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產品詳細介紹該型號電腦元素分析系統是國內新型的材料元素檢測儀器，她基于強大的windows操作平臺以及先進的生產工藝、技術將傳統的生產方式合而為一，一套設備可滿足碳鋼、合金鋼、不銹鋼、高錳鋼、耐磨材料、生鑄鐵、球鐵、合金鑄鐵等材料中碳硫元素的定量分析。 儀器配置：    1 品牌電腦主機1臺     2 品牌19吋寬屏液晶顯示器1臺      3 臺式噴墨打印機1臺 4 電弧燃燒爐1臺  5 碳硫分析箱1臺 6 碳硫控制箱1臺7 電子天平1臺主要技術指標：測定范圍：碳0.02-10.00%（需改變稱樣量）      硫0.001-2.00%；測量時間：45秒左右；測量精度：測量精度：符合GB/T223.69–1997標準，GB/T223.68-1997標準； 電源電壓：220V±10%50HZ 主要特點：電腦全程自動控制，動態顯示整個工作流程；可儲存多條工作曲線，對鋼、鐵及其它材料可選用不同的工作曲線；碳、硫零點電腦自動采集，滿度自動跟蹤，徹底消除人為誤差；電子天平連機不定量稱樣，極大地提高了分析速度；電腦自動處理數據、自動換算；根據需求可保存日期，測試結果等相關數據，也可任意查詢、打印保存的原始檔案；氣體容量法定碳（液體吸收或固體吸收），注射式滴定法定硫。采用先進的冷光源技術，硅光電池控制自動滴定，快慢分速明顯，滴定終點更穩定，測試精度明顯高于同類產品。配置了品牌電腦，臺式打印機 打印測量結果；金牛儀器服務承諾：1、所售化驗儀器三包一年，終身服務，產品售后服務熱線電話24小時開通，定期回訪客戶； 2、免費為客戶安裝、調試、代辦托運化驗儀器 ；3、免費培訓化驗人員，現場培訓或來公司培訓均可；4、提供材料分析工藝，代辦化驗儀器配套理化檢測設備和配件；協助籌建化驗室 5、常年提供化驗儀器所需各種配件(特制硅鉬粉、純錫粒、各種標準物質、玻璃器皿、分析天平、添加劑等儀器所需的各種配件)。http://www.jnfxyq.com

產品詳細介紹  南京固琦分析儀器制造有限公司專業制造各類碳硫分析儀器，微機碳硫分析儀器，碳硫高速分析儀器，高智能碳硫分析儀器，南京碳硫分析儀，碳硫檢測儀，碳硫聯測分析儀, 化驗室儀器，碳分析儀器，電腦碳硫分析儀器，智能定硫儀，爐料分析儀，非水碳硫分析儀器，非水碳硫儀，硫分析儀器，紅外碳硫分析儀，高頻紅外碳硫分析儀，高頻紅外碳硫儀，數顯碳硫分析儀器，數顯碳硫儀，管式碳硫分析儀，管式碳硫儀，智能碳硫分析儀器，自動分析儀器，智能化驗儀器，智能分析儀器，快速碳硫分析儀、化學分析儀，分析儀器，化驗儀器，化驗設備，不銹鋼成分測定儀,化學元素分析儀, 電化學分析儀,實驗室分析儀器, 智能元素分析儀，微機元素分析儀，三元素分析儀器，可測定工業材料中碳、硫、錳、磷、硅、鎳、鉻、鉬、銅、鈦、鋅、釩、鎂、稀素的含量土等元素。儀器測量范圍廣、精度高，高、中、低檔齊全，并能接受用戶特殊定貨。廣泛應用于鋼鐵分析儀器、冶金化驗儀器、鑄造化驗設備、機械分析儀器，化工分析儀器、礦山開發設備等行業及質量監督部門和大專院校。(http://www.gqfxy.com) 025-57357222 13851978239)。

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本發明涉及一種用于鋰離子電池、超級電容器的高能量密度的碳納米球/NiCo2O4 復合材料及其制備 方法與應用，所述的碳納米球/NiCo2O4 復合材料是粒徑為 100-300nm 的核殼結構納米微球，其內層是粒 徑為 50-200nm 的碳納米球，外層是厚度為 20～100nm 的 NiCo2O4 包覆層。其制備方法為：先將粒徑為 50-200nm 的碳納米球與油酸鈉混合后超聲分散均勻；然后加入弱堿、Co2+和 Ni2+，混合均勻后水熱處 理得

