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用于量子保密通信、近紅外探測成像、高速量子光通信、激光雷達探測。 針對單光子探測需求，提取關鍵技術參數，通過多次半導體器件仿真優化，最終得到外延結構設計。結合 13 所 自主外延生長技術與精準的鋅擴散方案，最終實現較為成功的 GM-APD 芯片。該芯片已經成功達到量子保密通信中單光子探測需求，并在安徽問天量子技術有限公司的產品中得到應用。 

本發明公開了一種廣譜成像探測芯片。包括熱輻射結構和光敏陣列。廣譜入射光波進入熱輻射結構后，在納尖表面激勵產生等離激元，驅動圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅控下涌入的自由電子相疊合，產生壓縮性脈動，使電子急劇升溫并向周圍空域發射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉換為電信號，經預處理后得到電子圖像數據并輸出。本發明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫

本發明公開了一種多頂針芯片剝離裝置，包括多頂針主體機構， 安裝于 Z 向升降機構上并連接旋轉驅動機構，其包括中心頂針和外圈 頂針，外圈頂針先接觸藍膜上芯片的外緣實現預頂松，然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協作頂起芯片，完成芯片剝離；旋轉驅動機構， 連接多頂針主體機構，用于先后驅動外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動作；Z 向升降機構，安裝于三自由度微調對準機構上，停 機狀態時其處于下降位置，工作狀態其處于抬升位置，為頂起芯片做 好準備；三自由度微調對準機構，用于對多頂針主體機構進行 X、Y 和 Z 向的微調。本發明可實現頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調節，芯片受力均勻，有效減少剝離過程中的芯片失效。 

本發明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區域，再采用刻蝕工藝對硅晶圓進行局部減薄，對減薄后的區域進行芯片后續工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機械強度仍然可以支持硅片進行后續的加工工藝，相對于傳統的利用支撐基底來減薄芯片的方法，簡化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機械研磨工藝來進行減薄，所以不會因為機械研磨對硅晶圓造成的輕微震動而使厚度不能減得過小，通過本發明可以使芯片減薄到比機械研磨方法更薄的程度。

成果與項目的背景及主要用途： RFID是射頻識別技術的英文(Radio FrequencyIdentification)的縮寫，射頻識別技術是 20 世紀 90 年代開始興起的一種自動識別技術，射頻識別技術是一項利用射頻信號通過空間耦合(交變磁場或電磁場)實現無接觸信息傳遞并通過所傳遞的信息達到識別目的的技術。RFID 系統通過射頻信號自動識別目標對象并獲取相關數據，識別工作無須人工干預。作為條形碼的無線版本，RFID 技術具有條形碼所不具備的防水、防磁、耐高溫、使用壽命長、讀取距離大、標簽上數據可以加密、存儲數據容量更大、存儲信息更改自如等優點，已經被世界公認為本世紀十大重要技術之一，在生產、零售、物流、交通等各個行業等各個行業有著廣闊的應用前景。 本項目主要研發了基于 ISO18000-6B 協議的無源電子標簽芯片，其可用于物流，貨品識別，高速公路收費等諸多領域，是目前國內外射頻電路研究領域的熱點。 技術原理與工藝流程簡介：UHF 頻段的無源電子標簽工作原理如下：通過標簽上外置的偶極子天線接收讀卡器發送的載波信號，并將其轉換為直流信號，為整個芯片供電；同時片上的解調模塊解調出經調制的載波信號所攜帶的數據信息，并傳遞給片上的基帶部分加以處理；基帶部分連同 EEPROM 部分一起完成數據的讀寫和控制功能，再由調制模塊以反向發射的形式將上行信號返回給讀卡器完成一次通信。 本設計的工藝流程是基于 Chartered 0.35um EEPROM 數字工藝，從芯片設計、仿真、版圖驗證。最終通過代工廠完成芯片制作。技術水平及專利與獲獎情況：根據測試結構表明，各項指標都達到了商用需求，在國內屬領先水平。該項成果已獲得國家知識產權局頒發的集成電路布圖登記證書。BS.06500285.7 應用前景分析及效益預測：目前國內的 UHF 頻段的 RFID 產品正處于高速成長期，需求量快速增長，但大多數核心技術需要依賴進口。如果本項目能夠實現技術轉產，可以預計的前景和經濟效益是相當可觀的。有了自主知識產權的 UHF頻段電子標簽，在很多領域都可以加以移植，取代進口產品不但可以大大節省開支，同時也可以實現產品的自我定制及更新，最大程度的方便了國內用戶的應用。 應用領域：貨品跟蹤和識別（代替條形碼）、高速移動物體的識別、防偽認證以及電子支付等領域都會有廣泛的應用。 技術轉化條件（包括：原料、設備、廠房面積的要求及投資規模）：四十平方米以上的辦公用房，電腦、工作站若干，相應軟件。也可以和 RFID天線制造單位，卡片封裝單位共同合作，將成果轉產。 合作方式及條件：面談。

