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實(shí)驗(yàn)箱簡(jiǎn)介   產(chǎn)品鏈接：https://www.tronlongtech.com/products/38.html（點(diǎn)擊查看） 產(chǎn)品系列：C2000，Spartan-6匹配課程：《DSP技術(shù)與應(yīng)用》，《FPGA技術(shù)與應(yīng)用》處理器架構(gòu)：DSP，F(xiàn)PGA TL28335F-TEB實(shí)驗(yàn)箱整體主圖 · 基于TI TMS320F28335浮點(diǎn)DSP C28x + Xilinx Spartan-6 FPGA處理器，主頻為150MHz；· 可拆式新型實(shí)驗(yàn)箱，使用靈活，性?xún)r(jià)比高。由核心板、實(shí)驗(yàn)開(kāi)發(fā)底板、仿真器及相關(guān)實(shí)驗(yàn)配件組成，可選3寸全功能觸摸彩屏信號(hào)源；· DSP實(shí)驗(yàn)主板支持：I2C、SPI、CAN、PWM、RTC、以太網(wǎng)口、音頻輸入輸出、多通道AD、DA、RS232、RS485、LCD等接口和蜂鳴器、紅外接收器、繼電器、LED等外設(shè)；· 工業(yè)級(jí)DSP核心板，尺寸為66mm*39mm，采用排針接口連接，可用于科學(xué)研究、畢業(yè)設(shè)計(jì)、電子競(jìng)賽、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)使用；· FPGA實(shí)驗(yàn)主板支持：步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī)、4*4矩陣鍵盤(pán)、數(shù)碼管、十字交通燈、溫濕度傳感器、可調(diào)直流電壓輸出、ADC輸入、DAC輸出、5V輸出、3V3輸出；· 實(shí)驗(yàn)主板上均支持安裝可拆卸亞克力保護(hù)板，保護(hù)實(shí)驗(yàn)電路；· 工業(yè)級(jí)FPGA核心板，尺寸56mm*35mm，體積小，采用工業(yè)級(jí)B2B連接器；· 不僅提供面向教學(xué)的實(shí)驗(yàn)資源，而且提供工程應(yīng)用上的開(kāi)發(fā)例程；· 適用于通信、自動(dòng)化、測(cè)控、工業(yè)控制和電力控制等教學(xué)領(lǐng)域。   TL28335F-TEB實(shí)驗(yàn)箱結(jié)構(gòu)圖 28335F-DSP實(shí)驗(yàn)主板硬件資源圖解1   28335F-DSP實(shí)驗(yàn)主板硬件資源圖解2   28335F-FPGA實(shí)驗(yàn)拓展板硬件資源圖解1 28335F-FPGA實(shí)驗(yàn)拓展板硬件資源圖解2

生物受體可以有效地利用非共價(jià)鍵作用和疏水效應(yīng)實(shí)現(xiàn)對(duì)有機(jī)底物的高效選擇性識(shí)別（圖2）。相反，大多數(shù)合成主體對(duì)有機(jī)底物的識(shí)別選擇性和強(qiáng)度較差。該課題組近期研究發(fā)現(xiàn)酰胺萘管能有效地利用疏水作用和氫鍵作用實(shí)現(xiàn)對(duì)部分有機(jī)客體及有機(jī)藥物分子的選擇性強(qiáng)鍵合，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了部分水溶性較差的藥物分子的增溶。這一研究在藥物科學(xué)領(lǐng)域具有較高的應(yīng)用潛力。

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于多自由度倒裝鍵合過(guò)程的芯片控制方法，其主要控制過(guò)程包括：獲取芯片的貼裝位置信息；鍵合頭拾取芯片，獲取芯片 Z 旋轉(zhuǎn)軸和 X/Y 直線(xiàn)軸的角度及位置粗調(diào)偏差值，然后在執(zhí)行粗調(diào)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn) X/Y 直線(xiàn)軸的閉環(huán)跟隨控制；獲取芯片 X/Y 旋轉(zhuǎn)軸的當(dāng)前實(shí)際角度值，并在逐次選擇 X/Y 旋轉(zhuǎn)軸執(zhí)行角度閉環(huán)控制的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)另外兩直線(xiàn)軸的位置閉環(huán)跟隨控制；獲取芯片 Z 旋轉(zhuǎn)軸和X/Y 直線(xiàn)軸的角度及位置精調(diào)偏差值，然后在執(zhí)行精調(diào)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)X/Y 直線(xiàn)軸的閉環(huán)跟隨控制。通過(guò)本發(fā)明，可使得芯片

東南大學(xué)聚焦大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)能力培養(yǎng)，著力構(gòu)建“面向全員、貫穿全程、多元引導(dǎo)、知行相輔、科創(chuàng)互哺”的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)教育生態(tài)體系，不斷健全“學(xué)做融創(chuàng)、知行合一”的“雙螺旋、四聯(lián)動(dòng)、全鏈條”創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)教育模式。

