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產(chǎn)品名稱：一體成型碟形陶瓷臺面（1.8米通風(fēng)柜） 產(chǎn)品型號：TOOK D05適用范圍：1.8 米通風(fēng)柜釉面色澤：多色可選主要成分：由高嶺土、藍瓷土、長石等硅酸鹽材料，表面釉料采用了進口原料，經(jīng)1280℃長時間高溫煅燒，陶克板由于材料屬性不耐氫氟酸，可抵御（除氫氟酸等同類型化學(xué)試劑）任何強酸強堿及有機溶劑腐蝕，其耐高溫、耐污染、抗輻射、抗細菌、抗釉裂等性能良好，是目前國內(nèi)乃至全球?qū)嶒炇遗_面的最佳材質(zhì)選擇。 如何判斷優(yōu)質(zhì)陶瓷臺面釉面：表面平整度、抗釉裂性、耐腐蝕性能、表面耐劃痕等級、有無瑕疵、色飽滿度如何。燒制溫度：是否達到1250℃的磁化燒制溫度（低于此溫度的板材無法瓷化，未瓷化的陶瓷板容易斷裂 ,陶克板是1280℃燒制而成。）耐污染指標：是否符合國家檢測標準。輻射限量指數(shù)：是否低于國家限量標準。

產(chǎn)品名稱：1.5米通風(fēng)柜（一體成型碟形陶瓷臺面） 產(chǎn)品型號：TOOK D04 適用范圍：1.5 米通風(fēng)柜 釉面色澤：多色可選 主要成分：由高嶺土、藍瓷土、長石等硅酸鹽材料，表面釉料采用了進口原料，經(jīng)1280℃長時間高溫煅燒，陶克板由于材料屬性不耐氫氟酸，可抵御（除氫氟酸等同類型化學(xué)試劑）任何強酸強堿及有機溶劑腐蝕，其耐高溫、耐污染、抗輻射、抗細菌、抗釉裂等性能良好，是目前國內(nèi)乃至全球?qū)嶒炇遗_面的最佳材質(zhì)選擇。   如何判斷優(yōu)質(zhì)陶瓷臺面 釉面：表面平整度、抗釉裂性、耐腐蝕性能、表面耐劃痕等級、有無瑕疵、色飽滿度如何。 燒制溫度：是否達到1250℃的磁化燒制溫度（低于此溫度的板材無法瓷化，未瓷化的陶瓷板容易斷裂 ,陶克板是1280℃燒制而成。） 耐污染指標：是否符合國家檢測標準。 輻射限量指數(shù)：是否低于國家限量標準。

 

產(chǎn)品詳細介紹 產(chǎn)品名稱：灰白顯示器可調(diào)節(jié)型講臺 產(chǎn)品型號：昕影XY-101 外形尺寸：1200*900*650mm(寬*高*深 ) 結(jié)構(gòu)特點：1. 顯示器及面板采用1.5mm厚優(yōu)質(zhì)鍍鋅鋼板，講臺側(cè)面采用1.2mm厚優(yōu)質(zhì)鍍鋅鋼鈑；2. 講臺上柜采用01深灰皺，下柜采用R7035顏色；3. 鋼木結(jié)合、豪華美觀、操作舒適；4. 講臺實木扶手采用高檔橡木精細加工而成， 表面噴高檔油漆，方便使用者握扶(尺寸60×40mm)符合人體工學(xué)設(shè)計；5. 表面防腐、防銹、鈍角后進行圓滑處理，臺面面經(jīng)久耐用；平滑圓弧過渡、細縫接合均勻設(shè)計；安全、美觀、內(nèi)部鋼鈑無棱邊及毛刺；6. 臺面左邊可放15-21寸液晶顯示器（顯示器固定在活動面板上，并裝有5MM鋼化玻璃，用于保護顯示屏），教師可根據(jù)身高或光線強弱調(diào)整顯示器角度使用非常方便；7. 防塵、防盜，一把鑰匙開啟，8. 講臺配備有隱藏式，滑軌抽拉，可容納標準鍵盤。當鍵盤抽屜打開時，顯示器面板可任意調(diào)節(jié)角度。9. 電腦主機的光驅(qū)和USB接口設(shè)有專門的可開合小門，方便操作。后方有上下門，便于檢修設(shè)備，下門沖散熱孔，柜體左右側(cè)可各裝一個靜音型品牌軸流風(fēng)機，方便散熱；10. 柜內(nèi)有固定線的托條，使柜內(nèi)線井然有序，既美觀又方便檢修；11. 講臺整體分為上、下柜，運輸方便、安全，連接簡單；

