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一種芯殼型納米線三維 NAND 閃存器件及其制備方法
本發明公開了一種非易失性高密度三維半導體存儲器件，該存 儲器件由芯殼型納米線作為 NAND 串組成，所述 NAND 串垂直于襯 底。利用芯殼型納米線作為 NAND 串制作存儲器件，不僅使器件的結 構更加簡單，也減少了原有器件制作過程中復雜的制造工藝步驟，簡 化了制備過程，對降低制造成本有積極作用
華中科技大學
2021-04-14
一種基于空芯柔性光導管的太陽光收集傳導裝置
本發明公開了一種基于空芯柔性光導管的太陽光收集傳導裝置， 太陽光收集傳導裝置包括采光導管，其內壁附著有第一光學反射膜， 用于為太陽光提供 180 度廣角的入射端面；聚光導管，一端與采光導 管的出射端面連接，內壁附著有第二光學反射膜，用于對采集的太陽 光耦合聚光后進行反射式傳播；柔性傳光導管，內壁附著有第三光學 反射膜，用于接收所有進入柔性傳光導管內的光線并實現長距離無損 傳輸。本發明在保持光導管的柔性傳光和低傳輸損耗
華中科技大學
2021-04-14
L型二氧化碳純度測定儀，四氟芯閥門
產品詳細介紹上海化科,L型二氧化碳純度測定儀，四氟芯閥門產品地址：http://www.shhk.com.cn/product_detail-1139.htm L型二氧化碳純度測定儀（F），規格99.00%～99.999用途：適用于工業液體二氧化碳（GB/T6052-1993）、焊接用二氧化碳（HG/T2537-1993）、焊接用混合氣體氬-二氧化碳（HG/T3728-2004）、食品級二氧化碳（GB10621-2006）的分析。使用說明：1.本產品安裝時為了保證密和性，活塞芯、活塞必須清潔。2.清洗儀器后，打開C、D活塞，待測氣體由B管進入A球，約1分鐘后，關閉C、D活塞，如圖所示。3.將吸收液(KOH)加入E漏斗至105ml。4.標線處。慢慢打開活塞D,吸收液由漏斗E進入球A，邊流入邊吸收，等待吸收過程完成后，關閉活塞D，將儀器向右翻轉。5.未吸收的其他存于細管中，仔細讀數，既得百分比含量。L型二氧化碳純度測定儀，運用堿液吸收法測量二氧化碳的純度。具有操作方便、測定準確、誤差小等優點。被廣泛用于氣體檢測站，啤酒廠及汽水、可樂、綠茶等碳酸飲料廠。L型二氧化碳純度測定儀是目前市面上精度最高的二氧化碳純度測定儀，準確性比進口的純度儀高10倍。 CO2純度與球面尺刻度關系對照表氣泡外緣直徑(mm)-純度(%)氣泡(mm)純度(%)氣泡(mm)純度(%)氣泡(mm)純度(%)1.099.9994.099.976.599.902.099.9954.599.967.099.882.599.9905.099.957.599.853.099.9855.599.948.099.823.599.9806.099.928.599.80 上海化科實驗器材：http://www.shhk.com.cn/ 訂單郵箱：sales@shhk.com.cn（推薦）咨詢電話：021-67652117，57602161QQ 在線：1152028600。大量供應:L型二氧化碳純度測定儀。
上海化科實驗器材有限公司
2021-08-23
額定電壓0.6/1kV及以下銅芯塑料絕緣預制分支電力電纜
本電纜在工廠內預制采用帶分支結構，縮小敷設空間，可大幅度減輕施工勞動強度，縮短施工時間。適用于中高層住宅樓配電、小區、廠房建設、防災設施等場合。預制分支電力電纜導體的最高額定溫度：交聯聚乙烯絕緣為90度，聚氯乙烯絕緣為70度，聚氯乙烯絕緣預制分支電力電纜敷設時的環境溫度不低于0度，彎曲半徑不大于30D，交聯聚乙烯絕緣預制分支電力電纜允許彎曲半徑為電纜外徑的30D。
山東昆崳電纜有限公司
2021-06-25
一種噴射沉積成形制備大塊非晶合金的方法
霧化噴射沉積成形技術近年來被廣泛用于研究和發展高性能的快速凝固材料。該技術最突出的創新點在于，將液態金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進的過程。在多年研究噴射成形技術的基礎上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結果表明，沉積態La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區寬度DTx和約化玻璃轉變溫度Trg均高于單輥旋轉熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6。“高熔點高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術”，獲中國有色金屬工業科學技術獎一等獎（2003.12）。
北京科技大學
2021-04-11
晶圓級二維半導體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學
2021-04-11
一種超硬非晶碳薄膜的制備裝置和工藝
項目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學特性，在碳基薄膜中，是目前國際上公認的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達97%，吸收紫外光，達98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達0.2nm，摩擦系數≤0.08，電阻率達（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機滑塊，滑動環等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測量的靈敏度。
西安交通大學
2021-04-11
一種非晶合金零件的快速成形方法
本發明公開了一種非晶合金零件的快速成形方法，包括首先對 電磁成形系統中的電容器充電，然后采用電脈沖放電對非晶合金進行 快速升溫使其溫度升至過冷液態溫度，在溫度達到設定溫度停止電脈 ·549·沖放電，同時使所述電磁成形系統的電容器放電，產生電磁力并驅動 過冷液態的非晶合金變形至模具中，即可實現非晶合金零件的快速成 形。本發明還公開了利用上述方法所制備的非晶合金零件。本發明通 過對熱塑性成形過程中的加熱方式、成形驅動方式
華中科技大學
2021-04-14
一種大塑性非晶基復合材料的制備方法
本發明公開了一種非晶基復合材料的制備方法，其特征在于， 包括：將片狀非晶合金與增韌第二相材料交替層疊后置于夾具中，其 中所述增韌第二相為板狀且上下表面開有陣列通孔的結構；在恒壓或 漸增載荷的條件下，對層疊的非晶合金及多孔板加熱，同時對其實施 超聲振動，非晶合金迅速軟化并被壓入第二相增韌板的孔中，使得非 晶相合金與增韌第二相的界面冶金良好結合，而且成形過程中不會發 生晶化，從而獲得塑形良好的非晶合金復合材料。本發明還公
華中科技大學
2021-04-14
一種基于洛倫茲力的非晶合金成形方法
本發明公開了一種基于洛倫茲力的非晶合金成形方法及裝置， 該方法包括：非晶合金樣件在感應電流的作用下升溫至過冷液態區， 同時在洛倫茲力的驅動下變形至模具冷卻成形；感應電流和洛倫茲力均由成形線圈放電產生，感應電流由設置在成形線圈周圍的導體在成 形線圈放電過程中感應產生，洛倫茲力由放電過程中成形線圈產生的 磁場與非晶合金樣件流過的感應電流共同作用產生，導體與非晶合金 樣件構成感應回路，以使感應電流流過所述非晶合金樣件。非晶合金 樣件的升溫、成形、冷卻過程在數毫秒脈沖放電時間內一次完成，具 有升溫、成形、冷
華中科技大學
2021-04-14