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產(chǎn)品詳細(xì)介紹 南京金牛高速分析儀器有限公司專業(yè)制造各類鋼鐵成分分析儀器,鑄造生鐵化驗儀,有色金屬分析儀，多元素分析儀，高頻紅外碳硫分析儀，電腦碳硫分析儀，五大元素分析儀等高速分析儀器，產(chǎn)品高、中、低檔齊全。一、碳硫主要技術(shù)指標(biāo)：1、測量范圍：碳0.02％～6.00％  硫0.002％～2.00％;2、測量時間：C、 S約45秒;3、測量精度：符合GB/T223.69-97　GB/T223.68-97標(biāo)準(zhǔn);二、元素分析主要技術(shù)指標(biāo)：1、分析方法：光電比色分析法;2、量程范圍：吸光度值0～1.999A、濃度值0～99.99％;3、測量精度：符合GB223.3－5.88標(biāo)準(zhǔn);4、可測元素：錳、磷、硅、鎳、鉬、鉻、鈦、銅、鉛、鋅、鐵、鋁、鎂、稀土、鈮、釩等元素的分析;5、電源電壓：220v±10%  50Hz ;三、碳硫主要特點：1、氣體容量法差壓式定碳、碘量法定硫；2、單片機(jī)控制電路，工作過程全自動操作、徹底消除人為誤差、性能穩(wěn)定可靠；3、進(jìn)口精密傳感器檢測數(shù)據(jù)，測量準(zhǔn)確，自動打印測量結(jié)果。4、啟動一次完成碳硫全部測定。操作簡單、維修方便。四、元素分析主要特點：1、零點、滿度均可自動調(diào)整，無需準(zhǔn)確調(diào)整，直讀吸光度或百分比含量，自動打印結(jié)果，包括爐號、日期、濃度百分含量；2、采用單片機(jī)控制電路，可儲存15條曲線；3、采用精密觸摸式鍵盤，32鍵音響提示，操作簡單、適用、穩(wěn)定性好；4、更換不同的冷光源或濾光片，可擴(kuò)大測量元素的種類和含量范圍；5、采用先進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換技術(shù)，適用于各種金屬材料化驗。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點： ※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長時間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用； ※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。 ???????

成果簡介：本發(fā)明涉及一種季銨鹽-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物抗菌涂層材料。通 過可逆加成-斷裂鏈轉(zhuǎn)移自由基或大分子引發(fā)劑自由基聚合的方法，制備聚二甲 基硅氧烷-b-[聚甲基丙烯酸 N,N-二甲氨基乙酯-b-聚甲基丙烯酸六氟丁酯-b-聚 (甲基丙烯酸六氟丁酯-co-甲基丙烯酸羥乙酯)]2 多嵌段共聚物。然后加入 1-碘 辛烷進(jìn)行季銨化反應(yīng)，制得季銨鹽-氟硅丙烯酸酯嵌段共聚物。該方法的優(yōu)點是 反應(yīng)操作簡便，反應(yīng)條件溫和，反應(yīng)過程具有較好的可控性。制備的多嵌段共聚 物具有良好的成膜性和抗菌性能。這種多嵌段共聚物可以廣泛應(yīng)用于抗菌涂層材 料。 成果水平： 國內(nèi)領(lǐng)先 應(yīng)用范圍：廣泛應(yīng)用于織物、室內(nèi)裝飾、建筑物的內(nèi)、外墻、頂棚或地面、以及 家具表面。 市場分析及前景：微生物廣泛存在于自然界，通常細(xì)菌適宜繁殖生長的自然條件 為溫度 23℃～38℃，相對濕度為 85%～100%，因此在溫濕地區(qū)的建筑物內(nèi)外墻 面，以及家具表面等適合細(xì)菌生長的表面，它們繁衍迅速．并由此生出各種酶、 酸和毒素的代謝產(chǎn)物，從而影響物品的外觀與質(zhì)量，污染環(huán)境，危害動植物的生 長和人類的健康，我國南方地區(qū)多雨潮濕，很容易滋生細(xì)菌，抗菌涂料具有筑裝 飾和防霉作用的雙重效果，具有廣闊的應(yīng)用前景。目前抗菌涂料的研發(fā)處于初始 階段，具有良好的發(fā)展前景。 主要技術(shù)指標(biāo)：抗菌性能： 測試方法：瓊脂平板法。 測試結(jié)果：在 37℃下，對大腸桿菌、枯草桿菌等進(jìn)行 24 小時培養(yǎng)，具有顯著的 抗菌效果。 合作方式：技術(shù)轉(zhuǎn)讓，100 萬元。

