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一種飛船高速通信處理器上行鏈路的測(cè)試系統(tǒng)及方法
本發(fā)明提供一種基于 IPOVERCCSDS 標(biāo)準(zhǔn)的新一代飛船高速通信處理器上行鏈路的地面測(cè)試系統(tǒng) 及方法，首先模擬產(chǎn)生地面測(cè)控中心需要發(fā)送至飛船的所有數(shù)據(jù)，包括視頻/話音數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)和遙控 數(shù)據(jù)；再將數(shù)據(jù)封裝成 CCSDS 數(shù)據(jù)包；將封裝好的 CCSDS 數(shù)據(jù)包先進(jìn)行信道編碼、加擾，然后根據(jù) 模擬數(shù)據(jù)產(chǎn)生速率生成填充數(shù)據(jù)，從而以恒定速率通過(guò) LVDS 接口將所有數(shù)據(jù)發(fā)送給飛船高速通信處理 器；最后通過(guò)對(duì)模擬數(shù)據(jù)和飛船高速通信處理器輸出數(shù)據(jù)的比
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種平抑風(fēng)電輸出功率波動(dòng)的混合儲(chǔ)能系統(tǒng)容量配置方法
本發(fā)明公開了一種平抑風(fēng)電輸出功率波動(dòng)的混合儲(chǔ)能系統(tǒng)容量配置方法，結(jié)合國(guó)家風(fēng)電并網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)采 用改進(jìn)的滑動(dòng)平均法提取風(fēng)電功率波動(dòng)分量，計(jì)及儲(chǔ)能設(shè)備的荷電狀態(tài)采用可變?yōu)V波時(shí)間常數(shù)的高通濾 波法分配波動(dòng)功率，可避免儲(chǔ)能設(shè)備的過(guò)充過(guò)放，最后以儲(chǔ)能設(shè)備全生命周期經(jīng)濟(jì)性最優(yōu)為目標(biāo)函數(shù)建 立容量配置模型，相比于傳統(tǒng)的僅考慮一次性初始投資的方法，更符合儲(chǔ)能系統(tǒng)長(zhǎng)期運(yùn)行的實(shí)際情況， 對(duì)實(shí)際工程建設(shè)具有指導(dǎo)意義
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種多點(diǎn)接觸模式下的大面積納米壓印硅模具加工方法
一種多點(diǎn)接觸模式下的大面積納米壓印硅模具加工方法，它將硅(100)單晶片置于多微球的多點(diǎn)接觸板垂直下方位置，再使硅片與多點(diǎn)接觸板兩者垂直相對(duì)運(yùn)動(dòng)至發(fā)生接觸，并達(dá)到一定接觸載荷F；使多點(diǎn)接觸板和硅片按照既定軌跡相對(duì)運(yùn)動(dòng)，進(jìn)行刻劃；刻劃后，將硅片放入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15～25％的KOH溶液中腐蝕一段分鐘，即可得到具有預(yù)先設(shè)定結(jié)構(gòu)的納米壓印硅模具。該方法在多點(diǎn)接觸模式下進(jìn)行，可以方便地控制所加工納米壓印硅模具的圖案、排列方式等；刻劃過(guò)程中硅片與多點(diǎn)接觸板始終保持平行狀態(tài)。該方法的設(shè)備和原材料成本低，操作簡(jiǎn)便、步驟簡(jiǎn)單，能一次性完成大面積的硅(100)單晶片納米壓印模具加工，具有明顯的低成本、高效率的特點(diǎn)。
西南交通大學(xué)
2016-10-20
一種提高四針狀氧化鋅晶須抗菌性能的方法
一種提高四針狀氧化鋅晶須抗菌性能的方法，其步驟是：A、將外觀為白色粉狀的四針狀氧化鋅晶須加入到酒石酸鉀鈉的水溶液中形成糊狀或懸濁液，攪拌10～30分鐘，所述的酒石酸鉀鈉和四針狀氧化鋅晶須的摩爾比為0.1～1∶100，；再在攪拌狀態(tài)下緩慢加入與酒石酸鉀鈉等摩爾量氯化銅的水溶液；之后，繼續(xù)攪拌30～60分鐘；最后，經(jīng)過(guò)濾、洗滌、烘干，得表面原位沉積有納米酒石酸銅的四針狀氧化鋅晶須復(fù)合物粉末；B、將復(fù)合物粉末在氫氣氣氛中升溫至270～300℃保溫15～60分鐘，冷卻至室溫，即得。該方法得到的粉末抗菌力強(qiáng)，4小時(shí)殺菌率為98.5％～99.9％；且成本低廉，使用中不變色、易于推廣。
西南交通大學(xué)
2016-10-20
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一種雙通道熒光光學(xué)顯微成像中基于圖像處理的自動(dòng)對(duì)焦方法
本發(fā)明公開了一種雙通道熒光光學(xué)顯微成像中基于圖像處理的自動(dòng)對(duì)焦方法，包括 S1 獲得生物組織樣本當(dāng)前冠狀面輪廓，并獲得三個(gè)對(duì)焦窗口位置；S2 對(duì)三個(gè)對(duì)焦窗口進(jìn)行掃描，并采集第 i 層生物組織樣本細(xì)胞構(gòu)筑通道的圖像；S3 判斷當(dāng)前層三個(gè)對(duì)焦窗口的圖像采集是否完成，若是，則 i＝i+1，并進(jìn)入 S4，若否，則返回 S2；S4 判斷·830·采集層數(shù) i 是否大于預(yù)設(shè)的閾值，若是，則進(jìn)入 S5，若否，則返回 S2；
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種超大長(zhǎng)徑比深孔類零件的金屬增材制造方法
