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本技術屬于溶液法晶體生長設備技術領域，涉及一種有機非線性光學晶體的溶液降溫生長方法，特別是一種方形四棱錐底式DAST晶體自發成核生長裝置，通過生長裝置和底部載晶斜板的特殊設計，大幅增加可用來生長晶體的載晶斜板有效面積，提高DAST晶體生產效率，同時可消除載晶斜板外的自發成核晶體生長，有效提高晶體生長的穩定性，進而大幅改善斜板式自發成核法生長DAST晶體的質量。本發明與現有技術相比，其選用的生長裝置結構簡單，成本低，組裝簡便，操作方便，可大幅增加晶體生長缸中用以生長晶體的有效面積，提高DAST晶體生產效率；同時有效控制聚四氟乙烯四棱錐外的自發成核晶體生長，提高晶體生長的穩定性，進而大幅改善自發成核法生長DAST晶體的質量，有效解決了傳統斜板式自發成核法中，在斜板之外其它位置容易出現無效的自發成核雜晶生長問題，提高晶體生長的穩定性和生長效率。可望應用于有機晶體的自發成核生長。

該項目（專利號：200410009747.x）涉及一種含稀土的氧化物在紫外線激發下發射紅色熒光的熒光粉及其制備方法。該發光材料是一種化學穩定性好、發光亮度高、單色性好、成本相對降低的紅色發光材料。 該項目含稀土的氧化物的紅色發光材料的化學組成為（Y1－x－y－z Gd x Al y Eu z）2O3，其中0＜x ≤0.7 , x為基質組分Gd的含量；0＜y＜0.26, y為基質組分Al的含量； 0.02≤z ≤0.12, z為激活劑Eu的含量。含稀土的氧化物的紅色發光材料是由Y2O3、Gd2O3、Al2O3和Eu2O3經1280℃高溫灼燒，形成具有立方結構的（Y Gd Al Eu）2O3固熔體，因而具有化學穩定性好、發光亮度高、單色性好的特點，并且由于非稀土元素Al對稀土元素Y、Gd的部分取代，導致稀土元素用量減少，降低產品成本。 應用范圍：主要在燈用熒光粉等三基色紅粉中應用。

開發了短流程技術制備納米稀土氧化物彌散銅基復合材料，具有高強度、高電導率、高熱導率、高耐磨性等優良特性，解決了此類材料難以制得全致密大型零件的難題，拓展了其應用領域。發明了此類復合材料塊體和粉體的制備技術和專門的裝備。 稀土氧化物彌散銅基復合材料制備新技術在企業開始推廣應用，可顯著提高制動摩擦閘片及金剛石刀頭的高溫強度和摩擦磨損性能，可大幅改善鐵基粉末冶金零件的表面耐磨性，具有廣闊市場前景和應用價值。

 目前幾乎所有人工合成的含氮有機化合物都需要經過工業合成氨（NH3）。而傳統的工業合成氨過程 (Haber-Bosch Process)條件極其苛刻。據推算年耗能占全球能耗的2%左右，需消耗約25%的化石資源，并且產生大量溫室氣體。因此，將氮氣直接、高效、溫和地轉化為含氮有機化合物，而不經過NH3, 是解決以上問題的重要途徑之一。但迄今相關文獻報道很少, 催化反應體系還沒有實現（見中文綜述：從氮氣直接合成含氮有機化合物。該研究實現了由稀土金屬鈧（Sc）促進的，直接由氮氣、MeOTf和親電試劑等有機底物反應高效合成肼衍生物的過程。他們分離和表征了(N2)2?-, (N2)3?-和(N2Me2)2?-Sc中間體，并發現CO能有效插入(N2Me2)2?-Sc中間體的Sc?N鍵中，實現了N2與CO的高效偶聯（Scandium-Promoted Direct Conversion of Dinitrogen into Hydrazine Derivatives via N?C Bond Formation. Ze-Jie Lv, Zhe Huang, Wen-Xiong Zhang,* and Zhenfeng Xi,* J. Am. Chem. Soc. 2019, 141, 8773?8777）。

成果介紹代表國際領先技術的高新能半導體照明稀土熒光粉的研發與制備，可廣泛應用于半導體照明行業之中。技術創新點及參數半導體照明稀土熒光粉行業兩大核心技術：1、高顯色白光LED用熒光粉關鍵技術2、氮化物紅粉在發光效率和抗高溫高濕性能提升技術市場前景1、制備了高性能鋁酸鹽熒光粉，目前全國銷售第一。2、制備了氮化物熒光粉，銷售也達到全國第一。