伴隨著我國半導(dǎo)體行業(yè)的迅速崛起，硅電極作為光刻設(shè)備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч桦姌O，然而多晶硅制備過程中不可避免存在C、N雜質(zhì)的污染，導(dǎo)致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒夾雜，嚴(yán)重影響了多晶硅電極的使用性能。 傳統(tǒng)制備技術(shù)下，設(shè)備熱場結(jié)構(gòu)單一，熔體流動性差，導(dǎo)致SiC、Si3N4雜質(zhì)循環(huán)溶解—析出，難以有效分離。本項目團(tuán)隊前期利用電子束精煉技術(shù)去除硅中的蒸發(fā)性雜質(zhì)（P、 O、N）；利用電子束誘導(dǎo)實現(xiàn)多晶硅的定向凝固，進(jìn)而分離硅中的金屬雜質(zhì)；基于電子束冷床效應(yīng)分離硅中的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒，并揭示硬質(zhì)顆粒與硅基體間的位相關(guān)系；基于上述研究開發(fā)出了多晶硅電極的制備工藝，可應(yīng)用于刻蝕等半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。 本項目預(yù)期可以為半導(dǎo)體行業(yè)中硅電極生產(chǎn)制造企業(yè)提供穩(wěn)定的技術(shù)支持，具有很好的生產(chǎn)示范性，實現(xiàn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。該技術(shù)能夠有效地降低生產(chǎn)過程中的能耗，是一種低成本、環(huán)境友好的生產(chǎn)方法，屬于節(jié)能、環(huán)保的綠色制造技術(shù)。該技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用和推廣，可大幅增加就業(yè)崗位，提高企業(yè)的市場競爭力，保護(hù)環(huán)境。

關(guān)鍵工序生產(chǎn)的自動化 ① 粉碎（雷蒙磨）自動控制系統(tǒng)的研發(fā)   研制可對粉碎車間雷蒙磨振動下料、粉碎、氣流粗分工況進(jìn)行實時監(jiān)測、自動優(yōu)化控制的自動監(jiān)控系統(tǒng)。將雷蒙磨因堵塞停機(jī)造成的故障次數(shù)比現(xiàn)階段減少75%，且提高工效15%以上。    ② 氣流分級自動控制系統(tǒng)的研發(fā)   研制氣流分級機(jī)用自動控制系統(tǒng)，具備以下功能：可根據(jù)分級輪主機(jī)負(fù)載實時自動調(diào)節(jié)喂料速度、根據(jù)所設(shè)定的風(fēng)壓值自動調(diào)整變頻器運(yùn)行、根據(jù)生產(chǎn)工藝要求自動向企業(yè)綜合信息平臺實時發(fā)送生產(chǎn)工況參數(shù)。    ③ 提純工序?qū)崟r檢測與信息管理系統(tǒng)的研發(fā)   開發(fā)可對提純缸、脫水機(jī)、烘干爐等主要設(shè)備工況進(jìn)行實時監(jiān)控的智能化監(jiān)控儀設(shè)備。    ④ 水力分級自動控制系統(tǒng)的研發(fā)   研發(fā)水力分級設(shè)備用自動控制系統(tǒng)，可根據(jù)工藝曲線要求自動控制水流量。采用水泵變頻控制，變常規(guī)的高低液位控制為恒液位控制，液位控制精度達(dá)到0.3%；研制出料自動切換裝置，實現(xiàn)出料無人值守。 ⑤ SiC冶煉爐在線自動測控裝置的研發(fā)   研制SiC冶煉爐在線自動測控裝置，可按冶煉工藝和爐溫自動進(jìn)行恒功率綜合優(yōu)化控制，爐溫控制精度達(dá)到2.5級。成果已在工廠正常運(yùn)行3年。獲得4項發(fā)明專利授權(quán)，5項軟件著作權(quán)授權(quán) 雷蒙磨粉碎自動檢測方法及裝置                   專利號：ZL200810020792.3 一種提高碳化硅微粉水溢流分級效率的精密控制方法 專利號：ZL200910035173.6 一種燃煤鍋爐能效監(jiān)測方法                      專利號：ZL201110091483.7 陣列式LED照明燈具的中心區(qū)域溫度動態(tài)控制方法  專利號：ZL201210356239.3 一種經(jīng)濟(jì)型燃煤鍋爐能效監(jiān)測系統(tǒng)及方法           專利號：ZL201110292517.9 一種低冗余度高可靠性船舶發(fā)電機(jī)組智能測速裝置 專利號：ZL201110058228.2一種手機(jī)可遙控的總線型區(qū)域供熱計量管理系統(tǒng) 專利號：ZL201010134495.9

