬電極優(yōu)選為銅電極、鋁電極，形狀優(yōu)選為板狀、網(wǎng)狀或棒狀。 所述換熱基底材料為金屬如紫銅或單晶硅、藍(lán)寶石、石墨烯等非金屬，可以理解的是，換熱領(lǐng)域常用的換熱材料均適用于本發(fā)明，優(yōu)選導(dǎo)熱性良好的基底材料。換熱基底形狀為平板、圓管或異形，其中異形為換熱領(lǐng)域常見換熱器形狀。所述換熱基底微結(jié)構(gòu)為尺寸為納米級或微米級的微柱、微坑或微槽道；可以理解的是，現(xiàn)有技術(shù)中，所有用于提高換熱效率的微結(jié)構(gòu)均適用于本發(fā)明，優(yōu)選為納米級或微米級的方形微柱、矩形微柱、半球形微坑或圓柱形微坑。所述換熱基底微結(jié)構(gòu)的排列方式為規(guī)則排列如陣列式、交錯式排列，或為不規(guī)則排列。所述電極膜通過電極引線引出，以將電極膜連通并連接至電源；換熱基底、電極膜、電極引線的表面均絕緣。所述表面絕緣可以通過在表面設(shè)置絕緣層實現(xiàn)，所述絕緣層厚度為百納米級。其中，換熱基底材料為單晶硅等非導(dǎo)電材料時，則無需設(shè)置絕緣層。所述絕緣層材料為惰性金屬、金屬氧化物、陶瓷或硅膠；優(yōu)選導(dǎo)熱性優(yōu)良的絕緣材料，可以通過摻雜導(dǎo)熱性優(yōu)良材料的方式來提高絕緣材料導(dǎo)熱性。所述電極膜、電極引線材料為導(dǎo)電材料；優(yōu)選為金屬，進(jìn)一步優(yōu)選為金、銀、銅或鋁。 所述電極膜厚度為百納米級。所述帶電金屬納米顆粒具有均勻親水性表面、均勻疏水性表面或雙親浸潤性表面；親水、疏水或雙親浸潤性表面通過改性獲得；帶電金屬納米顆粒尺度為納米級、微米級，形狀規(guī)則或不規(guī)則，優(yōu)選為球形或柱形。所述帶電金屬納米顆粒浸潤性與換熱基底的浸潤性不同，用于改變換熱表面浸潤性。如換熱基底表面為親水（或疏水），帶電金屬納米顆粒表面為疏水（或親水），也可以具有雙親浸潤性。所述電源為直流電源或交流電源；其中直流電源通過通、斷電實現(xiàn)電場可控；交流電源通過控制交流頻率實現(xiàn)電場可控，交流頻率根據(jù)沸騰氣泡動力學(xué)周期調(diào)節(jié)。

目前在中壓直流配電網(wǎng)領(lǐng)域研究的大容量直流開斷設(shè)備，需考慮體積、成本等問題。該成果適用于中壓直流配電網(wǎng)領(lǐng)域，特別是涉及一種適用于中壓直流斷路器的電流轉(zhuǎn)移電路及方法，基于混合式直流斷路器，提供一種適用于中壓場合的電流轉(zhuǎn)移電路及方法，通過配置輔助換流單元，對儲能電容器預(yù)先充以適量電壓，實現(xiàn)對故障電流的轉(zhuǎn)移，滿足中壓直流配電網(wǎng)對故障快速切除需求。 該成果提出一種中壓混合式直流斷路器電流轉(zhuǎn)移電路及方法，使故障電流轉(zhuǎn)移與關(guān)斷功能集成化，又能兼顧中壓直流配網(wǎng)對斷路器設(shè)備的體積、成本以及工作可靠性等要求，對擴大直流斷路器的應(yīng)用范圍具有重要工程意義。

本發(fā)明公開一種低合金高強鋼制品的節(jié)約型免回火強韌化工藝方法，包含鋼材冶煉及成型、高溫加熱和保溫和冷卻及等溫處理工藝三個步驟，本工藝方法適用于C-Mn系低合金高強鋼。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種工藝簡單、適宜大規(guī)模生產(chǎn)且具有良好強韌性配合的低合金高強鋼制品的制備工藝，其特點在于從高溫下的控制冷卻和中斷冷卻并在冷卻終止溫度下進(jìn)行保溫的強韌化制造工藝。相對于傳統(tǒng)的淬火回火工藝，該工藝簡化了淬火獲得馬氏體和馬氏體+貝氏體復(fù)相組織，然后再進(jìn)行回火處理的工藝，相對Q-P-T工藝而言，本工藝具有更適宜于規(guī)模化生產(chǎn)的可操作性，簡化了由P工藝立即升溫到T工藝的過程，使生產(chǎn)更容易操作。

