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產品詳細介紹特點： 1．同時測量電壓、電流真有效值和功率損耗，采用乘積法測試方案，符合IEC標準推薦的測試方法 2．具有材料振幅磁導率ma、飽和磁感應強度Bs測量功能 3．測試頻率任意設定，連續可調 4．具有磁化電流波形監視功能 5．遙控輸出，方便生產線批量產品快速檢測 6．連接簡單，操作簡便、快速，5-10秒鐘得到測試結果

產品詳細介紹特點:1.具有優良的磁屏蔽作用.2.單位空間電感值高,易于實現小型化.3. 可安裝調整磁芯,對電感量進行微調。用途:在通訊系統中作可調LC濾波器,各種變壓器及電感器、傳感器等。 專業提供P3.0—P26系列罐型磁心、及配套骨架卡座卡黃及器件成品。可以根據您的需求設計罐型磁心及器件。 并配套提供P18、P22、P26可調電感螺紋磁心。 磁導率從幾十到一萬,電感系數可根據我公司的磁芯材料進行生產.

產品詳細介紹

成果介紹鐵磁（FM）/非磁（NM）結構的雙層膜中發現的自旋泵浦（spin pumping）效應是磁學和自旋電子學中的一個突破性發展，因此吸引了眾多的研究興趣。它和鐵磁層自旋極化電流相關，同時又和非磁層的自旋軌道耦合有直接聯系。本項目采用具有較高的自旋軌道耦合系數的稀土金屬調制非磁層，運用鐵磁共振和輸運兩種方法，并結合結構、磁性和同步輻射分析等手段，研究不同稀土摻雜對鐵磁/非磁過渡-稀土合金（Py/NM-RE）復合納米雙層膜的結構和界面的影響，得到自旋泵浦強度、界面混合電導以及非磁層的自旋軌道耦合強度和自旋擴散長度的調控規律。從而探索該復合納米雙層膜中的界面自旋泵浦效應和非磁層自旋軌道耦合對自旋動力阻尼的影響機制。這些研究結果將有利于開發新型復合磁性材料和新型強自旋-軌道耦合的非磁材料，有利于集成多功能自旋器件。

在過去的二十年里，磁電材料因其在磁傳感器、能量回收器、微機電系統、可調微波器件等工程領域的應用潛力，一直以來得到了研究者的廣泛關注。為了實現強的磁電耦合，北京大學工學院的研究者們利用不同的壓電和壓磁材料制備了諸如0-3型、3-1型、2-2型和2-1型的磁電復合材料。 北京大學工學院實驗室通過激光處理壓磁材料FeBSi合金(Metglas)，提出了1-1型的磁電復合結構。實驗測試得出：1-1型磁電材料具有超高的磁電系數（超過7000 V/cm Oe），相比于現有結果提高了接近7倍。當被測磁場頻率為復合材料的諧振頻率時，在室溫條件下測到了1.35×〖10〗^(-13)Tesla的微弱磁場，這是塊體磁電復合材料領域的重要突破。該研究還發現，激光快速退火處理可以顯著降低壓磁材料在諧振頻率點的交流損耗，從而提高1-1型磁電結構的機械品質因子。此外，1維（1D）的結構也有利于降低退磁因子，并增強磁通聚集效應。

項目簡介 在過去的二十年里，磁電材料因其在磁傳感器、能量回收器、微機電系統、可調微波器件等工程領域的應用潛力，一直以來得到了研究者的廣泛關注。為了實現強的磁電耦合，北京大學工學院的研究者們利用不同的壓電和壓磁材料制備了諸如0-3 型、3-1 型、2-2 型和2-1型的磁電復合材料。北京大學工學院實驗室通過激光處理壓磁材料FeBSi 合金 (Metglas)，提出了1-1 型的磁電復合結構。實驗測試得出：1-1 型磁電材料具有超高的磁電系數（超過7000 V/cm Oe），相比于現有結果提高了接近7 倍。當被測磁場頻率為復合材料的諧振頻率時，在室溫條件下測到了1.35×〖10〗^(-13)Tesla 的微弱磁場，這是塊體磁電復合材料領域的重要突破。該研究還發現，激光快速退火處理可以顯著降低壓磁材料在諧振頻率點的交流損耗，從而提高1-1 型磁電結構的機械品質因子。此外，1 維（1D）的結構也有利于降低退磁因子，并增強磁通聚集效應。應用范圍基于磁電耦合效應，該項研究課題組首次提出了磁電磁通門的結構設計，旨在對微弱直流磁場進行探測。這個磁電磁通門具有梭形結構，對于1nT 的直流磁場輸入，磁電磁通門輸出信號的相對變化相比現有的結果提高了4-5 倍，為磁異常探測在導航、醫學診斷等領域的應用創造了可能。項目階段本課題組同內窺鏡團隊合作，發展了基于磁電耦合原理的磁電傳感器陣列和磁成像系統，研制了國內首臺磁電磁成像樣機。該樣機核心組成部分由56 路磁電傳感器、驅動電路、信號采集與處理、磁成像顯示等構成。該磁成像系統不僅能夠檢測磁性金屬物的存在，而且還能準確判斷其位置、姿態，定位偏差縱向在1.2cm 以內，橫向偏差在0.5cm 以內。另外，通過對金屬棒掃描和采集信號的微分處理，還可以判斷金屬棒的長、徑比值。該項研究提出的磁成像系統在安檢、醫學上人體內磁性藥囊實時監測方面具有較大應用價值。知識產權已申請相關專利。合作方式 技術轉讓、合作開發。

