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可用于生化檢測的多色熒光納米硅球的制備
1、成果簡介： 本研究組一直以來從事納米材料的生化分析研究，完成了多種量子點和微球的合成、修飾和相關的生化分析檢測，在多色量子點的標記和光譜識別研究中做了大量的工作。我們掌握了多種量子點和石墨烯量子點、納米金等納米材料的制備方法和表面修飾技術，成功地檢測了生物樣本中的多種重要成分。 我們創新性地設計了可用于檢測的多色熒光編碼的納米硅球，具有包含多個量子點的獨特結構和可調諧的熒光比率信號，功能修飾后的探針不僅提高了腫瘤標志物檢測的靈敏度，
吉林大學
2021-04-14
一種高功率大帶寬鍺硅光電探測器
本發明公開了一種高功率大帶寬鍺硅光電探測器。該探測器是 模擬光子通信系統和微波光子系統中的硅基關鍵集成光電子器件，其 特征在于包括多個并聯鍺層結構和電感。多個并聯的鍺層結構的多個 鍺層尺寸是可以不同的，以實現對寄生電阻的調控，在提高器件飽和 功率的同時保持了寄生參數不至顯著增加。同時，通過引入片上和片 外電感，實現對器件寄生電感的調控，抬升器件高頻處頻率響應，提 升器件工作帶寬。本發明提出的光電探測器采用集總電極結構
華中科技大學
2021-04-14
一種加工硅通孔互連結構的工藝方法
本發明公開了一種加工硅通孔互連結構的工藝方法，步驟為：①在基板上刻蝕盲孔；②在基板上沉積一層圖案化介電質層；③刻蝕圖案化介電質層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側壁的介電材料，在基板上形成介電質孔；④在介電質孔上沉積一層導電材料，形成導電孔；⑤在導電層上再沉積一層圖案化介電質層，填充導電孔；⑥刻蝕板背面，暴露出導電層，在導電層上形成焊料微凸點。圖案化介電質層的材料優選聚對二甲苯。本發明簡化了工藝步驟，減少工藝時間并降低了費用；使用二層圖案化介電質層，降低了寄生電容，提升了互連電性能，適用于高速和
華中科技大學
2021-04-14
鍺硅納米低維結構的可控制備方法及產品
本發明公開了一種鍺硅納米低維結構可控制備方法及產品，該 方法具體為：(a)清洗硅襯底；(b)在硅襯底上外延生長鍺硅合金形成外 延襯底；(c)涂敷電子抗蝕劑，通過電子束光刻技術在電子抗蝕劑上曝 光所需的鍺硅納米低維結構圖形；(d)采用干法刻蝕將鍺硅納米低維結 構圖形轉移到外延襯底上得到樣品；(e)去除樣品上的電子抗蝕劑；(f) 高溫環境下進行氧化和退火，使得氧氣優先與硅反應形成氧化硅而鍺 被析出；(g)在氮氫混合氣氛下
華中科技大學
2021-04-14
微型皮拉尼計與體硅器件集成加工的方法
本發明公開了一種微型皮拉尼計與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對有光刻膠掩膜的一面進行感應耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結構。本發明能有效提高皮拉尼計的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計與體
華中科技大學
2021-04-14
一種基于硅基液晶的偏振檢測系統及方法
本發明公開了一種基于硅基液晶的偏振檢測系統及方法，所述 偏振檢測系統包括檢偏器、光探測器、硅基液晶驅動模塊、控制單元 和用于相位調制的硅基液晶，硅基液晶在硅基液晶驅動模塊的驅動下 對待測光進行相位調節，獲取一系列偏振光，通過對這一系列偏振光 的分析獲取待測光的偏振信息，包括豎直方向與水平方向的振幅及相 位差。本發明的系統在精確可編程控制下，進行偏振態檢測與控制， 不受類似于波片的波長敏感性制約；且本發明采用硅基液晶進
華中科技大學
2021-04-14
耐超低溫有機硅密封膠生產技術
航空航天器、飛機、導彈、火箭、超低溫冷凍機、極寒冷地區工程機械和高速列車等設備，在極低溫度條件下運行時，對密封材料要求很高，一旦出現密封效果不佳或不可靠情況，會出現嚴重后果，極端情況會造成機毀人亡等重特大事故，形成嚴重的財產和人員損失。密封材料大多采用有機高分子材料，在低溫條件下，密封材料中分子熱運動減少，分子鏈段會變得僵硬甚至凍住，使之失去彈性，導致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料應用于上述設備和地域時，必須采用特殊制備的耐低溫硅橡膠才能保證安全及設備的穩定運行。這就要求密封材料必須具備
山東大學
2021-04-14
新一代硅烷法電子級晶體硅生產技術
上海交通大學
2021-04-13
承建丙烯酸涂料，硅PU塑膠藍、排、網、羽球場
產品詳細介紹承建丙烯酸涂料，硅PU塑膠藍、排、網、羽球場
廣州市奧力生體育設施有限公司
2021-08-23
低成本制備高效硅薄膜太陽電池關鍵技術研發
南開大學 1978 年在國內率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術獲得天津市技術發明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續 4個五年國家科技攻關計劃，獲科技部重點攻關和天津市科委的支持，經過 20 余年潛心研發，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。于 2003 實現非晶硅電池產業化。 2000 年始，在國內率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年，該成果實現技術轉移生產。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術的、襯底面積0.79m2、線列式 5 室連續 VHF-PECVD 系統及相應中試生產線及其組件制造技術。成為國際上為數不多可開展大面積新一代硅基薄膜太陽 電池研究的單位。 2011 年，開發出年產能 2 兆瓦、具有自主知識產權的、我國首條年產能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產線及其組件生產技術。生產出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池技術推向產業化。
南開大學
2021-02-01