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鍺硅納米低維結構的可控制備方法及產品
本發明公開了一種鍺硅納米低維結構可控制備方法及產品，該 方法具體為：(a)清洗硅襯底；(b)在硅襯底上外延生長鍺硅合金形成外 延襯底；(c)涂敷電子抗蝕劑，通過電子束光刻技術在電子抗蝕劑上曝 光所需的鍺硅納米低維結構圖形；(d)采用干法刻蝕將鍺硅納米低維結 構圖形轉移到外延襯底上得到樣品；(e)去除樣品上的電子抗蝕劑；(f) 高溫環境下進行氧化和退火，使得氧氣優先與硅反應形成氧化硅而鍺 被析出；(g)在氮氫混合氣氛下
華中科技大學
2021-04-14
一種基于硅基液晶的偏振檢測系統及方法
本發明公開了一種基于硅基液晶的偏振檢測系統及方法，所述 偏振檢測系統包括檢偏器、光探測器、硅基液晶驅動模塊、控制單元 和用于相位調制的硅基液晶，硅基液晶在硅基液晶驅動模塊的驅動下 對待測光進行相位調節，獲取一系列偏振光，通過對這一系列偏振光 的分析獲取待測光的偏振信息，包括豎直方向與水平方向的振幅及相 位差。本發明的系統在精確可編程控制下，進行偏振態檢測與控制， 不受類似于波片的波長敏感性制約；且本發明采用硅基液晶進
華中科技大學
2021-04-14
耐超低溫有機硅密封膠生產技術
航空航天器、飛機、導彈、火箭、超低溫冷凍機、極寒冷地區工程機械和高速列車等設備，在極低溫度條件下運行時，對密封材料要求很高，一旦出現密封效果不佳或不可靠情況，會出現嚴重后果，極端情況會造成機毀人亡等重特大事故，形成嚴重的財產和人員損失。密封材料大多采用有機高分子材料，在低溫條件下，密封材料中分子熱運動減少，分子鏈段會變得僵硬甚至凍住，使之失去彈性，導致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料應用于上述設備和地域時，必須采用特殊制備的耐低溫硅橡膠才能保證安全及設備的穩定運行。這就要求密封材料必須具備
山東大學
2021-04-14
新一代硅烷法電子級晶體硅生產技術
上海交通大學
2021-04-13
微型皮拉尼計與體硅器件集成加工的方法
本發明公開了一種微型皮拉尼計的制備方法及其與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對有光刻膠掩膜的一面進行感應耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結構。本發明能有效提高皮拉尼計的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計與體硅器件集成封裝工藝難度大，風險高，成本高且產量低的技術問題。
華中科技大學
2021-04-14
承建丙烯酸涂料，硅PU塑膠藍、排、網、羽球場
產品詳細介紹承建丙烯酸涂料，硅PU塑膠藍、排、網、羽球場
廣州市奧力生體育設施有限公司
2021-08-23
現對部分有機客體及有機藥物分子的選擇性強鍵合
生物受體可以有效地利用非共價鍵作用和疏水效應實現對有機底物的高效選擇性識別（圖2）。相反，大多數合成主體對有機底物的識別選擇性和強度較差。該課題組近期研究發現酰胺萘管能有效地利用疏水作用和氫鍵作用實現對部分有機客體及有機藥物分子的選擇性強鍵合，進而實現了部分水溶性較差的藥物分子的增溶。這一研究在藥物科學領域具有較高的應用潛力。
南方科技大學
2021-04-14
一種用于多自由度倒裝鍵合過程的芯片控制方法
本發明公開了一種用于多自由度倒裝鍵合過程的芯片控制方法，其主要控制過程包括：獲取芯片的貼裝位置信息；鍵合頭拾取芯片，獲取芯片 Z 旋轉軸和 X/Y 直線軸的角度及位置粗調偏差值，然后在執行粗調的同時，實現 X/Y 直線軸的閉環跟隨控制；獲取芯片 X/Y 旋轉軸的當前實際角度值，并在逐次選擇 X/Y 旋轉軸執行角度閉環控制的同時，實現另外兩直線軸的位置閉環跟隨控制；獲取芯片 Z 旋轉軸和X/Y 直線軸的角度及位置精調偏差值，然后在執行精調的同時，實現X/Y 直線軸的閉環跟隨控制。通過本發明，可使得芯片
華中科技大學
2021-04-14
東南大學 | “雙螺旋、四聯動、全鏈合”雙創教育生態體系
東南大學聚焦大學生創新創業能力培養，著力構建“面向全員、貫穿全程、多元引導、知行相輔、科創互哺”的創新創業教育生態體系，不斷健全“學做融創、知行合一”的“雙螺旋、四聯動、全鏈條”創新創業教育模式。
東南大學
2022-07-22
金屬功能材料
通過對燒結鈷鐵氧體進行熱等靜壓燒結，得到鈷鐵氧體陶瓷材料的樣品內部孔隙大大減少，致密度大于 99％；平行方向磁致伸縮系數絕對值大于 150ppm；磁致伸縮激勵場低于 2000Oe。對鈷鐵氧體磁致伸縮材料進行熱等靜壓處理促進了其在低場高頻磁致伸縮領域的應用。 通過凝膠注模、磁場取向及常壓燒結及熱處里工藝，得到的鈷鐵氧體磁致伸縮材料<100>方向取向度大于 40％，致密度大于 99％，垂直取向方向磁致伸縮系數絕對值大于 300ppm，對應的激勵場低于 2000Oe。
北京科技大學
2021-02-01