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耐超低溫有機(jī)硅密封膠生產(chǎn)技術(shù)
航空航天器、飛機(jī)、導(dǎo)彈、火箭、超低溫冷凍機(jī)、極寒冷地區(qū)工程機(jī)械和 高速列車等設(shè)備，在極低溫度條件下運(yùn)行時(shí)，對(duì)密封材料要求很高，一旦出現(xiàn) 密封效果不佳或不可靠情況，會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重后果，極端情況會(huì)造成機(jī)毀人亡等重 特大事故，形成嚴(yán)重的財(cái)產(chǎn)和人員損失。密封材料大多采用有機(jī)高分子材料， 在低溫條件下，密封材料中分子熱運(yùn)動(dòng)減少，分子鏈段會(huì)變得僵硬甚至凍住， 使之失去彈性，導(dǎo)致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料應(yīng)用于上述 設(shè)備和地域時(shí)，必須采用特殊制備的耐低溫硅橡膠才能保證安全及設(shè)備的穩(wěn)定 運(yùn)行。這就要求密封材料必須具備優(yōu)良的耐低溫性能，使其具有耐低溫穩(wěn)定性， 才能達(dá)到相應(yīng)的密封要求。 本研究開發(fā)的耐超低溫有機(jī)硅密封膠，采用特殊原料和工藝，克服了傳統(tǒng) 密封材料的弱點(diǎn)，使有機(jī)硅密封膠在-100℃以上時(shí)具有良好的密封性能。
山東大學(xué)
2021-04-13
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可用于生化檢測(cè)的多色熒光納米硅球的制備
1、成果簡(jiǎn)介： 本研究組一直以來(lái)從事納米材料的生化分析研究，完成了多種量子點(diǎn)和微球的合成、修飾和相關(guān)的生化分析檢測(cè)，在多色量子點(diǎn)的標(biāo)記和光譜識(shí)別研究中做了大量的工作。我們掌握了多種量子點(diǎn)和石墨烯量子點(diǎn)、納米金等納米材料的制備方法和表面修飾技術(shù)，成功地檢測(cè)了生物樣本中的多種重要成分。 我們創(chuàng)新性地設(shè)計(jì)了可用于檢測(cè)的多色熒光編碼的納米硅球，具有包含多個(gè)量子點(diǎn)的獨(dú)特結(jié)構(gòu)和可調(diào)諧的熒光比率信號(hào)，功能修飾后的探針不僅提高了腫瘤標(biāo)志物檢測(cè)的靈敏度，
吉林大學(xué)
2021-04-14
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一種高功率大帶寬鍺硅光電探測(cè)器
本發(fā)明公開了一種高功率大帶寬鍺硅光電探測(cè)器。該探測(cè)器是 模擬光子通信系統(tǒng)和微波光子系統(tǒng)中的硅基關(guān)鍵集成光電子器件，其 特征在于包括多個(gè)并聯(lián)鍺層結(jié)構(gòu)和電感。多個(gè)并聯(lián)的鍺層結(jié)構(gòu)的多個(gè) 鍺層尺寸是可以不同的，以實(shí)現(xiàn)對(duì)寄生電阻的調(diào)控，在提高器件飽和 功率的同時(shí)保持了寄生參數(shù)不至顯著增加。同時(shí)，通過(guò)引入片上和片 外電感，實(shí)現(xiàn)對(duì)器件寄生電感的調(diào)控，抬升器件高頻處頻率響應(yīng)，提 升器件工作帶寬。本發(fā)明提出的光電探測(cè)器采用集總電極結(jié)構(gòu)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種加工硅通孔互連結(jié)構(gòu)的工藝方法
本發(fā)明公開了一種加工硅通孔互連結(jié)構(gòu)的工藝方法，步驟為：①在基板上刻蝕盲孔；②在基板上沉積一層圖案化介電質(zhì)層；③刻蝕圖案化介電質(zhì)層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側(cè)壁的介電材料，在基板上形成介電質(zhì)孔；④在介電質(zhì)孔上沉積一層導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電孔；⑤在導(dǎo)電層上再沉積一層圖案化介電質(zhì)層，填充導(dǎo)電孔；⑥刻蝕板背面，暴露出導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層上形成焊料微凸點(diǎn)。圖案化介電質(zhì)層的材料優(yōu)選聚對(duì)二甲苯。本發(fā)明簡(jiǎn)化了工藝步驟，減少工藝時(shí)間并降低了費(fèi)用；使用二層圖案化介電質(zhì)層，降低了寄生電容，提升了互連電性能，適用于高速和
