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利用單一YAG: Ce3+熒光粉和紫外LED芯片匹配獲得白光的制備
最近以來，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍(lán)光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過藍(lán)光和黃光復(fù)合產(chǎn)生白光，但這種粉體不能應(yīng)用于高能量的紫外LED芯片產(chǎn)生白光，因?yàn)閅AG：Ce3+的光譜中缺乏藍(lán)光波段。本項(xiàng)目通過特有的表面包覆和處理技術(shù)，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍(lán)光發(fā)射，通過調(diào)控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時，器件發(fā)射出CIE坐標(biāo)（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍(lán)光和黃光兩種波段，進(jìn)而復(fù)合產(chǎn)生白光，工藝簡單，技術(shù)領(lǐng)先。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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一種黃曲霉毒素的連續(xù)式等離子體—紫外耦合降解裝置
本實(shí)用新型提供了一種黃曲霉毒素的連續(xù)式等離子體—紫外耦合降解裝置，所述裝置設(shè)計(jì)有等離子體發(fā)射器、等離子體發(fā)生器、紫外光源、傳送帶、總控制面板。該裝置主要用于糧食中黃曲霉毒素的降解。該裝置利用紫外光源和等離子體協(xié)同降解黃曲霉毒素，可用于工業(yè)化連續(xù)生產(chǎn)。該裝置結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，可以快速連續(xù)化地降解每粒表面的黃曲霉毒素，降解過程低溫、無溶劑殘留，無環(huán)境污染，且處理后的物料保持原有的色香味及營養(yǎng)品質(zhì)。
青島農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-11
利用單一YAG: Ce3+熒光粉和紫外LED芯片匹配獲得白光的制備
成果簡介： 最近以來，LED照明以其節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，獲得了大規(guī)模的應(yīng)用。 傳統(tǒng)的黃色熒光粉YAG：Ce3+在藍(lán)光LED芯片激發(fā)下發(fā)出黃色的光，通過藍(lán)光和黃光復(fù)合產(chǎn)生白光，但這種粉體不能應(yīng)用于高能量的紫外LED芯片產(chǎn)生白光，因?yàn)閅AG：Ce3+的光譜中缺乏藍(lán)光波段。本項(xiàng)目通過特有的表面包覆和處理技術(shù)，使得YAG：Ce3+的外觀和普通YAG：Ce3+沒有區(qū)別，但在紫外光365nm激發(fā)下，不僅呈現(xiàn)出黃光發(fā)射，而且具有藍(lán)光發(fā)射，通過調(diào)控膜層的組成和厚度，匹配與紫外LED芯片時，器件發(fā)射出CIE坐標(biāo)（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉發(fā)出藍(lán)光和黃光兩種波段，進(jìn)而復(fù)合產(chǎn)生白光，工藝簡單，技術(shù)領(lǐng)先。
電子科技大學(xué)
2017-10-23
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一種基于分布式多光源的可見光多載波通信系統(tǒng)發(fā)射機(jī)設(shè)計(jì)方法
本發(fā)明公開了一種基于分布式多光源的可見光多載波通信系統(tǒng)發(fā)射機(jī)設(shè)計(jì)方法，包括如下步驟：(1)調(diào)制裝置；(2)波束成形；(3)IFFT處理；(4)削波處理；(5)直流偏置；(6)數(shù)模轉(zhuǎn)換；(7)LED陣列。本發(fā)明的有益效果為：(1)多光源可以同時為通信和照明系統(tǒng)提供無所不在的覆蓋，在阻礙和遮蔽影響下更加魯棒，可以提高數(shù)據(jù)速率和服務(wù)質(zhì)量，增加調(diào)光靈敏度；(
東南大學(xué)
2021-04-14
可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法
本發(fā)明公開了一種可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質(zhì)結(jié)，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明在藍(lán)寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結(jié)晶度，提高電學(xué)性能，有效消除晶體質(zhì)量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結(jié)區(qū)的剩余電子，增加ＺｎＯ區(qū)載流子復(fù)合效率，實(shí)現(xiàn)純ＺｎＯ紫外發(fā)光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管，發(fā)光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學(xué)
2021-04-11
一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管
本發(fā)明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管，包括：由下至上依次設(shè)置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區(qū)、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導(dǎo)電層，在n型AlGaN層和透明導(dǎo)電層上分別設(shè)置的n型歐姆電極和p型
東南大學(xué)
2021-04-14
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安徽大學(xué)謝峰老師課題組在寬禁帶半導(dǎo)體紫外探測和激光器研制方面取得新進(jìn)展
近期，信息材料與智能感知安徽省實(shí)驗(yàn)室謝峰老師課題組在寬禁帶半導(dǎo)體日盲紫外探測器和白光激光器研究方面取得新進(jìn)展，相關(guān)研究成果相繼發(fā)表在國際知名期刊Opt.Express和IEEETrans.ElectronDevices上，三篇論文均以安徽大學(xué)信息材料與智能感知安徽省實(shí)驗(yàn)室為第一單位，謝峰老師為論文第一作者。
安徽大學(xué)
2022-08-26