概述： FCP磁場控制平臺是根據磁控原理設計的理想磁測量系統，磁場范圍超過3T，利用TESTIK475高斯計穩定磁場控制，適合各系列電磁鐵配置，連續可變的電磁氣隙，實心的和光學入口極帽，線型雙極，真實四象限電磁鐵電源。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 錦正茂磁場控制平臺磁控原理磁測量系統 FCP磁場控制平臺控制特征： TESTIK475型高斯計努力保持確切的磁場密度，用戶輸入的控制設定點，用G、T、Oe、A/m來表示。北京錦正茂的電磁鐵磁場控制平臺集成了硬件和控制部件來形成一個變化的磁場平臺，可以被獨立的被利用或做為用戶設計的測量系統的一個基礎。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 錦正茂磁場控制平臺磁控原理磁測量系統 ※ 磁場控制平臺包括錦正茂公司的電磁鐵、雙極電源、具有控制能力的DSP技術的高斯計、霍爾探頭及支架等。 錦正茂提供的磁場控制平臺具有不同的配制用來滿足在磁場強度、磁場均勻性、樣品尺寸、自定義測量要求等基礎之上的用戶要求。可以獨立的形成用戶所需要的不同磁場強度的可變磁場。廣泛用于磁光測量系統、VSM測量系統、在線退火、霍爾效應、磁化率測量、自旋磁共振、B-H曲線測量和精準的傳感器校準等領域。 475高斯計從高斯計霍爾探頭得到反饋來計算并調整控制（模擬）輸出。為了更大程度實現控制的穩定性，475型高斯計每33毫秒更新模擬輸出。結果是一個內置的PI 控制器提供了峰值-到-峰值的0.5 G*的磁場穩定性。 ※ 當設定點速率激活的時候，儀器會開始從當前磁場讀數加速而不是當前設定點，基于對P和I的設定。另外，475高斯計能設定速率來控制設定點，從當前磁場讀數到一個新的值，使用一個磁場中平滑線性變換而不是瞬態特性的PI控制。 ※ 開環磁場控制也可能用手動輸出來使用475模擬輸出，這意味著忽視了反饋并且模擬輸出停留在手動用戶調整。這個方法使磁體電源操作處于恒定電流模式。 ※ 475也包含了用戶可設定的控制斜率限制和模擬輸出電壓限制。這些軟件限制保證了磁體電源如果磁場控制系統遭到不合適的調整或開始擺動而不會損壞。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ FCP磁場控制平臺標準配置： TESTIK475有1個計算機接口：RS-232串口:。這個接口可以設置所有儀器參數和測量值得讀回。在磁場控制期間，接口的讀數率是額定每秒30個讀數。475的LabVIEW驅動是提供的（選配）。磁場控制平臺不含應用軟件。    

本發明公開一種降糖藥達格列凈的制備方法，該方法以4?羥基苯甲醛為起始原料，經烷基化、羰基還原、氯代與對溴乙酰苯胺發生烷基化反應、重氮化、氯代得到達格列凈中間體5?溴?2?氯?4'?乙氧基二苯甲烷，然后將中間體與2,3,4,6?四?O?三甲基硅基?D?葡萄糖酸內酯經縮合、醚化、脫甲氧基得到降糖藥達格列凈。本發明的工藝路線所用原料價格便宜易得，工藝容易實現工業化，所得最終產品純度高；而且，本發明的工藝路線新穎，合成路線短，且反應中無危險復雜工藝，設備簡單，操作簡便，適合工業化生產。

該成果創新性地基于二維半導體的硅基同質器件，首次提出了類腦功能的“傳感-計算-存儲一體化”神經形態芯片架構，實現了光電傳感、放大運算、信息存儲功能的一體化集成，為突破馮·諾依曼瓶頸和實現類腦智能提供了一種全新思路。 繆向水教授團隊，長期從事相變存儲器芯片、存算一體憶阻器芯片技術研究。2018年出版了國內第一本憶阻器專著《憶阻器導論》，2019年團隊93項三維相變存儲器芯片專利許可給芯片公司并合作開發產品，并與行業龍頭企業合作建立了聯合實驗室，推動存儲器芯片技術的成果轉化以及未來引領技術的探索。曾榮獲國家科技進步獎2項、湖北省技術發明一等獎1項。 同質晶體管-存儲器架構的原理及器件結構 繆向水團隊長期從事相變存儲器芯片、存算一體憶阻器芯片技術研究。2018年出版了國內第一本憶阻器專著《憶阻器導論》，2019年團隊93項三維相變存儲器芯片專利許可給芯片公司并合作開發產品，并與行業龍頭企業合作建立了聯合實驗室，推動存儲器芯片技術的成果轉化以及未來引領技術的探索。曾榮獲國家科技進步獎2項、湖北省技術發明一等獎1項。