華中科技大學(xué)
2021-04-14
鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)的可控制備方法及產(chǎn)品
本發(fā)明公開了一種鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)可控制備方法及產(chǎn)品，該 方法具體為：(a)清洗硅襯底；(b)在硅襯底上外延生長(zhǎng)鍺硅合金形成外 延襯底；(c)涂敷電子抗蝕劑，通過(guò)電子束光刻技術(shù)在電子抗蝕劑上曝 光所需的鍺硅納米低維結(jié)構(gòu)圖形；(d)采用干法刻蝕將鍺硅納米低維結(jié) 構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到外延襯底上得到樣品；(e)去除樣品上的電子抗蝕劑；(f) 高溫環(huán)境下進(jìn)行氧化和退火，使得氧氣優(yōu)先與硅反應(yīng)形成氧化硅而鍺 被析出；(g)在氮?dú)浠旌蠚夥障?
華中科技大學(xué)
2021-04-14
耐超低溫有機(jī)硅密封膠生產(chǎn)技術(shù)
航空航天器、飛機(jī)、導(dǎo)彈、火箭、超低溫冷凍機(jī)、極寒冷地區(qū)工程機(jī)械和高速列車等設(shè)備，在極低溫度條件下運(yùn)行時(shí)，對(duì)密封材料要求很高，一旦出現(xiàn)密封效果不佳或不可靠情況，會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重后果，極端情況會(huì)造成機(jī)毀人亡等重特大事故，形成嚴(yán)重的財(cái)產(chǎn)和人員損失。密封材料大多采用有機(jī)高分子材料，在低溫條件下，密封材料中分子熱運(yùn)動(dòng)減少，分子鏈段會(huì)變得僵硬甚至凍住，使之失去彈性，導(dǎo)致密封效果差甚至失去密封作用。因此密封材料應(yīng)用于上述設(shè)備和地域時(shí)，必須采用特殊制備的耐低溫硅橡膠才能保證安全及設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。這就要求密封材料必須具備
山東大學(xué)
2021-04-14
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新一代硅烷法電子級(jí)晶體硅生產(chǎn)技術(shù)
上海交通大學(xué)
2021-04-13
微型皮拉尼計(jì)與體硅器件集成加工的方法
本發(fā)明公開了一種微型皮拉尼計(jì)的制備方法及其與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對(duì)有光刻膠掩膜的一面進(jìn)行感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能有效提高皮拉尼計(jì)的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計(jì)與體硅器件集成封裝工藝難度大，風(fēng)險(xiǎn)高，成本高且產(chǎn)量低的技術(shù)問題。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
承建丙烯酸涂料，硅PU塑膠藍(lán)、排、網(wǎng)、羽球場(chǎng)
產(chǎn)品詳細(xì)介紹承建丙烯酸涂料，硅PU塑膠藍(lán)、排、網(wǎng)、羽球場(chǎng)
廣州市奧力生體育設(shè)施有限公司
2021-08-23
一種基于電控液晶平面微透鏡的波前控制芯片
本發(fā)明公開了一種基于電控液晶平面微透鏡的波前控制芯片。芯片包括面陣電控液晶平面微透鏡，其包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印D形化電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒐搽姌O層、第二基片和第二增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由 m×n 元陣列分布的子電極構(gòu)成，每個(gè)子電極均由繞圓周呈十字叉型均勻分布的四個(gè)條狀導(dǎo)電膜構(gòu)成，單個(gè)
華中科技大學(xué)
2021-04-14