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本發(fā)明公開了一種用于 MIMO 無線通信的非相干酉空時調(diào)制的對跖解調(diào)方法和對跖解調(diào)器，所述對跖解調(diào)方法要求將非相干酉空時星座圖劃分為兩個子星座圖，所述各子星座圖內(nèi)不存在成對的對跖點(diǎn)，而在兩個子星座圖之間存在一一對應(yīng)的對跖點(diǎn)，所述對跖解調(diào)方法只需在任意一個子星座圖內(nèi)遍歷 L/2 個星座點(diǎn)進(jìn)行基于最大似然的解調(diào)計算，找出 L/2 個四矩陣乘積的跡最大值ψmax 和跡最小值ψmin，然后 根 據(jù) <img file=

本發(fā)明涉及一種用于太陽能熱水器節(jié)水及水溫控制一體化裝置及方法，該節(jié)水及水溫控制一體化裝 置包括來水分離管道系統(tǒng)、水溫控制體統(tǒng)、自來水管道系統(tǒng)、控制系統(tǒng)以及用水管道系統(tǒng)，來水分離管 道系統(tǒng)、水溫控制體統(tǒng)、自來水管道系統(tǒng)均設(shè)有溫度傳感器和電磁閥，溫度傳感器用于測量相應(yīng)水流的 溫度值，控制系統(tǒng)根據(jù)采集的溫度值進(jìn)行計算、并根據(jù)計算結(jié)果控制電磁閥的開閉，以此控制來水分離 管道系統(tǒng)、水

激光雷達(dá)等傳感器以及高效率砷化鎵太陽能電池是國務(wù)院國家制造強(qiáng)國建設(shè)戰(zhàn)略咨詢委員會列出的核心基礎(chǔ)元器件，本項目在國務(wù)院國資委以及國家級人才計劃科研項目支持下，聯(lián)合國內(nèi)知名企業(yè)進(jìn)行關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，研制出基于砷化鎵的超快半導(dǎo)體激光芯片與激光器可適用于激光加工、5G通信、生物醫(yī)療等領(lǐng)域，同時研制出的高效率砷化鎵薄膜三結(jié)電池曾獲得世界最高效率，相關(guān)產(chǎn)品已處于中試和量產(chǎn)階段，本項目相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品曾獲得過2018年度上海市科技進(jìn)步二等獎，2020年中國發(fā)明協(xié)會發(fā)明創(chuàng)新二等獎，2020年中國光學(xué)學(xué)會光學(xué)科技獎一等獎等獎勵。本次將展示本項目研制的相關(guān)砷化鎵基半導(dǎo)體激光器以及高效率柔性輕質(zhì)砷化鎵薄膜三結(jié)太陽能電池。

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近日，藥學(xué)院錢旭紅院士、楊泱泱副教授課題組在蛋白靶向降解策略研究中取得重要進(jìn)展，相關(guān)成果以“An Endoplasmic Reticulum (ER)-Targeting DNA Nanodevice for Autophagy-Dependent Degradation of Proteins in Membrane-Bound Organelles”為題發(fā)表于著名期刊Angew. Chem. Int. Ed. (DOI: 10.1002/anie.202205509)，并入選VIP (Very Important Paper)。

本發(fā)明涉及一種基于 MEMS 系統(tǒng)的高靈敏度高分辨率的微型溫度傳感器及監(jiān)測方法，包括兩組 V 型彎曲梁組件，其中每組 V 型彎曲梁組件包括若干上下疊放的 V 型梁，所述每組 V 型彎曲梁組件的所 有 V 型梁同中心，且同時固定在一個固定塊上；兩組 V 型彎曲梁組件通過連接桿與固定在一個杠桿的 一端，所述杠桿另一端設(shè)有壓電陶瓷，壓電陶瓷的上下斷面分別是接電的上電極和下電極。本發(fā)明可以 感應(yīng)極其微小的溫度變化并且將之轉(zhuǎn)換為較大的電信號輸出，能夠顯著

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長時間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用； ※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。 ???????