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產(chǎn)品詳細(xì)介紹JKZC-XJY02梯溫析晶測(cè)定儀, 梯溫爐關(guān)鍵詞: 梯溫析晶測(cè)定儀, 梯溫爐, 析晶溫JKZC-XJY02梯溫析晶測(cè)定儀是一款專門用于測(cè)定玻璃析晶儀的專業(yè)儀器,玻璃態(tài)物質(zhì)轉(zhuǎn)為結(jié)晶物質(zhì)的過程稱為析晶,析晶溫度是玻璃的重要性質(zhì)之一。本儀器用于測(cè)定玻璃的析晶溫度溫度范圍，JKZC-XJY02梯溫析晶測(cè)定儀既適用于高等院校材料專業(yè)教學(xué)實(shí)驗(yàn)，也適用于玻璃、陶瓷企業(yè)及科研院所。是目前高校及科學(xué)研究的重要工具之一,也是材料科學(xué)研究的首選儀器.二、主要用途：玻璃或陶瓷材料析晶性三、主要技術(shù)參數(shù)（1）型號(hào)：JKZC-XJY02X箱式梯溫析晶測(cè)定儀1、最高溫度：1400℃； 2、長(zhǎng)期使用溫度：1380℃； 3、電源及最大功率：AC380V/4KW×4；              4、爐膛尺寸(深×寬×高)：250×150×100mm；5、發(fā)熱元件：硅碳棒；6、加熱區(qū)：4個(gè)獨(dú)立的加熱區(qū)；7、測(cè)溫（4組）：S分度熱電偶+精密數(shù)顯程序控溫儀；8、控溫（4組）：可控硅移相調(diào)壓+智能PID調(diào)節(jié)+程序升降溫；9、控溫精度：±1℃；（2）型號(hào)：JKZC-XJY02G管式梯溫析晶測(cè)定儀1、最高溫度：1300℃；（長(zhǎng)時(shí)間工作溫度1200℃左右）2、電源及功率：AC380V/8KW；3、爐膛尺寸：∮60×600mm；4、加熱區(qū)：1個(gè)獨(dú)立的加熱區(qū)；5、測(cè)溫（14組）：K分度熱電偶+精密數(shù)顯測(cè)溫儀；重要是針對(duì)長(zhǎng)條型的玻璃6、控溫（1組）：可控硅移相調(diào)壓+智能PID調(diào)節(jié)+程序升降溫；7、控溫精度：±1℃；8、一體化結(jié)構(gòu)。（3）型號(hào)：JKZC-XJY02G-1400管式梯溫析晶測(cè)定儀1、最高溫度：1400℃；2、電源及功率:AC380V/10KW；3、爐膛尺寸：∮50×1000mm；4、發(fā)熱元件：硅碳棒；5、加熱區(qū)：4個(gè)獨(dú)立的加熱區(qū)，每區(qū)恒溫段:120mm；6、測(cè)溫（4組）：S分度熱電偶+精密數(shù)顯程序控溫儀；7、控溫（4組）：可控硅移相調(diào)壓+智能PID調(diào)節(jié)+程序升降溫；控溫精度：±1℃；

本發(fā)明公開了一種熒光硅納米點(diǎn)（ＳｉＮＤｓ），它是由硅烷和孟加拉玫瑰紅以水熱法一步制備得到的。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所制備的ＳｉＮＤｓ具有超高的熒光量子產(chǎn)率（１００％），且能實(shí)現(xiàn)對(duì)哺乳動(dòng)物細(xì)胞溶酶體的長(zhǎng)時(shí)間特異成像。此外，該ＳｉＮＤｓ的溶酶體成像效果不受細(xì)胞清洗、固定和透化等影響，具有耐清洗、耐固定和耐透化的優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)，該ＳｉＮＤｓ還具有制備成本低、合成方法簡(jiǎn)單、水分散性好、熒光發(fā)射峰寬窄、光穩(wěn)定性好、細(xì)胞相容性好、細(xì)胞光毒性低等優(yōu)點(diǎn)，有望成為新型的溶酶體熒光探針。

 20世紀(jì)八十年代，采用正反浮選技術(shù)富集中低品位硅鈣質(zhì)磷塊巖技術(shù)，在降低磷礦中MgO含量方面取得突破性進(jìn)展。而這一當(dāng)時(shí)鑒定為“國(guó)際先進(jìn)”得技術(shù)因直接經(jīng)濟(jì)效益不顯著未能生產(chǎn)。故全面大幅度降低選礦成本是使正浮選技術(shù)轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力的關(guān)鍵。本項(xiàng)目針對(duì)這一問題，提出了一套完整的選礦工藝。

該儀器主要用于測(cè)量諧振微傳感器（也適用于所有諧振式傳感器）的動(dòng)力學(xué)特性：諧振頻率，微振幅，品質(zhì)因數(shù)、幅頻特性、相頻特性等；它也是實(shí)現(xiàn)閉環(huán)自激系統(tǒng)以及研制和開發(fā)各種諧振式微傳感器，如微加速度計(jì)和微陀螺等不可缺少的測(cè)試設(shè)備；本儀器的若干新技術(shù)也可直接應(yīng)用于其他需要進(jìn)行微弱信號(hào)檢測(cè)和處理的場(chǎng)合。適用于從事自動(dòng)化、測(cè)控技術(shù)、傳感器、儀器儀表等科研院所、企業(yè)和高等院校的科研和教學(xué)方面的應(yīng)用。測(cè)試儀的創(chuàng)新點(diǎn)為：綜合應(yīng)用了多項(xiàng)新技術(shù)，研制過程中發(fā)展了弱信號(hào)相關(guān)檢測(cè)技術(shù)，超低頻、低噪聲恒流源技術(shù)。