本發(fā)明公開一種超大長(zhǎng)徑比深孔類零件的金屬增材制造方法， 首先通過(guò)金屬增材制造沉積一層金屬，然后銑削成平面，最后鉆孔加 工孔徑，形成“沉積金屬，銑削平面，鉆孔成形”的工藝過(guò)程。其特 點(diǎn)是在增材制造每層金屬的過(guò)程中進(jìn)行深孔的加工，變深孔加工為厚 度約 1～3mm 的淺孔加工，因而可以有效地解決直徑小到 1mm 的超大 長(zhǎng)徑比深孔無(wú)法加工的問(wèn)題，避免了傳統(tǒng)深孔加工中切削散熱難、刀 具易走偏等技術(shù)難題，制造成本較低，零件成形
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種移動(dòng)荷載下簡(jiǎn)支梁損傷和移動(dòng)力同時(shí)識(shí)別方法
本發(fā)明提出了一種移動(dòng)荷載下簡(jiǎn)支梁損傷和移動(dòng)力同時(shí)識(shí)別方 法：測(cè)量結(jié)構(gòu)在損傷狀態(tài)的加速度動(dòng)力響應(yīng)，以結(jié)構(gòu)的加速度響應(yīng)作 為結(jié)構(gòu)損傷和移動(dòng)力識(shí)別的動(dòng)力指標(biāo)；根據(jù)結(jié)構(gòu)的數(shù)值模型，將未知 移動(dòng)荷載采用切比雪夫多項(xiàng)式表示，并利用梁?jiǎn)卧魏瘮?shù)概念將移動(dòng) 荷載等效成單元節(jié)點(diǎn)力，分別計(jì)算結(jié)構(gòu)加速度響應(yīng)對(duì)損傷和移動(dòng)力參 數(shù)的靈敏度矩陣；結(jié)合敏感性分析結(jié)果，以結(jié)構(gòu)測(cè)量加速度響應(yīng)和計(jì) 算所得的有限元加速度響應(yīng)的差值作為目標(biāo)函數(shù)，采用一階泰勒展開 的識(shí)別方程逐步迭代同時(shí)識(shí)別出簡(jiǎn)支梁的損傷和移動(dòng)力。通過(guò)本發(fā)明 方法，能夠僅僅
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種機(jī)床錐配合固定結(jié)合部動(dòng)力學(xué)參數(shù)識(shí)別方法
本發(fā)明公開了一種機(jī)床錐配合固定結(jié)合部的動(dòng)力學(xué)建模及模型參數(shù)識(shí)別的方法，該方法建立了一種 32 節(jié)點(diǎn)的刀柄-主軸結(jié)合部動(dòng)力學(xué)模型，其中 1～8、9～16、17～24、25～32 均為等分點(diǎn)，錐配合結(jié)合部單元的運(yùn)動(dòng)則通過(guò) 1 點(diǎn)和 17 點(diǎn)、2 點(diǎn)和 18、3 點(diǎn)和 19 點(diǎn)、......16點(diǎn)和 32 點(diǎn)之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)體現(xiàn)出來(lái)。基于模態(tài)實(shí)驗(yàn)，本發(fā)明以頻響矩陣與阻抗矩陣的乘積是單位矩陣這一理論特性，將實(shí)驗(yàn)的頻響矩陣和有限元理論得到的子結(jié)構(gòu)的剛度矩陣、質(zhì)量矩陣相結(jié)合，通過(guò)初值試湊的方法，運(yùn)用非線性最小二乘
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于光纖電流傳感器的隧道超前探測(cè)裝置及其探測(cè)方法
本發(fā)明公開了一種基于光纖電流傳感器的隧道超前探測(cè)裝置及 探測(cè)方法，該系統(tǒng)由恒流源、電壓表、激光光源、光纖電流傳感器和 錨桿構(gòu)成。在全斷面隧道掘進(jìn)機(jī)(Tunnel-Boring-Machine，TBM)的掘進(jìn) 部分通以恒定的電流 I，分別在刀盤的后方和護(hù)盾的后方使用光纖纏繞 一圈，利用光纖電流傳感器可以獲知刀盤、護(hù)盾、TBM 后方保障裝備 上的電流大小，再進(jìn)一步測(cè)量護(hù)盾上的電壓計(jì)算地質(zhì)體的視電阻，來(lái) 判斷地質(zhì)體的含水量和巖石類別。與傳統(tǒng)隧道電流超前探測(cè)方法相比， 省去了大量的預(yù)絕緣工作。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適用于點(diǎn)型缺陷的磁軛式局部微磁化檢測(cè)裝置
本發(fā)明公開了一種適用于點(diǎn)型缺陷的磁軛式局部微磁化檢測(cè)裝 置，該裝置包括磁敏感元件部分，磁感應(yīng)部分以及磁軛式局部微磁化 部分，磁敏感元件部分包括磁敏感元件、引線端、磁引導(dǎo)芯和引導(dǎo)芯 套筒，磁引導(dǎo)芯下端采用圓錐形的結(jié)構(gòu)細(xì)化檢測(cè)區(qū)域，實(shí)現(xiàn)點(diǎn)型缺陷 的高分辨率檢測(cè)；磁感應(yīng)部分由繞制在引導(dǎo)芯套筒外側(cè)的磁感應(yīng)線圈 組成；由引導(dǎo)芯套筒支撐固定的磁軛式局部微磁化部分，包括環(huán)形導(dǎo) 磁構(gòu)件、磁鐵連接件、磁軛式雙磁鐵以及斜向雙導(dǎo)磁構(gòu)件，該部分將 磁場(chǎng)量導(dǎo)入待檢測(cè)金屬體內(nèi)，達(dá)到局部微磁化的效果，通過(guò)與磁引導(dǎo) 芯連接的磁敏感
華中科技大學(xué)
2021-04-14