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本發(fā)明公開(kāi)了一種有序結(jié)構(gòu)電鍍砂輪的制造方法。本發(fā)明采用脈沖激光束在金屬材質(zhì)的砂輪基體外圓周的工作面上加工出螺距為數(shù)百微米、槽口尺寸為數(shù)十微米的微細(xì)螺旋凹槽，采用環(huán)氧樹(shù)脂將凹槽填充，使得在砂輪基體外圓周工作面上金屬材質(zhì)和環(huán)氧樹(shù)脂呈螺旋規(guī)律間隔排布。然后采用電鍍的方法對(duì)砂輪基體外圓周工作面電鍍上磨粒，由于凹槽內(nèi)填充有不導(dǎo)電的環(huán)氧樹(shù)脂，所以在該區(qū)域無(wú)法電鍍上磨粒，通過(guò)以上步驟可以得到磨粒層與環(huán)氧樹(shù)脂呈螺旋規(guī)律有序排布的電鍍砂輪。本發(fā)明制備的有序結(jié)構(gòu)電鍍砂輪有利于解決磨削加工時(shí)砂輪容易堵塞、磨削液難以進(jìn)入

沙丙蝶呤（sapropterin dihydrochloride）是被不少國(guó)家批準(zhǔn)使用的藥物，用來(lái)治療非典型高苯丙氨酸血癥的唯一有效的治療藥物。鹽酸沙丙喋呤是生物體內(nèi)羥基化反應(yīng)和加氧酶中必須的輔酶，是一氧化氮合成酶（NOS）的最重要的輔酶；可限制苯丙氨酸在體內(nèi)的異常蓄積。鹽酸沙丙喋呤是由氫化還原下式L-赤型生物喋呤制備L-赤型生物喋呤是制備沙丙喋呤的關(guān)鍵中間體，在過(guò)去的30年里，關(guān)于此化合物的制備方法研究報(bào)道了很多，其中適合于工業(yè)生產(chǎn)的方法不多，而且其中的有些合成

天然電磁輻射測(cè)深技術(shù)的方法及其裝置，信號(hào)經(jīng)電場(chǎng)傳感器、前置放大器、后置放大器、雙平混頻器、中頻濾波器和檢波器傳輸給峰值檢測(cè)器和谷值檢測(cè)器通過(guò)峰值、谷值檢測(cè)器分別傳輸給減法器和加法器再傳輸給除法器得出所需數(shù)據(jù)；也可將信號(hào)直接輸入計(jì)算機(jī)中經(jīng)過(guò)Ａ／Ｄ轉(zhuǎn)換及計(jì)算得出所需數(shù)據(jù)。采用表頭指示方式輸出，免去了聽(tīng)覺(jué)記錄方法；減少結(jié)果中的主觀因素，測(cè)試結(jié)果更加準(zhǔn)確。當(dāng)利用計(jì)算技術(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)采集與處理時(shí)，可實(shí)現(xiàn)無(wú)人管理觀測(cè)并提供現(xiàn)場(chǎng)觀測(cè)記錄。 這項(xiàng)探測(cè)技術(shù)在性能上有三個(gè)主要特點(diǎn)： (1) 對(duì)巖層的巖性變化有較高的分辨能力. (2) 對(duì)不同巖層的分界面的深度有較高的分辨能力,最大驗(yàn)證探測(cè)深度大于7000米,對(duì)100米深度分界面的分辨能力優(yōu)于1米. (3) 對(duì)地下地質(zhì)情況的橫向變化有較高的分辨能力. 在使用方面具有下述主要特點(diǎn),即:探測(cè)儀器輕便易攜,少受地形限制;對(duì)工頻干擾有很強(qiáng)的抑制能力,可在大城市市區(qū)內(nèi)進(jìn)行探測(cè);由于利用天然電磁場(chǎng)源,不會(huì)因探測(cè)對(duì)探測(cè)對(duì)象帶來(lái)?yè)p害,對(duì)探區(qū)的生態(tài)環(huán)境無(wú)不良影響等。 本項(xiàng)探測(cè)技術(shù)適用于各種層狀地質(zhì)結(jié)構(gòu)的探測(cè)：如在地質(zhì)資源(石油、天然氣、水、熱田、煤油等)探測(cè);地質(zhì)結(jié)構(gòu)(工程建設(shè))勘測(cè);深部地質(zhì)研究,考古應(yīng)用以及山體滑坡等地質(zhì)災(zāi)害研究方面有廣泛用途。可以產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)效益。  

本發(fā)明公開(kāi)了一種制備管狀陶瓷坯體的方法，屬于陶瓷材料制 備領(lǐng)域，包括：S1 制備漿料；S2 將步驟 S1 中所述漿料置入試管狀的 成型模具中，接著對(duì)容置有漿料的成型模具進(jìn)行離心處理,以脫除所述 漿料中氣泡且使該漿料匯集到成型模具的底部；S3 封閉經(jīng)過(guò)步驟 S2 的所述成型模具頂部的開(kāi)口，接著將其倒置，以使該成型模具底部的 漿料在重力作用下沿該成型模具的內(nèi)壁流動(dòng)并均勻粘附在所述內(nèi)壁 上，從而獲得與成型模具形狀相同的濕坯體；S4 干燥所述濕坯體后進(jìn) 行脫模，獲得管狀陶瓷坯體。本發(fā)明方法簡(jiǎn)單、易操作、適用性強(qiáng)、 材料利用率高、成本低廉、成型的坯體表面光滑且內(nèi)部沒(méi)有大氣孔和 穿孔，并且坯體材質(zhì)細(xì)膩。