技術(shù)特點(diǎn)超輕硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料（容重≤170kg/m3）以普通建筑石灰及天然粉石英為基本原料，采用高壓水熱動(dòng)態(tài)法生產(chǎn)。是我國(guó)首次自主開發(fā)的適合我國(guó)國(guó)情的超輕型產(chǎn)品，采用全天然原料，以最低的成本實(shí)現(xiàn)了批量工業(yè)生產(chǎn)。其各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過日本JISA9510-1984 標(biāo)準(zhǔn)。是目前所有無機(jī)硬質(zhì)保溫材料中容重最小，導(dǎo)熱系數(shù)最低的一種，同時(shí)具有較高的強(qiáng)度。其耐熱溫度為 1000℃，在常見的保溫材料中也是較高的一種，因此可以在許多場(chǎng)合取代輕質(zhì)耐火磚、輕質(zhì)澆注料、珍珠巖制品、蛭石制品、礦棉、玻璃棉制品及耐火纖維制品

1．技術(shù)特點(diǎn) 超輕硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料（容重≤170kg/m3）以普通建筑石灰及天然粉石英為基本原料，采用高壓水熱動(dòng)態(tài)法生產(chǎn)。是我國(guó)首次自主開發(fā)的適合我國(guó)國(guó)情的超輕型產(chǎn)品，采用全天然原料，以最低的成本實(shí)現(xiàn)了批量工業(yè)生產(chǎn)。其各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過日本JISA9510-1984標(biāo)準(zhǔn)。是目前所有無機(jī)硬質(zhì)保溫材料中容重最小，導(dǎo)熱系數(shù)最低的一種，同時(shí)具有較高的強(qiáng)度。其耐熱溫度為1000℃，在常見的保溫材料中也是較高的一種，因此可以在許多場(chǎng)合取代輕質(zhì)耐火磚、輕質(zhì)澆注料、珍珠巖制品、蛭石制品、礦棉、玻璃棉制品及耐火纖維制品。 本材料本項(xiàng)目所開發(fā)的170硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料本產(chǎn)品樣品檢測(cè)結(jié)果如下： 容重：            170kg/m3 導(dǎo)熱系數(shù)：        0.045W/m×K(70℃) 抗折強(qiáng)度：        0.29MPa 最高使用溫度：    1000℃ (1000℃×3小時(shí)燒后線收縮1.04％) 2．技術(shù)成熟程度 已實(shí)現(xiàn)批量工業(yè)生產(chǎn)，并成功地進(jìn)行了應(yīng)用試驗(yàn)。 3．應(yīng)用范圍 適用于建材、冶金、石油、化工、電力、輕工等行業(yè)熱工設(shè)備的絕熱保溫，屬環(huán)境友好型材料。

本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的波長(zhǎng)分辨監(jiān)測(cè)方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對(duì)不同波長(zhǎng)入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對(duì)在硅基液晶波長(zhǎng)工作范圍內(nèi)的光信號(hào)實(shí)現(xiàn)分析與監(jiān)測(cè)，并能 在入射光波長(zhǎng)未知的條件下，對(duì)該波長(zhǎng)進(jìn)行測(cè)量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長(zhǎng)的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊 湊，對(duì)光路的準(zhǔn)直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進(jìn) 行波長(zhǎng)的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無關(guān)的特性，在分辨出波長(zhǎng) 的同時(shí)，還能對(duì)入射光束的偏振態(tài)進(jìn)行測(cè)量，適用范圍更廣。 

采用光互連技術(shù)可以有效的解決集成電路進(jìn)一步發(fā)展的尺寸限制同時(shí)可以極大的提高芯片間信息傳輸?shù)乃俣群皖l率。Si基光子集成是實(shí)現(xiàn)集成電路光互聯(lián)的核心技術(shù)和重要研究方向。然而，Si因?yàn)槠溟g接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)在光電子器件領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實(shí)現(xiàn)Si基光子芯片的一種理想途徑。

本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的波長(zhǎng)分辨監(jiān)測(cè)方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對(duì)不同波長(zhǎng)入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對(duì)在硅基液晶波長(zhǎng)工作范圍內(nèi)的光信號(hào)實(shí)現(xiàn)分析與監(jiān)測(cè)，并能 在入射光波長(zhǎng)未知的條件下，對(duì)該波長(zhǎng)進(jìn)行測(cè)量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長(zhǎng)的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊 湊，對(duì)光路的準(zhǔn)直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進(jìn) 行波長(zhǎng)的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無關(guān)的特性，在分辨

該項(xiàng)目針對(duì)多晶硅太陽(yáng)能光伏電池成套設(shè)備中太陽(yáng)能光伏電池絲網(wǎng)印刷、自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)、燒結(jié)系統(tǒng)、自動(dòng)分揀系統(tǒng)等高端設(shè)備進(jìn)行研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，形成了晶硅太陽(yáng)能光伏電池生產(chǎn)線和成套設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)能力，打破了國(guó)外相關(guān)高端設(shè)備的壟斷局面，為我省相關(guān)產(chǎn)業(yè)的良性發(fā)展提供技術(shù)支撐。該成套設(shè)備具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),聯(lián)合體已擁有發(fā)明專利8件,實(shí)用新型專利21件。 該項(xiàng)目的特色與創(chuàng)新之處主要體現(xiàn)在如下幾個(gè)方面：1）基于視覺的高速精密定位理論與技術(shù)；2）有效降低破損率的高速、高精度印刷技術(shù)；3）均勻熱場(chǎng)形成技術(shù)