本發明公開了一種用于多晶硅鑄錠爐的隔熱塊，設置在多晶硅鑄錠爐的坩堝底部外周，用于坩堝加熱或冷卻多晶硅過程中的隔熱保溫，該隔熱塊為中空方形筒體結構，筒體筒壁為中空夾層結構，其中內壁用于包覆設置在坩堝底部的熱交換塊外周壁面，且該內壁與所述熱交換塊外周壁面具有間隙，所述外壁用于與設置在坩堝外圍的豎直隔熱板固定接觸，所述坩堝中心線、熱交換塊中心線以及隔熱塊中心線重合，且所述隔熱塊頂部低于熱交換塊頂部。本發明還公開了具有

首次使用炔烴作為卡賓前體完成了一例不對稱Si-H鍵插入反應，高效構筑了一類新型手性有機硅化合物。該反應使用手性羧酸雙銠催化劑，首先促進羰基-烯-炔底物發生分子內環化現場生成雙芳基金屬卡賓，該金屬卡賓中間體進而對硅烷的Si-H鍵發生高對映選擇性的插入反應，給出相應的手性有機硅化合物。該反應的條件溫和，底物適用范圍廣，大部分產物的ee值都能達到90%以上。所得的手性烯丙基硅產物能夠進一步轉化，例如發生烯丙基乙酰化反應，對映選擇性能夠得到很好的保持，因此在有機合成中具有一定的應用潛力。動力學實驗表明，反應對雙銠催化劑、硅烷展現出一級動力學效應，對底物則表現出零級動力學特征，說明銠卡賓對Si-H鍵的插入步驟是反應的決速步，這與動力學同位素實驗的結果（KIE=1.5）相一致。本研究表明炔烴作為卡賓前體同樣可以發生高對映選擇性的Si-H鍵插入反應，結合炔烴化學在從簡單原料構筑復雜產物上的優勢，為結構多樣性有機硅化合物的合成提供了新的方向。

傳統的CCD、CMOS硅基成像器件都不能響應紫外波段的光信號，這是因為紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很?。?lt;2nm）。但是近年來隨著紫外探測技術的日趨發展，人們越來越需要對紫外波段進行更深的探測分析與認識。紫外探測技術是繼激光探測技術和紅外探測技術之后發展起來的又一軍民兩用光電探測技術。幾十年來，紫外探測技術已經逐漸應用于光譜分析、軍事、空間天文、環境監測、工業生產、醫用生物學等諸多領域，對現代科研、國防和人民生活都產生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內急迫需要響應波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是應用最廣泛的光電探測器件。當前最先進的光譜儀器大都采用了CCD或CMOS作為探測器件，這是因為CCD、CMOS具有靈敏度強、噪聲低、成像質量好等優點。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段響應都很弱。成像器件的這種紫外弱響應限制了其在先進光譜儀器及其他領域紫外波段探測的使用。 在技術發達國家,寬光譜響應范圍、高分辨率、高靈敏度探測器CCD已經廣泛應用于高檔光譜儀器中。上世紀中葉美國Varian公司開發的Varian700 ICP-AES所使用的寬光譜CCD檢測器分辨率達0.01nm,光波長在600nm和300nm時QE分別達到了84%和50%；美國熱電公司開發的CAP600 系列ICP所用探測器光譜響應范圍更是達到165～1000nm，在200nm時的分辨率達到0.005nm.法國Johinyvon的全譜直讀ICP，其所用的CCD探測器像素分辨率達0.0035nm,紫外響應拓展到120nm的遠紫外波段。德國斯派克分析儀器公司的全譜直讀電感耦合等離子體發射光譜儀一維色散和22個CCD檢測器設計，其光譜響應范圍為120－800nm。德國耶拿JENA 連續光源原子吸收光譜儀contrAA采用高分辨率的中階梯光柵和紫外高靈敏度的一維CCD探測器，分辨率達0.002nm,光譜響應范圍為189—900 nm?？偠灾?，發達國家在寬光譜響應和高分辨率高靈敏度探測器件的研制領域已取得相當的成就。主要技術指標和創新點（1）  我們在國內首次提出紫外增強的硅基成像器件，并在不改變傳統硅基成像探測器件的結構的基礎上，利用鍍膜的方法增強成像探測器件CCD、CMOS的紫外響應，使其光譜響應范圍拓寬到190—1100nm，實現對190nm以上紫外光的探測。（2）  提高成像探測器的紫外波段靈敏度，達到0.1V/lex.s。（3）  增強成像探測器件的紫外響應的同時，盡量不削弱探測器件對可見波段的響應。（4）  選用適合的無機材料，克服有機材料使用壽命短的缺陷。 紫外探測技術已經逐漸應用于光譜分析、軍事、空間天文、環境監測、工業生產、醫用生物學等諸多領域，對現代科研、國防和人民生活都產生了深遠的影響。特別是在先進光譜儀器方面，國內急迫需要響應波段拓展到紫外的硅基成像器件，該設計與傳統CCD、CMOS結合，能滿足寬光譜光譜儀器所需的紫外響應探測器的需要。能提高光譜儀器光譜響應范圍，在科學實驗和物質分析和檢測中具有很廣的市場前景。 該設計樣品能取代傳統CCD、CMOS，應用于大型寬光譜光譜儀器上，作為光譜儀的探測器件。將傳統光譜儀器的光譜檢測范圍拓寬到190—1100nm. 實現紫外探測和紫外分析。具有較強的市場推廣應用價值。