本發(fā)明公開(kāi)了一種測(cè)量 Seebeck 系數(shù)的裝置及其方法，其中該 裝置包括主/副加熱器、第一絕緣導(dǎo)熱體、第二絕緣導(dǎo)熱體、第一主/ 副探針、第二主/副探針、第一主/副熱電偶、第二主/副熱電偶，其中， 第一絕緣導(dǎo)熱體和第二絕緣導(dǎo)熱體均用于放置待測(cè)量樣品；第一主/副 探針和第二主/副探針用于測(cè)量待測(cè)量樣品的電位；第一主/副熱電偶和 第二主/副熱電偶用于測(cè)量待測(cè)量樣品的溫度。本發(fā)明中進(jìn)行測(cè)量的樣 品其形貌可靈活多樣，并且該裝

本發(fā)明公開(kāi)了一種微流控芯片的封裝方法，用于對(duì)具有微通道 結(jié)構(gòu)的微米級(jí)基片和與基片相固定連接的蓋片進(jìn)行封裝得到微流控芯 片，包括下述步驟，S1 根據(jù)微流控芯片上的圖案制備基片與蓋片；S2 根據(jù)微流控芯片上的圖案制備與其圖案相同的自蔓延多層膜；S3 分別 將進(jìn)行表面處理后的所述基片和所述蓋片層疊在所述自蔓延多層膜兩 側(cè)面以形成封裝結(jié)構(gòu)；S4 對(duì)所述封裝結(jié)構(gòu)施加壓力并引燃所述自蔓延 多層膜，燃燒引起材料融化實(shí)現(xiàn)所述基片和所

基于PEEC模型的高效多層建模計(jì)算方法 Litz Wire通常用于無(wú)線電能傳輸，電力電子轉(zhuǎn)化器等場(chǎng)合來(lái)減少其高頻渦流損耗。Litz Wire的復(fù)雜結(jié)構(gòu)導(dǎo)致許多商用電磁仿真軟件在計(jì)算時(shí)效率不高。目前比較流行的Litz Wire計(jì)算工具包是MIT研發(fā)的Fastlitz，相對(duì)電磁仿真軟件可以大幅提高計(jì)算效率，但是對(duì)于結(jié)構(gòu)復(fù)雜的Litz Wire效果仍然不好。課題組提出的一種全新的網(wǎng)格劃分方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種提高硬盤(pán)可靠性的方法，包括：獲取不同采 樣時(shí)刻硬盤(pán)陣列的參數(shù)，計(jì)算不同采樣時(shí)刻硬盤(pán)陣列的參數(shù)所對(duì)應(yīng)的 隸屬值，包括溫度、性能、運(yùn)行時(shí)間以及功耗，獲取硬盤(pán)溫度、性能、 運(yùn)行時(shí)間對(duì)應(yīng)的隸屬值的平均值 A、B、C 以及功耗對(duì)應(yīng)隸屬值的最小 值 D，獲取該硬盤(pán)陣列的聚合值 F=aA+bB+cC+dD，其中 a=0.1，b=0.2， c=0.3，d=0.4，改變磁盤(pán)陣列的大小，并重復(fù)上述步驟，以獲取不同大 小磁

本發(fā)明公開(kāi)了一種適于多層膜復(fù)合的控制方法，包括：輸入進(jìn)料輥的張力參考指令和復(fù)合輥的位移參考指令，并獲取它們包括當(dāng)前位置、位置偏差和張力狀態(tài)在內(nèi)的反饋信號(hào)；將復(fù)合輥的位置參考指令與其當(dāng)前位置值相比較作為實(shí)際位移指令，并實(shí)現(xiàn)位移閉環(huán)控制；基于復(fù)合輥實(shí)際位移指令，計(jì)算得出進(jìn)料輥的修正前位移參考指令；通過(guò)多種方式對(duì)該修正前位移參考指令予以修正處理，相應(yīng)實(shí)際位移指令并實(shí)現(xiàn)位移閉關(guān)控制；分別按照上述實(shí)際位移指令轉(zhuǎn)動(dòng)輥對(duì)，由此實(shí)現(xiàn)多層膜復(fù)合的同步運(yùn)動(dòng)控制過(guò)程。通過(guò)本發(fā)明，能夠顯著提高多層膜復(fù)合的定位效果，同時(shí)具備

基于SSVEP與OSP的混合腦-機(jī)接口方法，受試者穿戴好電極帽，將SSVEP-OSP混合范式通過(guò)計(jì)算機(jī)屏幕在受試者面前播放，受試者注視刺激單元中的任意一個(gè)，通過(guò)采集系統(tǒng)將受試者盯視刺激目標(biāo)時(shí)產(chǎn)生的腦電信號(hào)，經(jīng)腦電采集儀放大、濾波及模數(shù)轉(zhuǎn)換后，將數(shù)字化的腦電數(shù)據(jù)輸入計(jì)算機(jī)，然后采用基于典型相關(guān)分析的腦電信號(hào)特征提取方法對(duì)SSVEP特征實(shí)現(xiàn)提取及分類(lèi)識(shí)別