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所屬行業(yè)領(lǐng)域 鋁及鋁合金的釬焊材料 成果介紹 本研究成果是涉及一種Al-Si-Zn-Ge系低熔點(diǎn)鋁基釬料及其制備方法，釬料合金中主要添加元素為Si、Ge、Zn，旨在解決當(dāng)前鋁基釬料所面臨的兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題：1、熔化溫度低的加工成型性差（如Al-Si-Cu、Al-Ag-Cu等）；2、加工成型性好的熔化溫度高（如Al-12Si）。這兩大關(guān)鍵問(wèn)題直接制約著釬料合金的制備和使用，到目前為止，大量的性能

項(xiàng)目簡(jiǎn)介 一種在鈦金屬表面制備高質(zhì)量鎳基合金涂層的激光熔覆方法，其特征是它由混合粉 壓實(shí)片預(yù)制和激光熔覆處理二個(gè)步驟組成。所述的混合粉壓實(shí)片預(yù)制是指將鎳基自熔性 合金粉末、氧化鑭粉末先用球磨機(jī)混合均勻，然后烘干，最后在壓力機(jī)上壓制成片。所 述的激光熔覆處理是指將壓制片放置在經(jīng)清潔處理的鈦合金表面，然后進(jìn)行激光熔覆加 工。本發(fā)明通過(guò)添加氧化鑭（La2O3），提高了鎳基涂層粉末對(duì)激光熱的吸收性能，提高 了涂層與基體的界面融合性能。 產(chǎn)品性能、指標(biāo) 本發(fā)明熔覆工藝

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

為提高氣缸服役期，延長(zhǎng)發(fā)動(dòng)機(jī)的壽命，通過(guò)壓鑄和激光熔覆的復(fù)合工藝在氣缸的工作面，原位合成一層具有耐高溫、耐磨損的復(fù)合涂層，采用本發(fā)明的方法制得的復(fù)合氣缸顯微組織致密，復(fù)合涂層硬度可達(dá) HBS>80 、韌性較好，具有較好抗氧化性和抗耐磨性能，質(zhì)量能減少 1/2~1/3 ，且不降低氣缸本體的機(jī)械性能，從而大大提高氣缸和發(fā)動(dòng)機(jī)的壽命。

（專利號(hào)：ZL 201510578254.6） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種Mg2Ni0.9Co0.1H4基儲(chǔ)氫材料的制備方法，屬于儲(chǔ)氫材料技術(shù)領(lǐng)域。該方法通過(guò)濕法球磨得到Ni(Co)固溶體粉末；按母合金Mg2Ni1?xCox(x＝0.1～0.2)的成分，將一定量的固溶體和Mg粉真空燒結(jié)得到母合金，母合金的化學(xué)成分范圍為：Mg的原子百分?jǐn)?shù)為65～70％，Ni+Co占合金剩余百分比，Co在Ni+Co中的原子百分?jǐn)?shù)為10～20％；然后將燒結(jié)合金置于氫化爐中氫化獲得目標(biāo)儲(chǔ)氫材料，其由85～90wt％的Mg2Ni0.9Co0.1H4基體相、6～7wt％的MgH2和4～8wt％的MgNi3Co相組成。該儲(chǔ)氫材料具有高的儲(chǔ)氫容量(大于3.5wt％)、低的起始放氫溫度(220℃)和優(yōu)良的放氫動(dòng)力學(xué)性能。本發(fā)明制備方法具有工藝簡(jiǎn)單、高效、產(chǎn)率高、無(wú)污染的顯著特點(diǎn)。

本發(fā)明所述用于水解制氫的鎂鈣基氫化物粉體，包括的組分及各組分的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為：Ca4Mg3H1414.2～50.2%，MgH234.8～85.7%，Mg0.1～15%，為提高水解產(chǎn)氫率，還復(fù)合有其它氫化物和∕或鹽，其中其它氫化物的質(zhì)量為組分Ca4Mg3H14、組分MgH2和組分Mg的質(zhì)量的總和的0～5%，鹽的質(zhì)量為組分Ca4Mg3H14、組分MgH2和組分Mg的質(zhì)量的總和的0～11%，其中，其它氫化物的含量、鹽的含量不同時(shí)為0。上述鎂鈣基氫化物粉體的制備方法，是將鎂鈣合金破碎球磨后活化吸氫。本發(fā)明提供的用于水解制氫的鎂鈣基氫化物粉體，可在保證反應(yīng)安全性和可控性的前提下提高產(chǎn)氫量，特別是提高室溫和低溫下的產(chǎn)氫量。

本發(fā)明提供一種具有電場(chǎng)調(diào)制功能的二芳基乙烯類光致變色化合物及合成方法，該方法包括以下步驟：首先合成含有電子傳輸基團(tuán)的芳雜環(huán)中間體；然后合成含有電荷傳輸基團(tuán)的芳雜環(huán)中間體；將所述這兩部份中間體分別結(jié)合到一個(gè)八氟環(huán)戊烯分子的兩個(gè)雙鍵碳上的氟原子上，形成含兩種不同類型電荷傳輸基團(tuán)的不對(duì)稱型二芳基乙烯類光致變色化合物；含電子傳輸基團(tuán)的中間體化合物則須先制成單取代的全氟環(huán)戊烯中間體才能順利得到目標(biāo)產(chǎn)物。有益效果是該化合物具有更好的光致變色性和抗疲勞性，更重要的是在這類化合物中可以引入電場(chǎng)干預(yù)的光致變色性。由于不對(duì)稱型二芳基乙烯類光致變色化合物分子的特性，可制造出可控的光致變色新材料，在光信息存儲(chǔ)和新型光學(xué)器件領(lǐng)域，具有廣闊的應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開(kāi)了一種聚3-己基噻吩/碳納米管復(fù)合材料及制備方法。 所述復(fù)合材料中含有聚3-己基噻吩30wt％至80wt％以及均勻分散的碳 納米管 1wt％至 15wt％，所述碳納米管形貌完整，其直徑在 40nm 至 60nm 之間，其長(zhǎng)度在 5μm 至 15μm 之間，所述碳納米管表面包覆有 厚度在 3nm 至 10nm 之間的聚 3-己基噻吩。其制備方法包括以下步驟： (1)將聚 3-己基噻吩和高分子量聚合物均勻分散于有機(jī)溶劑中；(

采用化學(xué)藥劑和焙燒復(fù)合改性方法提高天然香菇培養(yǎng)基廢料吸附重金屬離子的能力，開(kāi)發(fā)了一種改性香菇培養(yǎng)基廢料重金屬吸附劑，特別適合于微污染含重金屬陽(yáng)離子的污水處理，如礦山污水、冶煉污水、電鍍污水以及其它行業(yè)含重金屬污水的深度處理。所用原料香菇培養(yǎng)基廢料成本廉價(jià)，制備工藝簡(jiǎn)單，而且吸附飽和的材料可以通過(guò)熱處理回收重金屬，無(wú)二次污染產(chǎn)生。