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隔熱材料高溫熱導率非穩態法測試系統
熱導率、熱擴散率和比熱是物質非常重要的熱物理性能參數，也是進行絕熱設計和熱分析計算不可或缺的關鍵參數。基于非穩態平面熱源法的高溫可變氣壓熱導率測試系統，可為納米超級隔熱材料、航空航天熱防護材料、能源及建筑保溫材料的制備和應用相關部門提供可靠的熱導率和熱擴散率測試手段。測試系統主要主要由平面熱源、高溫環境箱及數據采集系統等組成，如圖 1所示，給平面熱源通以一定形式（階躍或脈沖式）的加熱電流 I(t)，同時用熱電偶測量距熱源為 x 的位置處材料內部的溫度變化 T(x,t)，根據熱源-試樣測量系統的傳熱數學模型及其非穩態導熱方程的解析解，通過基于最小二乘擬合的參數估計算法，可以同時確定出設定溫度和氣壓條件下被測材料試樣的熱導率、熱擴散率和體積熱容三個熱物性參數。對于階躍式加熱，溫度響應公式為：圖1熱導率測試范圍：0.005～5 W/（m.K） ；測試精度：5%；溫度范圍：RT～1200℃；氣壓范圍：10～105Pa 。
北京科技大學
2021-04-13
基于非均布并聯機構的水果采摘裝置
本發明公開了一種基于非均布并聯機構的水果采摘裝置。包括定平臺、四臺電機、四組控制臂、動平臺、末端采摘機構和控制系統；定平臺豎直放置，四臺電機均經各自的控制臂與位于定平臺前方的動平臺相連接，動平臺前部安裝有用于采摘水果的末端采摘機構，四臺電機和末端采摘機構均與控制系統連接。本發明可任意角度控制末端采摘機構對水果的位置定位，任意角度摘果，大大減小采摘機構的慣性和增加采摘機構的精確性；采摘時能減少水果損傷，具有靈活、精確、快速、低損傷的水果采摘優勢。
浙江大學
2021-04-13
一種薄膜非連續卷繞輸送模切裝置
本發明提供一種薄膜非連續卷繞輸送模切裝置，包括：放料輥，用于對成卷柔性薄膜的放卷；收料輥，用于對成卷柔性薄膜的收卷；輸送對輥，設在所述放料輥和收料輥之間，用于完成薄膜進給；摩擦對輥和設在放料輥上的滑差軸，用于協作保持薄膜在進給過程中的張力穩定；模切機，用于完成薄膜裁切；工業相機，用于對薄膜的模切切痕成像；工業計算機，用于對模切切痕成像進行圖像處理，處理得到的誤差作為薄膜輸送進給步長的精度補償。本發明通過視覺裝置識別薄膜上的模切切痕，圖像處理所得薄膜進給誤差，補償下一步薄膜進給步長，有效保證薄膜非連續卷繞進給工況下，模切機薄膜進給精度和裁切切口均勻性。
華中科技大學
2021-04-11
改進Crypten-MFCC的非侵入式負荷監測方法
本發明公開了改進Crypten?MFCC的非侵入式負荷監測方法，針對非侵入式負荷監測NILM信號的頻域特性，采用線性濾波器組替代Mel濾波器，動態調整對數能量基準并優化離散余弦變換DCT系數提取，融合差分特征與時域統計量，提高狀態識別精度；結合Crypten框架對支持向量機SVM模型進行加密訓練，基于安全多方計算協議實現多方數據協同建模，通過加密梯度共享完成參數更新，確保數據與模型隱私。進一步引入二進制秘密共享技術降低加密計算復雜度，結合交叉驗證動態優化參數，實現高效實時分類。該方法在保障數據隱私的同時，提升監測精度與效率，適用于智能電網、家居等場景的設備監測與管理。
南京工程學院
2021-01-12
非控環境下基于視頻的人臉識別系統
本項目實現自然視覺監控環境下單/多人的人臉檢測、跟蹤及識別。系統能實現單樣本條件下，完成視頻中所出現人物的身份判別，能應對自然監控環境下的光照、姿態、表情變化及面部遮擋物的改變。目前，系統識別精度在千人庫小規模測試中達到 95%以上，識別速度為 25 幀/秒。系統主要特點在于：
(1) 不同環境下的人臉特征點標記：以主動外觀模型為基礎，初始化后經過一組級聯回歸器的數次迭代來優化標記點，最終得到足夠精度的標記點。方法能適應多姿態、多表情以及多種光照等自然環境下的人臉。
(2) 高效的有效人臉檢測、跟蹤及確認機制：在監控視頻中，人臉在某些幀會出現模糊、嚴重遮擋而使得臉部特征嚴重缺失，此時所捕捉到的人臉已不適合進行識別。為此，通過建立高效的模糊及遮擋判別機制，自動拋棄原始檢測到的非人臉和非正常人臉，完成非連續幀多個人臉的有效跟蹤。
(3) 魯棒且具有區分度的人臉特征提取機制：考慮到校正后的人臉仍然與原始樣本人臉存在差距，從多個尺度從校正后的歸一化人臉中提取不變性特征，能適應多種環境改變，同時設計特征投影空間，進一步加強樣本區分度。
(4) 高速有效的識別確認機制：為提高識別的準確性，建立視頻識別序列中正確識別確認機制，通過 voting 方式，刪除序列中的誤識別，保留正確識別結果。
此外，為提高系統對人臉表情和眼鏡等遮擋物的適應性，正在進行二次版本的提升工作，目前已完成人臉表情歸正以及遮擋物自動摘除的仿真，部分仿真結果。
江南大學
2021-04-13
上海昨非實驗室設備有限公司
上海昨非實驗室設備有限公司
2022-07-19
昨非 全自動移液工作站-文鰩
上海昨非實驗室設備有限公司
2022-07-19
晶圓級二維半導體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學
2021-04-11
高效率薄膜晶硅納米構架柔性太陽光伏項目
高性價比太陽光伏電池技術，及其低成本規模化開發應用，是我國中長期科技發展規劃中所框定的重點“能源領域”技術突破方向之一。新一代高性能柔性薄膜太陽能電池為豐富光伏器件應用和推廣太陽能建筑一體化提供關鍵基礎，而其實現的核心技術在于制備高品質、穩定且低成本的柔性薄膜材料。本項目在可規模化應用的柔性薄膜襯底上實現低溫晶硅薄膜外延生長、分離轉移、器件優化和先進納米構建框架等一系列核心技術。同時，通過融合和集成先進納米構建體系和材料性能調控，探索新一代高性價比薄膜光伏電池。
南京大學
2021-04-14
自增強 6 型雜 化串晶改性聚丙烯材料及制品
項目簡介： 常規聚丙烯 ( PP) 材料存在強度低、韌性差、單位體積質量難以進一步降低等缺陷。本項目基于這一現狀，利用分子
西華大學
2021-04-14