北京大學物理學院“極端光學創新研究團隊”王劍威研究員和龔旗煌院士領導的課題組，與英國、丹麥、奧地利和澳大利亞的學者合作，實現了硅基集成光量子芯片上的多體量子糾纏和芯片-芯片間的量子隱形傳態功能，為芯片上光量子信息處理和計算模擬的應用，奠定了堅實的基礎。相關研究成果于近日發表在國際頂級物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技術，結合了量子物理、量子信息和集成光子學等前沿學科，通過半導體微納加工制造高性能且大規模集成的光量子器件，實現對光量子信息的高效處理、計算和傳輸等功能。其中，利用硅基平面光波導集成技術的光量子芯片具有諸多獨特優勢，包括集成度高、穩定性好、編程操控性優越和可單片集成核心光量子器件等，因此被認為是一種實現光量子信息應用的重要手段之一。 A. 硅基量子隱形傳態和多光子量子糾纏芯片的示意圖，左上角為集成量子光源的電子顯微鏡圖；B. 量子隱形傳態的量子線路圖；C. 量子糾纏互換的量子線路圖；D. GHZ糾纏制備的量子線路圖 北京大學研究團隊與布里斯托爾大學、丹麥科技大學、奧地利科學院、赫瑞-瓦特大學和西澳大利亞大學科研人員密切合作，在硅基光量子芯片技術和應用方面取得了突破性進展。研究團隊發展了一種基于微環諧振腔的高性能集成量子光源，通過硅波導的強四波混頻非線性效應，實現了光子全同性優于90%、無需濾波后處理的50%觸發效率的單光子對源，達到了對4組微腔量子光源陣列的相干操控，片上雙光子量子糾纏源的保真度達到了92%。團隊實現了關鍵的可編程片上雙比特量子糾纏門，可以按照功能需要切換貝爾投影測量和量子比特焊接操作，通過量子態層析實驗確認了高保真的雙比特糾纏操作。 研究團隊在單一硅芯片上實現了高性能量子糾纏光源、可編程雙比特量子糾纏門，以及可編程單量子比特測量的全功能集成，進而實現了三種核心量子功能模塊——芯片上四光子真糾纏、量子糾纏互換、芯片-芯片間的高保真量子隱形傳態。通過對兩對糾纏光子對進行量子比特焊接操作，團隊實現并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子糾纏的存在；通過對兩對糾纏光子中各一個光子進行貝爾投影操作，實現了量子糾纏互換功能，使來自不同光子源的光子間產生了量子糾纏；利用兩個芯片間的量子態傳輸和量子糾纏分布技術，實現了兩個芯片間任意單量子比特的量子隱形傳態，達到了近90%的隱形傳態保真度。 團隊研制的硅基多光子量子芯片尺寸僅占幾平方毫米，比傳統實現方法小了約5-6個數量級，不僅達到了器件的微型化，同時具備了單片全功能集成、器件編程可控、系統性能優越等特點，其中量子隱形傳態保真度優于已報道的其它物理實現方法。多體量子糾纏體系的片上制備與量子調控技術，為片上量子物理基礎研究和片上光量子信息處理傳輸、量子計算模擬的應用提供了重要基礎。

本發明的首要目的是提供一種含硅含硼水性聚氨酯，本發明的另外一個目的是提供一種上述含硅含硼水性聚氨酯的制備方法，包括以下步驟：a、稱取大分子二元醇與TDI混合，在N2保護下升溫至70～90°C，反應1～3h，然后先加入DMPA反應1～2h，再加入BDO反應1～3h，降溫至60～70°C，接著滴加氨基封端的硅氧烷反應0.5～1.5h，降溫至30～50°C，得硅氧烷封端的聚氨酯；b、將硅氧烷封端的聚氨酯置于1500～2000rpm的轉速條件下,先加入TEA進行乳化、中和20～30min，再加入硼酸繼續乳化

環氧樹脂作為一種運用廣泛的高分子材料，主要優點有：①耐濕性、耐堿性、耐酸性和耐溶劑性好；②固化收縮率低；③介電絕緣性、力學性能優良；④與多種基材的粘接性能優異。但是，環氧樹脂耐熱阻燃性能差，極大限制了它在高性能化方向的應用。本項目采用磷、硅、氮三者協同阻燃體系改性環氧樹脂，不僅使環氧樹脂的阻燃性能達到不燃物標準，同時各元素比重都較低，相對降低由于某一種元素含量過高造成對環氧固化體系基體性能的過多影響。