本項目經過14年（2007-2021）的艱苦不斷的探索，終于采用自主研發的由紫光LED芯片激發的高效稀土三基色熒光粉合成暖白光，成功解決了長期困擾于半導體照明領域的白光LED富藍光危害人體健康的全球性難題。 一、項目分類 關鍵核心技術突破 二、成果簡介 本項目經過14年（2007-2021）的艱苦不斷的探索，終于采用自主研發的由紫光LED芯片激發的高效稀土三基色熒光粉合成暖白光，成功解決了長期困擾于半導體照明領域的白光LED富藍光危害人體健康的全球性難題。新型暖白光LED具有以下特點： （1）繼承傳統白光LED所有優點（如，節能、便捷、小型固體化、驅動方便等）； （2）沒有藍、紫光泄漏及其危害，對人眼和身體安全； （3）在材料生長、器件制備、封裝和性能檢測等多方面和傳統的冷白光LED兼容，所以投入經費低，批量生產后成本還將低于傳統的白光LED； （4）性能比傳統白光LED優越許多：如，顯色指數Ra＞90，可達95、98；色溫在2500-5500K可調適應各種人的需求；色坐標接近標準白光（0.33,0.33）；燈珠光效，3年內從25 lm/W 迅速提高到135 lm/W； （5）應用更廣泛：在半導體照明和顯示、植物栽培、光醫療、光檢測和光傳感等領域，尤其是可用于在無藍光危害的手機、電腦、電視機等液晶顯示的背光源。

小型鎳氫電池已產業化、商品化，大容量鎳氫電池是當前電動車輛主選動力電池之一。目前國內外生產鎳氫電池的負極材料，基本采用混合稀土鎳基儲氫合金(MmB5， Mm為混合稀土金屬，B為Ni、Co、Mn、Al等金屬)。 南開大學課題組首次制備了含堿金屬鋰（Li）新組分儲氫合金[MmB5（Li）]，提高了電池負極電催化活性和延長電池壽命，并獲得中、美、歐發明專利（ZL 92100029.4； US 5,242,656； EP 0554617B1）。同時

產品詳細介紹 紫外光加速老化試驗機|紫外光耐氣候試驗箱|紫外老化箱 產品名稱：紫外光加速老化試驗機|紫外光耐氣候試驗箱|紫外老化箱 產品售價： 請咨詢 產品規格：ZN-P 產品備注：該系列產品適用于非金屬材料的耐陽光和人工光源的老化試驗。 說明： ■ 紫外老化箱產品用途   該系列產品適用于非金屬材料的耐陽光和人工光源的老化試驗。 ■ 紫外老化箱箱體結構   箱體采用數控機床加工成型，造型美觀大方，箱蓋為雙向翻蓋式，操作簡便。 箱體內膽采用進口高級不銹鋼板，箱體外膽采用A3鋼板噴塑，增加了外觀質感和潔凈度。 加熱方式為內膽水槽式加熱，升溫快，溫度分布均勻。 排水系統使用回渦型及U型積沉裝置排水，方便用戶清潔。 ■ 紫外老化箱控制系統   采用黑色鋁板聯接溫度傳感器，采用黑板溫度儀表控制加熱，溫度更穩定。 輻射計探頭采用固定式，無須每次裝卸。 輻射量采用高精度顯示和測量的專用紫外線輻照計。 輻射度不大于50W/ m2。 光照和冷凝可獨立控制可以交替循環控制。 光照和冷凝的獨立控制時間和交替循環控制的時間可在一千小時內任意設置。 ■ 紫外老化箱符合標準   GB/T16422.3-1997 GB/T16585-96    紫外老化箱規格與技術參數   型號 ZN-P 工作室尺寸D×W×H 450×1170×500 支持樣板數量：150×75約40塊 性能指標 溫度范圍 RT＋10℃～70℃ 濕度范圍 ≥95％R.H 燈管間距離 35mm 樣品與燈管距離 50mm 紫外波長 290nm～400nm UV-A、UV-B、UV-C（定貨時說明） 燈管功率 40W 溫濕度運行控制系統 溫度控制器 進口LED數顯P、I、D+S、S、R.微電腦集成控制器 時間控制器 進口可編程時間電腦集成控制器（金鐘默勒） 光照加熱系統 全獨立系統，鎳鉻合金電加熱式加熱器 凝露加濕系統 全不銹鋼淺表面蒸發式加濕器 黑板溫度 雙金屬黑板溫度計 供水系統 加濕供水采用自動控制 暴露方式 濕汽冷凝暴露，光照輻射暴露 安全保護 漏電、短路、超溫、缺水、過電流保護/控制器停電記憶

該材料具有良好的加工性，能制備成可注射溶液、薄膜、多孔支架、以及靜電紡絲纖維膜等多種產品。由于一氧化氮能夠可控按需釋放，CS-NO及其復合材料可用于治療糖尿病下肢缺血、皮膚損傷和心梗疾病。