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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
數(shù)字交、直流演示電表(四位半)（J01402）
J01402型數(shù)字演示電表是一種具有多種測(cè)試功能的數(shù)字儀表，它適用物理、化學(xué)、無(wú)線電等教學(xué)演示實(shí)驗(yàn)用。本儀表采用前后（大、小）雙面顯示屏幕，能同時(shí)顯示被測(cè)量的數(shù)值，特別適用示教演示。操作者應(yīng)根據(jù)面板上刻度的功能及量程選擇進(jìn)行測(cè)量，并觀察結(jié)果。
主要技術(shù)性能:
1、???? 直流電壓測(cè)試：0～±2V、 0～±20V、 0～±200V、 0～±1000V四檔，誤差±1% 。
2、???? 交流電壓測(cè)試：0～2V、 0～20V、 0～200V、 0～700V四檔，誤差±2% 。
3、???? 直流電流測(cè)試：0～±2mA、 0～±20 mA、 0～±200 mA、 0～±2000 mA四檔，誤差±1.5% 。
4、???? 交流電流測(cè)試：0～2mA、 0～20 mA、 0～200 mA、 0～2000 mA四檔，誤差±2% 。
5、???? 檢流計(jì)測(cè)試：0～±2000μA（2mA檔）誤差±1.5% 。
6、???? 電阻測(cè)試：0～2kΩ、 0～20kΩ、 0～200kΩ、 0～2000kΩ四檔，誤差±1% 。
7、???? 電源：AC220V±22V ；50Hz；工作時(shí)間：連續(xù)4小時(shí)； 額定功耗：≤10W 。
8、???? 外型尺寸：276 mm×115 mm×298mm 。
儀表凈重：1.5㎏ 。?? 10、執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn): JY0001-2003; Q/HDB 001 -2010 。
杭州電表廠
2021-08-23
數(shù)字交、直流演示電表(四位半)（J01402）
J01402型數(shù)字演示電表是一種具有多種測(cè)試功能的數(shù)字儀表，它適用物理、化學(xué)、無(wú)線電等教學(xué)演示實(shí)驗(yàn)用。本儀表采用前后（大、小）雙面顯示屏幕，能同時(shí)顯示被測(cè)量的數(shù)值，特別適用示教演示。操作者應(yīng)根據(jù)面板上刻度的功能及量程選擇進(jìn)行測(cè)量，并觀察結(jié)果。
主要技術(shù)性能:
1、???? 直流電壓測(cè)試：0～±2V、 0～±20V、 0～±200V、 0～±1000V四檔，誤差±1% 。
2、???? 交流電壓測(cè)試：0～2V、 0～20V、 0～200V、 0～700V四檔，誤差±2% 。
3、???? 直流電流測(cè)試：0～±2mA、 0～±20 mA、 0～±200 mA、 0～±2000 mA四檔，誤差±1.5% 。
4、???? 交流電流測(cè)試：0～2mA、 0～20 mA、 0～200 mA、 0～2000 mA四檔，誤差±2% 。
5、???? 檢流計(jì)測(cè)試：0～±2000μA（2mA檔）誤差±1.5% 。
6、???? 電阻測(cè)試：0～2kΩ、 0～20kΩ、 0～200kΩ、 0～2000kΩ四檔，誤差±1% 。
7、???? 電源：AC220V±22V ；50Hz；工作時(shí)間：連續(xù)4小時(shí)； 額定功耗：≤10W 。
8、???? 外型尺寸：276 mm×115 mm×298mm 。
儀表凈重：1.5㎏ 。?? 10、執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn): JY0001-2003; Q/HDB 001 -2010 。
杭州電表廠
2021-08-23
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在原子核殼演化研究上的新進(jìn)展
雙幻核132Sn（Z=50，N=82）附近由于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)缺乏，人們對(duì)該區(qū)域殼結(jié)構(gòu)是否會(huì)發(fā)生變化一直存在著爭(zhēng)論。因此，實(shí)驗(yàn)上進(jìn)一步研究該區(qū)域的殼演化特征，探討殼演化內(nèi)在機(jī)制是一個(gè)非常重要而有趣的課題，對(duì)理解核天體物理中的快中子俘獲過(guò)程也有重要意義。圖1. 奇質(zhì)量Ag同位素第一個(gè)1/2-態(tài)和9/2+態(tài) 圖2. (a) 理論計(jì)算的質(zhì)子有效單粒子能能級(jí)差的系統(tǒng)性演化 曲線。