太赫茲（THz）科學(xué)技術(shù)既是重大的基礎(chǔ)科學(xué)問題，也是國家的重大需求。然而，作為一段全新的的電磁波譜，實現(xiàn)THz波傳輸與控制的相關(guān)器件極為匱乏，大大限制了THz科學(xué)技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用。本項目提出了THz波物質(zhì)探測、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實用化THz功能器件。本項目的主要成果包括：(1) 提出了THz波吸收的理論模型，研制出吸收率達到85%以上的窄帶、多帶和寬帶太赫茲吸收材料，解決了傳統(tǒng)電磁波吸收材料無法有效工作于THz頻段的技術(shù)難題；(2)提出“人工電磁結(jié)構(gòu)”與“電子功能材料”相結(jié)合構(gòu)建可調(diào)諧太赫茲功能器件的思想，研制出開關(guān)速率達到0.1ms的太赫茲開關(guān)、調(diào)制速率達到10Mbps的太赫茲波調(diào)制器，帶內(nèi)透射達到80%的太赫茲帶通濾波器，以及高效太赫茲功率衰減器；（3）基于高阻Si的深能級摻雜技術(shù)和石墨烯二維晶體材料，研制出寬帶太赫茲波空間調(diào)制器，開關(guān)速率達到5MHz，空間調(diào)制面積達到3英寸，為提高太赫茲成像速率和分辨率奠定了基礎(chǔ)；(4)提出極化約束實現(xiàn)太赫茲波導(dǎo)低損耗傳輸?shù)男赂拍睢；凇熬酆衔锟招静▽?dǎo)”與“周期性金屬光柵結(jié)構(gòu)”的集成，研制出一種雙面光柵聚合物空芯波導(dǎo)實現(xiàn)了單模的傳輸,大幅度降低太赫茲傳輸損耗到0.68dB/m，達到了實用化的要求。 這一研究成果既加深了對THz波譜特性和基本物理現(xiàn)象的理解，也解決了THz傳輸、控制、波譜識別和應(yīng)用成像的多個關(guān)鍵科學(xué)問題。本項目成果的實施，可望實現(xiàn)載波300GHz以上高速無線通信，為太赫茲波無線通信、雷達探測、醫(yī)療診斷以及以及波譜成像等應(yīng)用系統(tǒng)提供了重要的技術(shù)支撐。在Appl. Phys. Lett., Sci. Rep., Opt. Lett., Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國際主流期刊上發(fā)表SCI 論文66 篇。申請國家發(fā)明專利22 項，已授權(quán)專利7 項，獲得教育部自然科學(xué)一等獎1項。跟國內(nèi)外綜合比較，本項目的研究成果總體上處于國際先進水平，對推動太赫茲科學(xué)快速進入實際應(yīng)用領(lǐng)域具有重要的科學(xué)意義。

本項目提出了THz波物質(zhì)探測、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實用化THz功能器件。