一種高速鐵路CRTS-II型板式無砟軌道橋臺水平位移測試方法，其步驟為：a)測試端刺水平位移，b)測試摩擦板水平變形，c)測試相對于摩擦板的橋臺水平位移，d)測試溫度校正值，e)計算橋臺水平位移。溫度校正位移傳感器測試值實現(xiàn)了端刺與摩擦板上基準(zhǔn)桿端部連接的位移傳感器測試值的校正，該測量方法原理清晰、測量誤差小、精度高，滿足高速鐵路CRTS-II型板式無砟軌道橋臺水平位移的測試。

本發(fā)明公開了一種采用選擇性激光熔化快速成形技術(shù)制備高溫 鈦合金的方法，包括以下步驟：(1)按照鈦合金的名義化學(xué)成分中各元 素的質(zhì)量比例來配置各元素的粉末，隨后進(jìn)行真空感應(yīng)熔煉；(2)采用 氣霧化制粉法對熔煉形成的鈦合金進(jìn)行制粉；(3)建立零件三維模型， 并導(dǎo)入到選擇性激光熔化快速成形設(shè)備中；(4)將粉末置入到選擇性激 光熔化快速成形設(shè)備里，并在基板上進(jìn)行零件成形；(5)采用線切割工 藝將成形的零件從基板上分離，再將零

本發(fā)明公開了一種無需可信第三方支持的云端數(shù)據(jù)安全刪除系 統(tǒng)與方法，系統(tǒng)包括分布式哈希表網(wǎng)絡(luò)，用于存放解密密鑰碎片、用 戶端，用于文件加密、解密和密鑰信息刪除，包括：文件加密模塊、 文件解密模塊、密鑰分發(fā)與重組模塊、本地密鑰信息模塊和文件刪除 模塊，文件加密和解密模塊用于對文件加解密，密鑰分發(fā)與重組模塊 用于對密鑰分片和重組，本地密鑰信息模塊用于存儲相關(guān)密鑰信息， 文件刪除模塊用于刪除密鑰信息；云端，提供數(shù)據(jù)服務(wù)器和密

本發(fā)明公開了一種基于阻尼轉(zhuǎn)矩分析的電力系統(tǒng)低頻振蕩源在 線定位方法。該方法首先通過在線測量裝置獲取系統(tǒng)發(fā)生低頻振蕩時 電磁轉(zhuǎn)矩、功角、角速度信號的動態(tài)響應(yīng)數(shù)據(jù)，對發(fā)電機組的電磁轉(zhuǎn) 矩信號以及其相對慣量中心的角速度、功角信號進(jìn)行模式分解，提取 發(fā)電機所在支路的主導(dǎo)振蕩模式，采用最小二乘擬合方法計算發(fā)電機 所在支路的主導(dǎo)振蕩模式的阻尼轉(zhuǎn)矩系數(shù)，接著根據(jù)阻尼轉(zhuǎn)矩系數(shù)判 定發(fā)電機是否為該振蕩模式的振蕩源。本發(fā)明提供的定位監(jiān)測方法能 夠準(zhǔn)確定位電力系統(tǒng)低頻振蕩發(fā)生源，通過振蕩源對其自身的控制能 夠有效地平息系

本發(fā)明公開一種產(chǎn)生寬譜帶可連續(xù)調(diào)諧相干極紫外光源的方法及裝置，所述方法為：產(chǎn)生飛秒激光光束,將激光光束聚焦于工作氣體處，在真空環(huán)境下所述激光光束與所述工作氣體相互作用產(chǎn)生高次諧波；調(diào)整所述激光光束的入射能量或所述工作氣體的氣壓，以改變高次諧波的相位匹配條件，使得高次諧波頻率發(fā)生紅移或藍(lán)移，從而實現(xiàn)極紫外光源各階次諧波輻射波長的連續(xù)調(diào)諧。本發(fā)明還提供了實現(xiàn)上述方法的裝置。實施本發(fā)明可實現(xiàn)極紫外光源各階次諧波輻射波長的連續(xù)調(diào)諧。

本發(fā)明提出一種五軸機床旋轉(zhuǎn)軸幾何誤差一次裝卡測量方法。 本發(fā)明通過分別測量兩條運動鏈理想位姿與實際位姿間的偏差，然后 基于機構(gòu)的空間誤差模型，反算出雙運動鏈上待標(biāo)定運動副的幾何誤 差值，能夠?qū)崿F(xiàn)單擺頭—單轉(zhuǎn)臺五軸聯(lián)動機床兩個旋轉(zhuǎn)軸共十二項幾 何誤差參數(shù)的一次裝卡連續(xù)測量，在保證測量精度的前提下，避免了測量儀器及試件的多次裝卡，提高了測量效率，填補了本領(lǐng)域的空白。 該方法可應(yīng)用于單擺頭—單轉(zhuǎn)臺結(jié)構(gòu)五軸聯(lián)動機床兩個旋轉(zhuǎn)軸幾何誤 差的測量。