(b) 中子在h11/2軌道的占據(jù) 近期，核物理與核技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的李智煥、華輝課題組和合作者在日本理化學(xué)研究所開(kāi)展了對(duì)123Pd和125Pd核的β衰變實(shí)驗(yàn)研究，首次在衰變子核123Ag和125Ag 的低激發(fā)能區(qū)發(fā)現(xiàn)了具有β放射性的同核異能態(tài)。利用新發(fā)現(xiàn)的同核異能態(tài)，討論了奇質(zhì)量Ag同位素中由πg(shù)9/2 和 πp1/2兩個(gè)軌道形成的Z=40次閉殼能隙在N=82附近的演化（見(jiàn)圖1）。研究表明在N=82處，Z=40次閉殼能隙可能存在明顯的減小。為了進(jìn)一步了解殼演化的微觀機(jī)制，使用包含了張量力的殼模型計(jì)算了這個(gè)質(zhì)量區(qū)單粒子軌道的演化，結(jié)果顯示相比于N=50處，Z=40次閉殼能隙在N =82處存在明顯的減小，張量力對(duì) Ag 同位素中πg(shù)9/2 和 πp1/2 軌道以及 Z=40 次閉殼能隙在接近 N=82 時(shí)的演化起到非常重要的作用（見(jiàn)圖2）。
北京大學(xué)
2021-04-11
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ZnO@ZIF-8核殼結(jié)構(gòu)微球及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種ZnO@ZIF-8核殼結(jié)構(gòu)微球及其制備方法。微球由ZnO和ZIF-8組成核殼結(jié)構(gòu)微球，其中，核為ZnO、殼為ZIF-8，球狀ZnO核的直徑為250～300nm、表面為粗糙面，ZIF-8殼厚為40～60nm，其由塊狀多面體構(gòu)成，微球的比表面積≥300m2/g；方法為先按照重量比為3.5～7.5：250的比例，將兩水合醋酸鋅加入二乙二醇中，并于140～180°C下回流至少1h，得到反應(yīng)液，再待反應(yīng)液冷卻至室溫后，對(duì)其依次進(jìn)行固液分離、洗滌和干燥的處理，得到球狀ZnO，接著，按照重量比為0
安徽建筑大學(xué)
2021-01-12
核殼結(jié)構(gòu)NiO-CdS同軸納米纖維及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了核殼結(jié)構(gòu)NiO-CdS同軸納米纖維及其制備方法。以醋酸鎳、草酸銨和三乙胺為反應(yīng)原料，水浴反應(yīng)后，收集含鎳沉淀物，煅燒獲得NiO納米粉。稱取0.1gNiO，加入到30mL含一定量醋酸鎘水溶液中，超聲分散10～20分鐘，得分散液A；稱取1mmol硫脲，加入30mL去離子水，滴加0.1mL乙二胺，溶解得溶液B；將溶液B加入到分散液A中，磁力攪拌12小時(shí)后，置于家用微波爐中，低火加熱30分鐘；反應(yīng)結(jié)束后，趁熱過(guò)濾沉淀物，即得本發(fā)明的核殼結(jié)構(gòu)NiO-CdS同軸納米纖維。核殼結(jié)構(gòu)NiO-CdS同軸納
安徽建筑大學(xué)
2021-01-12
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一種核殼結(jié)構(gòu)合金納米顆粒的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種核殼型合金納米顆粒的制備方法。該方法包括：使用有機(jī)硅烷偶聯(lián)劑在氧化物基底表面生長(zhǎng)出自組裝單分子層。隨后在生長(zhǎng)有自組裝單分子層的基底表面通過(guò)原子層沉積生長(zhǎng)一種金屬核心，接著在金屬核心上通過(guò)原子層沉積選擇性地生長(zhǎng)另一種包覆核心的金屬殼層。該方法可以通過(guò)調(diào)節(jié)原子層沉積的生長(zhǎng)循環(huán)次數(shù)控制核心尺寸與殼層厚度，以及核與殼的合金成分比例。按照本發(fā)明使用的基底改性方法實(shí)現(xiàn)核殼結(jié)構(gòu)合金顆粒的制備，由于采用了原子層沉積的工藝，因此對(duì)于生長(zhǎng)的核殼結(jié)構(gòu)合金顆粒能夠達(dá)到納米級(jí)的可控性。并且基于基底改性的方法對(duì)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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核安全殼高分辨率影像采集系統(tǒng)