隨著集成電路工藝的進步，MOS管的特征尺寸越來越小，電路的工作電壓也不斷下降，柵氧化層的厚度也越來越薄，在這種趨勢下，將可控硅ESD防護器件的觸發(fā)電壓降低到可觀的電壓值內(nèi)，使用高性能的ESD防護器件來泄放靜電電荷以保護柵極氧化層顯得十分重要。本發(fā)明涉及可用于65nm半導(dǎo)體工藝的靜電保護（ESD）器件，特別涉及低電壓觸發(fā)的SCR器件。    本發(fā)明提供一種采用新型技術(shù)減小器件的ESD觸發(fā)電壓的PMOS嵌入的低壓觸發(fā)用于ESD保護的SCR器件。本發(fā)明采用PMOS進行觸發(fā)NMOS導(dǎo)通，NMOS的導(dǎo)通電流觸發(fā)SCR晶閘管，從而減小SCR器件的ESD觸發(fā)電壓。ESD脈沖信號施加在Anode和Cathode之間，PMOS首先被觸發(fā)導(dǎo)通，PMOS開通之后，觸發(fā)NMOS導(dǎo)通，NMOS導(dǎo)通后，其導(dǎo)通電流觸發(fā)晶閘管SCR導(dǎo)通。晶閘管電流（SCR current）導(dǎo)通大部分ESD 電流，從而實驗了ESD保護。

本項目以制備超快高儲能柔性器件為導(dǎo)向，建立基于界面納米復(fù)合材料的新技術(shù)。通過水熱法和電化學(xué)方法在柔性導(dǎo)電基底上構(gòu)建納米陣列/金摻雜二氧化錳的三維納米復(fù)合電極，作為正極；通過水熱法和熱處理法在柔性導(dǎo)電基底上生長多孔氧化鐵納米復(fù)合材料，作為負極，組裝全固態(tài)薄膜器件。利用納米復(fù)合材料的多方面優(yōu)勢加速電子/離子在活性材料中的傳遞，進而達到超快高儲能的目的。基于納米復(fù)合材料的全固態(tài)薄膜器件可展現(xiàn)出超快充電能力（10 V/s），比常規(guī)電容器的充電時間快10-100倍。這是國際上基于金屬氧化物贗電容薄膜型超級電容器研究領(lǐng)域的一個重大突破。此外，本項目以開發(fā)超快超柔儲能器件為導(dǎo)向，開發(fā)了一種熱力學(xué)誘導(dǎo)自發(fā)組裝和原位摻雜結(jié)合碳熱還原的方法來實現(xiàn)石墨烯納米篩粉體和薄膜的宏觀可控制備，解決了傳統(tǒng)石墨烯材料縱向物質(zhì)傳輸差的局限。通過控制碳熱溫度，可以調(diào)節(jié)石墨烯納米篩表面的孔密度，即孔徑大小可控（10~100 nm）。與傳統(tǒng)石墨烯薄膜電極相比，石墨烯納米篩表面豐富的孔結(jié)構(gòu)使得其作為電極材料時擁有更大的比表面積，而且電解質(zhì)離子可以在垂直于平面的軸向上傳遞，縮短了離子傳輸路徑。

"以α-BaTeMo2O9為代表的含碲的化合物是一類新型光電功能晶體，在偏光、聲光、拉曼等光學(xué)領(lǐng)域內(nèi)具有重要的應(yīng)用價值。此類化合物具有透光寬，雙折射大，易生長，物理化學(xué)穩(wěn)定等優(yōu)點，是偏光和聲光器件的優(yōu)選材料。 山東大學(xué)在該系列晶體生長和器件的研究方面具有獨立的知識產(chǎn)權(quán)，可以生長出大尺寸（≥50 x 50 x 100 mm3），高質(zhì)量（光學(xué)均勻性≤10-5）的單晶；并在器件的制作中突破了國際上單軸晶體的限制，偏振棱鏡消光比>30000:1，達到高質(zhì)量冰洲石器件水平；聲光調(diào)Q器件衍射效率>84%，高于同等條件下的TeO2器件。晶體生長處于世界領(lǐng)先水平，器件設(shè)計具有國際、國內(nèi)專利，總體水平處于國際領(lǐng)先。該成果獲得教育部自然科學(xué)二等獎，主要用于先進光學(xué)及其電學(xué)領(lǐng)域，如醫(yī)療、軍事、激光加工、激光雷達、激光探測等。據(jù)統(tǒng)計，目前國內(nèi)聲光調(diào)制器件和偏光器件總產(chǎn)值約為2億元。而現(xiàn)有的材料已經(jīng)不能滿足相應(yīng)研究和產(chǎn)業(yè)的需求。作為新型光電功能晶體及其器件，在滿足現(xiàn)有要求的基礎(chǔ)上，填補了此類材料和器件在中紅外波段內(nèi)的國際空白。此外，獨立的知識產(chǎn)權(quán)有利于產(chǎn)品推廣，具有重要的社會和經(jīng)濟效益。 "