太陽光中過量的紫外福射對地球上的生物及材料造成極大的破壞作用,每年材料的紫外老化導致了大量的資源浪費和經濟損失。水淆石(LDHs)作為一類無機超分子結構功能材料,已經被廣泛應用于醫藥材料、阻燃材料、催化材料等領域。近年來LDHs材料在耐紫外老化瀝青的應用中表現出了良好的效果,可明顯減緩瀝青的老化。為進一步提高LDHs材料的紫外阻隔性能,有必要更深入地探索和研究LDHs材料的超分子結構對紫外光的阻隔機理及構效關系,從而為開發性能優異的新型超分子結構層狀紫外阻隔材料及進一步探索其在高分子材料抗紫外老化領域的應用提供實驗依據和理論支持。本項目針對高分子材料的紫外老化現象和目前紫外阻隔材料在應用過程中存在的問題,基于結構化學和超分子化學基本原理,探索了FLDHs材料的紫外阻隔技術,對LDHs層狀材料的超分子結構、能級特征、缺陷結構、主客體相互作用W及協同作用等方面進行了系統研究。結合高分子材料的老化機理和LDHs材料的結構特征,對LDHs的層板結構和層間客體進行了調控,制備了一系列性能優良的超分子結構紫外阻隔材料。進一步將其添加到瀝青和聚丙稀(PP)中進行紫外加速老化實驗,考察了其對高分子材料的抗紫外老化效果,為其實際應用提供了一定的理論基礎和技術支持。

本發明涉及提出一種無機鈣鈦礦光晶體管結構的紫外探測器。基底(1)為玻璃基底，在基底(1)上制備CsPbX3薄膜(2)作為有源層，在CsPbX3薄膜(2)表面制備同物質的CsPbX3量子點(5)摻雜的PMMA有機層(4)作為柵絕緣層，以此為紫外光感應窗口；薄膜晶體管的源極(3.1)、漏Au電極(3.2)分別位于CsPbX3薄膜(2)上的兩邊，FTO柵極(6)位于CsPbX3薄膜(2)的上的中間，在薄膜晶體管的源極(3.1)、漏Au電極(3.2)和FTO柵極(6)調制下，獲得光生載流子分離、轉換的電信號讀取、放大的集成功能，以實現高響應度的紫外信號探測。光晶體管探測器可采用如圖1所示的頂柵結構，也可以采用如圖2所示的底柵結構。以上兩種結構可制備在玻璃基板上，也可以制備在柔性基板上形成底柵或頂柵結構的柔性光晶體管紫外探測器。

2, 3, 4, 4’-四羥基二苯甲酮 ( 2,3,4,4'-Tetrahydroxybenzophenone，簡稱 THBP)是一種常用的紫外線吸收劑，作為紫外線正型光刻膠的導入劑，在 TFT-LCD 液晶顯示器產業鏈生產中，主要用于混配 PAC 感光劑生產高感光度高分辨率的高檔光刻膠。由于 TFT-LCD 顯示技術具有一系列突出的優點，其產品幾乎涵蓋整個信息應用領域，包括電視、臺式計算機、筆記本電腦、手機、PDA、GPS、儀器儀表和公共顯示等，具有巨大的市場潛力。 本項目以五倍子生物資源為原料，利用已有的焦性沒食子酸生產工藝，采用多級凈化工藝及去離子技術，開發一條年產 TFT-LCD 光刻膠用感光劑 2,3,4,4-四羥基二苯甲酮 200 噸生產能力的工藝。該工藝的成功開發，既可以促進國內五倍子的精深加工研究開發，更重要的是可以打破發達國家對我國集成電路、平板顯示產業上游原料感光材料的技術控制，并促進我國集成電路與液晶顯示高檔光刻膠的生產，減少光刻膠的依賴進口，提高產業鏈關鍵配套材料的國產化率，形成基于我國特色生物化工資源五倍子的感光材料產業分枝鏈，解決我國TFT-LCD 產業擴張急需的關鍵材料 PAC 感光劑生產。 該項目目前優化了反應條件，已完成了實驗室的小試工藝，正在進行逐級放大，有望一年以內進行產業化。

產品詳細介紹 ZYT—DDC 單人單面紫外誘變臺（垂直）   這是一種供單人操作的通用型局部凈化設備，氣流形式為垂直層流，它可造就局部高清潔度空氣環境，同時又具備紫外誘變技術功能對生物研究、科技育種、科研制藥、農業科技等部門，紫外誘變臺是您最好的助手。 特點： 1、操作區為全不銹鋼。 2、外型美觀結構合理。 3、采用自定們上下推拉門系統。 4、風量可調，雙側電源插座。 5、紫外線單個控制，時間定時功能。 技術指標：   型號 ZYT--DDC 外形尺寸 900×800×1630 工作臺尺寸 870×650×570 潔凈等級 100級@≥0.5ｕm(美聯邦209E) 平均風速 0.3—0.5m/s(可調) 噪音 ≤65dB(A) 振動 XYZ方向≤2ｕm 照明燈具 20W*1 感光燈 20W*1  紫外燈 主峰波長254NM  15W*3 紫外燈 主峰波長285NM  15W*3 電源 220V  50HZ 消耗功率 450W 備注 不銹鋼臺面，雙側電源，上下推拉門