擁有人工微結(jié)構(gòu)科學(xué)與技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新中心、固體微結(jié)構(gòu)物理國家重點實驗室、半導(dǎo)體節(jié)能器件及材料國家地方聯(lián)合工程中心以及江蘇省光電信息功能材料重點實驗室等科研平臺，在硅基納米結(jié)構(gòu)材料與性能調(diào)控，硅基光子學(xué)器件和新型能源器件等基礎(chǔ)研究領(lǐng)域具有很強(qiáng)的影響力。近年來，在硅基太陽能電池片研發(fā)及其新型結(jié)構(gòu)材料在電池片上應(yīng)用等方面開展了全方位的研究，承擔(dān)完成了國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃課題和國家自然科學(xué)基金重點項目等相關(guān)課題的研究。提出了漸變帶隙的納米硅量子點電池結(jié)構(gòu)，利用漸變帶隙進(jìn)一步拓寬電池的響應(yīng)光譜范圍，發(fā)展了包

實現(xiàn)多晶硅生產(chǎn)冷氫化工藝過程工程化的關(guān)鍵加熱系統(tǒng)裝置；降低成本40%，減少能耗2/3。8000小時以上無故障穩(wěn)定運(yùn)行加熱合成反應(yīng)器關(guān)鍵技術(shù)。

本發(fā)明公開了一種硅太陽能電池正面銀電極用銀粉的制備方法， 包括以下步驟：將硝酸銀和檸檬酸溶于去離子水配制得到 A 溶液；將 瓜爾豆膠、抗壞血酸以及硝酸溶于去離子水中配制得到 B 溶液；在攪 拌的情況下，將 A 溶液逐漸滴加到 B 溶液，反應(yīng)一段時間；靜置，沉 淀得到銀粉。本發(fā)明通過引入瓜爾豆膠為反應(yīng)離子分散劑、檸檬酸為 粒子表面改性劑，在液相化學(xué)還原法下制備得到平均粒徑 D50 為 1.0-3.0μm 的銀粉，并兼顧

本發(fā)明公開了一種基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點浮柵非易失性半導(dǎo) 體存儲器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導(dǎo)電 區(qū)和漏導(dǎo)電區(qū)，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長的隧穿氧化 層、電荷存儲層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲層包括 SiCx 織構(gòu)和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構(gòu)中的硅量子點。本發(fā)明有效利用硅 量子點-SiCx 織構(gòu)間的隧穿勢壘，構(gòu)成了控制柵氧化層-SiCx 織構(gòu)-Si 量子點-SiC

本發(fā)明公開的有機(jī)硅型海洋防污涂料基料，它的結(jié)構(gòu)如式（1），式中為含有殺菌劑側(cè)鏈的有機(jī)硅聚氨酯化合物，R為CH2CH3。制備步驟包括：1）氯丙基甲基二甲氧基硅烷和二甲基二甲氧基硅烷反應(yīng)得到含氯丙基聚硅氧烷；2）將含氯丙基聚硅氧烷、叔胺和含羥基叔胺回流反應(yīng)，生成含有季銨鹽與羥基的聚硅氧烷；3）將異氰酸酯、二月桂酸二丁基錫和含有季銨鹽與羥基與溶劑混合，加入γ-氨丙基三乙氧基硅烷進(jìn)行擴(kuò)鏈，得到含有交聯(lián)基團(tuán)-Si(OCH2CH3)的預(yù)聚體，預(yù)聚體在空氣中交聯(lián)縮合，即可。本發(fā)明的有機(jī)硅型基料既有低表面能性能，有很好的疏水性，分子鏈上也有環(huán)保型殺菌劑，有很好的殺菌效果，達(dá)到很好的海洋防污效果式（1）。