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一種陰極保護(hù)用石墨復(fù)合接地材料及其制備方法
本發(fā)明公開了一種陰極保護(hù)用石墨復(fù)合接地材料及其制備方法，包括內(nèi)芯和采用復(fù)合石墨線繞內(nèi)芯 編織獲得的復(fù)合石墨編織外層，復(fù)合石墨線由復(fù)合石墨帶捻制獲得，其中：內(nèi)芯由鋅芯石墨線和銅芯石 墨線構(gòu)成，鋅芯石墨線包括鋅纖維芯和第一復(fù)合石墨外層，第一復(fù)合石墨外層采用復(fù)合石墨帶繞鋅纖維 芯捻制獲得；銅芯石墨線包括銅纖維芯和第二復(fù)合石墨外層，第二復(fù)合石墨外層采用復(fù)合石墨帶繞銅纖 維芯捻制獲得；復(fù)合石墨帶包括兩層蠕蟲石墨層和鋪設(shè)于兩層石墨層間的無機(jī)纖維，無機(jī)纖維外
武漢大學(xué)
2021-04-14
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智能手機(jī)3D曲面玻璃制備用高性能石墨模具
為了提高智能手機(jī)3D曲面玻璃制備用石墨模具的壽命，本項(xiàng)目組利用非電極式等離子電解專利技術(shù)快速實(shí)現(xiàn)大批量石墨粉體表面納米陶瓷改性，并采用傳統(tǒng)的模具制備生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)高性能長(zhǎng)壽命石墨模具的制備。本產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)有：（1）原材料石墨粉體不需要經(jīng)過表面處理，這樣可以節(jié)省大量成本，降低環(huán)境負(fù)擔(dān)及其相關(guān)費(fèi)用；（2）非電極式等離子電解專利技術(shù)為一站式置換技術(shù)，即在石墨粉體進(jìn)行表面清洗和活化同時(shí)實(shí)現(xiàn)陶瓷涂層沉積；（3）所制備的陶瓷涂層和石墨粉體具有優(yōu)異的結(jié)合力，遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)的溶膠-凝膠技術(shù)；（4）所制備的陶瓷涂層厚度為20納米，避免石墨模具在制備和使用過程中升降溫因熱不匹配而導(dǎo)致的開裂；（5）所開發(fā)的石墨模具中陶瓷組分均勻并量少，降低了原材料成本，避免傳統(tǒng)的石墨/陶瓷復(fù)合材料在制備和使用過程中升降溫因熱不匹配而導(dǎo)致的開裂，極大提高感應(yīng)加熱效率；（6）可采用傳統(tǒng)的石墨及其模具制備生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)線技術(shù)的匹配，極大降低成本。
本項(xiàng)目組已經(jīng)制備出尺寸為175*110*30mm的石墨模具單件樣品，經(jīng)深圳某自動(dòng)化公司考核，在相同條件下該石墨模具壽命提高3倍，并且其成本基本不增加，具有巨大的市場(chǎng)前景。
北京理工大學(xué)
2023-05-09
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一種石墨烯支撐的微米金核殼結(jié)構(gòu)及其制備方法
本發(fā)明公開了一種石墨烯支撐的微米金核殼結(jié)構(gòu)及其制備方法；制備方法包括下述步驟：(1)獲得聚苯乙烯微球乳液，并在聚苯乙烯微球乳液中加入改性溶液后進(jìn)行攪拌，獲得表面改性的聚苯乙烯微球乳液；(2)獲得微球金種子的凝膠溶液；(3)獲得表面有金殼層的聚苯乙烯微球的凝膠溶液；(4)將所述表面有金殼層的聚苯乙烯微球的凝膠溶液進(jìn)行烘干后獲得粉末狀的樣品；通過將樣品在四氫呋喃溶液中浸泡使其在金殼層內(nèi)壁生長(zhǎng)出石墨烯多層并除去聚苯乙烯微球，再進(jìn)行烘干后獲得石墨烯支撐的微米金核殼結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中改進(jìn)的單分散法制備的聚苯乙烯微
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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低成本非真空銅銦硒（CIGS）薄膜太陽電池制造技術(shù)
CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計(jì)可達(dá)到0.3$/W。 本項(xiàng)目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導(dǎo)體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構(gòu)成淺埋式 p-n 結(jié)。太陽光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結(jié)的自建電場(chǎng)分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預(yù)置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學(xué)水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導(dǎo)電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積，等。
南開大學(xué)
2021-02-01
低成本非真空銅銦硒（CIGS）薄膜太陽電池制造技術(shù)
CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長(zhǎng)等特 點(diǎn)，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計(jì)可達(dá)到 0.3$/W。 本項(xiàng)目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導(dǎo)體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層 CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構(gòu)成淺埋式 p-n 結(jié)。太陽光照射在電池 上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結(jié)的自建電場(chǎng)分離，從而輸出電能。工藝 流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法分步電沉積CuIn-Ga 金屬預(yù)置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學(xué)水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導(dǎo)電膜的濺射沉積→ Ni/Al 電極沉積，等。
南開大學(xué)
2021-04-11
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CDTE薄膜的表面腐蝕及用此法制備CDTE太陽電池
CdTe薄膜的表面腐蝕及用此法制備CdTe太陽電池，屬于半導(dǎo)體器件加工領(lǐng)域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去離子水的混合液作為腐蝕液，其中，NaAc作為緩沖劑，以保持溶液的pH值不變，使反應(yīng)更穩(wěn)定，通過CdTe和硝酸發(fā)生反應(yīng)生成富碲層；清洗吹干后，沉積含Cu或不含Cu背接觸層，最后沉積背電極以制備CdTe太陽電池。沉積背接觸材料，可增加pn結(jié)附近的載流子濃度，降低肖特基勢(shì)壘高度，避免直接沉積Cu形成比較復(fù)雜的CuxTe結(jié)構(gòu)。采用這種方法腐蝕并制備CdTe太陽電池，可顯著提高太陽電池的性能，并保證器件性能的穩(wěn)定性和重復(fù)性。
四川大學(xué)
2021-04-11
兩步法退火制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的方法
一種兩步法退火制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的方法，工藝步驟包括制備過渡層、制備鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜、鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理；鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜的退火處理是將鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜放入退火爐內(nèi)，在氧氣流中以40℃/秒的升溫速率升溫至800℃～850℃后即刻停止加熱，使其隨爐冷卻至500℃～600℃保溫3分鐘～5分鐘，然后隨爐冷卻至室溫。采用上述方法制備的鉭鈧酸鉛基鐵電薄膜鈣鈦礦相純度可達(dá)100％，結(jié)晶性能好，表面均方根粗糙度較低，而且還具有剩余極化強(qiáng)度高和高度擇優(yōu)取向的特點(diǎn)。
四川大學(xué)
2021-04-11
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壓電薄膜基聲表面波煤礦瓦斯傳感器關(guān)鍵技術(shù)
聲表面波瓦斯傳感器具有體積小、靈敏度高、工作穩(wěn)定、生產(chǎn)成本低、易于集成化和無線化等獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，能夠有效解決熱催化式瓦斯傳感器的零點(diǎn)漂移、定期維護(hù)難和維護(hù)費(fèi)用高等問題，并且能彌補(bǔ)光學(xué)瓦斯傳感器的占用空間大、傳感占距長(zhǎng)和傳感分析復(fù)雜等不足，能有效提高煤礦瓦斯檢測(cè)和預(yù)警技術(shù)，保證煤礦安全。成果獲 2012 西安市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)；獲批國(guó)家實(shí)用新型專利 1 項(xiàng)。
西安科技大學(xué)
2021-04-13
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一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法
本發(fā)明屬于納米薄膜材料制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法，利用電子束沉積鍍膜技術(shù)和納米膜卷曲技術(shù)，先制備單質(zhì)Fe的納米膜卷曲管結(jié)構(gòu)，然后在空氣氣氛下退火得到Fe2O3納米膜卷曲管；其制備工藝簡(jiǎn)單，操作方便，原理科學(xué)，無污染，環(huán)境友好，能夠有效控制卷曲管的管壁厚度，制備的納米膜卷曲管長(zhǎng)度能達(dá)到幾百微米。本發(fā)明在新能源、氣敏、催化、等領(lǐng)域具有重要用途。
青島大學(xué)
2021-04-13
一種基于金屬納尖陣電極的電調(diào)透射光薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬納尖陣電極的電調(diào)透射光薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納尖高密度排布構(gòu)成的一層納米厚度的金屬納尖陣陰極和一層納米厚度的平面陽極，該陽極由透光的納米厚度的金屬氧化物導(dǎo)電膜制成，陰陽電極間填充有由納米厚度的透明光學(xué)介質(zhì)材料制成的電隔離膜；在加電態(tài)下，金屬納尖陣陰極上可自由移動(dòng)的電子被電極間所激勵(lì)的電場(chǎng)驅(qū)控，向納尖頂聚集，納尖底部及相鄰尖端間的平坦區(qū)域上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)自由電
華中科技大學(xué)
2021-04-14