傳統(tǒng)的CCD、CMOS硅基成像器件都不能響應(yīng)紫外波段的光信號，這是因為紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年來隨著紫外探測技術(shù)的日趨發(fā)展，人們越來越需要對紫外波段進行更深的探測分析與認識。紫外探測技術(shù)是繼激光探測技術(shù)和紅外探測技術(shù)之后發(fā)展起來的又一軍民兩用光電探測技術(shù)。幾十年來，紫外探測技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對現(xiàn)代科研、國防和人民生活都產(chǎn)生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是應(yīng)用最廣泛的光電探測器件。當前最先進的光譜儀器大都采用了CCD或CMOS作為探測器件，這是因為CCD、CMOS具有靈敏度強、噪聲低、成像質(zhì)量好等優(yōu)點。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段響應(yīng)都很弱。成像器件的這種紫外弱響應(yīng)限制了其在先進光譜儀器及其他領(lǐng)域紫外波段探測的使用。 在技術(shù)發(fā)達國家,寬光譜響應(yīng)范圍、高分辨率、高靈敏度探測器CCD已經(jīng)廣泛應(yīng)用于高檔光譜儀器中。上世紀中葉美國Varian公司開發(fā)的Varian700 ICP-AES所使用的寬光譜CCD檢測器分辨率達0.01nm,光波長在600nm和300nm時QE分別達到了84%和50%；美國熱電公司開發(fā)的CAP600 系列ICP所用探測器光譜響應(yīng)范圍更是達到165～1000nm，在200nm時的分辨率達到0.005nm.法國Johinyvon的全譜直讀ICP，其所用的CCD探測器像素分辨率達0.0035nm,紫外響應(yīng)拓展到120nm的遠紫外波段。德國斯派克分析儀器公司的全譜直讀電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀一維色散和22個CCD檢測器設(shè)計，其光譜響應(yīng)范圍為120－800nm。德國耶拿JENA 連續(xù)光源原子吸收光譜儀contrAA采用高分辨率的中階梯光柵和紫外高靈敏度的一維CCD探測器，分辨率達0.002nm,光譜響應(yīng)范圍為189—900 nm。總而言之，發(fā)達國家在寬光譜響應(yīng)和高分辨率高靈敏度探測器件的研制領(lǐng)域已取得相當?shù)某删汀Ｖ饕夹g(shù)指標和創(chuàng)新點（1）  我們在國內(nèi)首次提出紫外增強的硅基成像器件，并在不改變傳統(tǒng)硅基成像探測器件的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，利用鍍膜的方法增強成像探測器件CCD、CMOS的紫外響應(yīng)，使其光譜響應(yīng)范圍拓寬到190—1100nm，實現(xiàn)對190nm以上紫外光的探測。（2）  提高成像探測器的紫外波段靈敏度，達到0.1V/lex.s。（3）  增強成像探測器件的紫外響應(yīng)的同時，盡量不削弱探測器件對可見波段的響應(yīng)。（4）  選用適合的無機材料，克服有機材料使用壽命短的缺陷。 紫外探測技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對現(xiàn)代科研、國防和人民生活都產(chǎn)生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件，該設(shè)計與傳統(tǒng)CCD、CMOS結(jié)合，能滿足寬光譜光譜儀器所需的紫外響應(yīng)探測器的需要。能提高光譜儀器光譜響應(yīng)范圍，在科學(xué)實驗和物質(zhì)分析和檢測中具有很廣的市場前景。 該設(shè)計樣品能取代傳統(tǒng)CCD、CMOS，應(yīng)用于大型寬光譜光譜儀器上，作為光譜儀的探測器件。將傳統(tǒng)光譜儀器的光譜檢測范圍拓寬到190—1100nm. 實現(xiàn)紫外探測和紫外分析。具有較強的市場推廣應(yīng)用價值。