本發(fā)明提供一種核安全殼高分辨率影像采集系統(tǒng)，包括移動(dòng)平臺(tái)、采集平臺(tái)和控制中心，所述移動(dòng) 平臺(tái)包括框架，用于控制采集平臺(tái)豎直位置并擔(dān)負(fù)配重的電機(jī)總成，用于控制采集平臺(tái)距離安全殼殼壁 距離的推拉桿裝置，安裝于框架底部用于控制采集平臺(tái)及移動(dòng)平臺(tái)水平位置的軌道輪，控制箱，無(wú)線網(wǎng) 橋，以及用于采集平臺(tái)上下移動(dòng)限制控制的軌道繩；所述采集平臺(tái)包括框架，固定在框架兩側(cè)用于沿著 安全殼壁采集照片的相機(jī)，固定在框架中間位置的集控箱，固定在框架上沿的光控照明燈，以及
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種核殼結(jié)構(gòu)合金納米顆粒的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種核殼型合金納米顆粒的制備方法。該方法包 括：使用有機(jī)硅烷偶聯(lián)劑在氧化物基底表面生長(zhǎng)出自組裝單分子層。 隨后在生長(zhǎng)有自組裝單分子層的基底表面通過(guò)原子層沉積生長(zhǎng)一種金 屬核心，接著在金屬核心上通過(guò)原子層沉積選擇性地生長(zhǎng)另一種包覆 核心的金屬殼層。該方法可以通過(guò)調(diào)節(jié)原子層沉積的生長(zhǎng)循環(huán)次數(shù)控 制核心尺寸與殼層厚度，以及核與殼的合金成分比例。按照本發(fā)明使 用的基底改性方法實(shí)現(xiàn)核殼結(jié)構(gòu)合金顆粒的制備，由于采用了原子層 沉積的工藝，因此對(duì)于生長(zhǎng)的核殼結(jié)構(gòu)合金顆粒能夠達(dá)到納米級(jí)的可 控性。并且基于
華中科技大學(xué)
2021-04-14
巖心滲透率 5MHz核磁巖心分析儀
產(chǎn)品詳細(xì)介紹產(chǎn)品簡(jiǎn)介： MicroMR系列5MHz核磁巖心分析儀是經(jīng)典的巖心分析設(shè)備，主要用于常規(guī)巖心的孔滲飽測(cè)試，該產(chǎn)品專為不同特性巖樣的檢測(cè)需求而精心研制，為石油巖心測(cè)試領(lǐng)域提供最專業(yè)最匹配的分析解決方案。 5MHz核磁共振巖心分析儀，可滿足石油勘探領(lǐng)域的孔隙度、滲透率、飽和度、可動(dòng)流體飽和度、束縛流體飽和度等相關(guān)分析測(cè)試，測(cè)量結(jié)果客觀真實(shí)、精準(zhǔn)度高、重復(fù)性好，儀器性能穩(wěn)定，性價(jià)比高。技術(shù)指標(biāo)：1、磁體類(lèi)型：永磁體；2、磁場(chǎng)強(qiáng)度：0.12±0.02T，儀器主頻率：5MHz；3、探頭線圈直徑：25.4mm；應(yīng)用解決方案：標(biāo)準(zhǔn)巖心孔隙結(jié)構(gòu)及流體飽和度；；應(yīng)用案例一：玻璃珠孔隙模型測(cè)試（不同飽和度下T2弛豫圖譜分析）應(yīng)用案例二：核磁共振T2圖譜與巖樣孔喉分布注：儀器外觀如有變動(dòng)，以產(chǎn)品技術(shù)資料為準(zhǔn)。
上海紐邁電子科技有限公司
2021-08-23
腦、腦干水平切、腦神經(jīng)核立體關(guān)系電動(dòng)模型
XM-D022腦、腦干水平切、腦神經(jīng)核立體關(guān)系電動(dòng)模型
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XM-D022腦、腦干水平切、腦神經(jīng)核立體關(guān)系電動(dòng)模型分別為沿丘腦內(nèi)髓板的中心腦作水平切，示斷面立體結(jié)構(gòu)，沿丘腦內(nèi)髓板的中心平面以上腦作冠狀切面，示其平面結(jié)構(gòu)，顯示腦干主要核團(tuán)的斷面及立體結(jié)構(gòu)與立體神經(jīng)核團(tuán)位置關(guān)系，模型控制面板上設(shè)有36個(gè)按鈕功能鍵，可任意選擇電動(dòng)顯示了解神經(jīng)核團(tuán)位置、形態(tài)和毗鄰。
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尺寸：34×34×70cm
材質(zhì)：PVC材料+木框
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標(biāo)準(zhǔn)配置：
■ XM-D022腦、腦干水平切、腦神經(jīng)核立體關(guān)系電動(dòng)模型：1臺(tái)
■ 電源線：1根
■ 說(shuō)明書(shū)：1冊(cè)
■ 保修卡合格證：1張
上海欣曼科教設(shè)備有限公司
2021-08-23