世界上有數(shù)以百萬(wàn)的語(yǔ)言障礙患者，其中有的是由于先天缺陷導(dǎo)致其存在語(yǔ)言功能障礙，也有的是后天的一些疾病致使其喪失語(yǔ)言功能，語(yǔ)言功能障礙給他們的生活帶來(lái)了極大的困難和不便。電子人工喉是一種簡(jiǎn)易的語(yǔ)言康復(fù)方法，其通常需要安裝在口內(nèi)喉部，由肺部發(fā)出的氣流經(jīng)過(guò)舌、唇的調(diào)制，引起人工喉膜片振動(dòng)，使其發(fā)出語(yǔ)音信號(hào)。然而，現(xiàn)有電子喉助音器無(wú)法清晰還原患者聲音，發(fā)音模糊，訓(xùn)練周期長(zhǎng)，并且需要患者自己手持助音器于喉部，造成極大不便，所以亟需便于失語(yǔ)者攜帶、操作簡(jiǎn)單、性能優(yōu)異的新型人工喉的器件及系統(tǒng)研究。 本成果團(tuán)隊(duì)研究的第二代石墨烯智能人工喉（WAGT）在器件柔性可貼附、聲音收發(fā)系統(tǒng)集成、動(dòng)作監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、輕型可穿戴等方面有了重大突破。首先，第二代石墨烯人工喉采用了更貼合人體皮膚的紋身式薄膜作為襯底，無(wú)需膠帶粘貼，可直接貼敷在人體喉嚨，極大地提高了佩戴舒適感；其次，第二代石墨烯智能人工喉在收發(fā)聲系統(tǒng)方面有了雙重突破，實(shí)現(xiàn)了石墨烯的器件級(jí)應(yīng)用至系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用的跨越。通過(guò)專(zhuān)用電路對(duì)聲音信號(hào)的放大和轉(zhuǎn)換，第二代石墨烯智能人工喉首次將收聲系統(tǒng)和發(fā)聲系統(tǒng)連接起來(lái)，實(shí)現(xiàn)了聲音輸入到輸出的閉環(huán)，并可以通過(guò)示波器實(shí)時(shí)觀測(cè)喉部運(yùn)動(dòng)情況。接著，通過(guò)與單片機(jī)的結(jié)合，該器件可以將人體喉部的不同動(dòng)作“翻譯”成不同的聲音，實(shí)現(xiàn)了動(dòng)作發(fā)聲系統(tǒng)。通過(guò)連接解碼器，該器件還可以播放任意音樂(lè)。最后，第二代石墨烯智能人工喉系統(tǒng)可通過(guò)臂包穿戴在胳膊上，首次實(shí)現(xiàn)了石墨烯人工喉的可穿戴功能。未來(lái)將進(jìn)行體積更小及功能更多的集成，有望實(shí)現(xiàn)像“創(chuàng)可貼”一樣貼附在人體喉部并幫助失語(yǔ)者“開(kāi)口說(shuō)話(huà)”。

北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波和楊學(xué)林課題組與俞大鵬、劉開(kāi)輝課題組合作，成功實(shí)現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，相關(guān)工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線(xiàn)刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高頻、高功率等性能的要求，對(duì)國(guó)家的高技術(shù)發(fā)展和國(guó)防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長(zhǎng)。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點(diǎn)，Si襯底上外延GaN成為近年來(lái)學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點(diǎn)領(lǐng)域。 目前用于GaN外延生長(zhǎng)的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對(duì)稱(chēng)表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對(duì)于實(shí)現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對(duì)稱(chēng)，外延生長(zhǎng)時(shí)無(wú)法有效匹配；同時(shí)Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時(shí)存在兩種不同取向的晶疇。迄今國(guó)際上還未能實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng) 沈波和楊學(xué)林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實(shí)現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機(jī)理和外延機(jī)制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學(xué)基礎(chǔ)，而且對(duì)當(dāng)前國(guó)際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)和GaN基柔性器件研制具有重要的指導(dǎo)價(jià)值。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于石墨烯卷的緩蝕劑微膠囊，所述微膠囊的囊壁材料為石墨烯，所述微膠囊的芯材為有機(jī)緩蝕劑。本發(fā)明還公開(kāi)了上述微膠囊的制備方法，將有機(jī)緩蝕劑的水溶液與氧化石墨烯共混后，于80～200℃水熱處理8?24h，水熱條件下石墨烯成卷的同時(shí)將緩蝕劑包覆于微膠囊中，芯材包覆質(zhì)量高，緩蝕劑緩釋特性好；本方法包覆過(guò)程簡(jiǎn)單，操作方便，不需要額外添加助劑，制備成本低廉。

項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:世界上有數(shù)以百萬(wàn)的語(yǔ)言障礙患者，其中有的是由于先天缺陷導(dǎo)致其存在語(yǔ)言功能障礙，也有的是后天的一些疾病致使其喪失語(yǔ)言功能，語(yǔ)言功能障礙給他們的生活帶來(lái)了極大的困難和不便。電子人工喉是一種簡(jiǎn)易的語(yǔ)言康復(fù)方法，其通常需要安裝在口內(nèi)喉部，由肺部發(fā)出的氣流經(jīng)過(guò)舌、唇的調(diào)制，引起人工喉膜片振動(dòng)，使其發(fā)出語(yǔ)音信號(hào)。然而，現(xiàn)有電子喉助音器無(wú)法清晰還原患者聲音，發(fā)音模糊，訓(xùn)練周期長(zhǎng)，并且需要患者自己手持助

本發(fā)明公開(kāi)了一種石墨電極氣體開(kāi)關(guān)的充氣配比控制裝置、充 氣裝置及方法；充氣配比控制裝置包括第一可控壓力閥、第二可控壓 力閥、第三可控壓力閥、第四可控壓力閥、第一氣壓傳感器、第二氣 壓傳感器、第一機(jī)電控制器、第二機(jī)電控制器、控制終端，第一緩沖 氣室、第二緩沖氣室和混合氣室。按照一定的惰性氣體設(shè)置方案，通 過(guò)一定充氣配比方法，控制終端控制機(jī)電傳感器，使可控壓力閥動(dòng)作， 通過(guò)氣壓傳感器監(jiān)控壓力值，使緩沖氣室中的充入的氣體達(dá)到設(shè)定的 氣壓值，最終在混合氣室中得到所需的完成配比的混合氣體，并完成 對(duì)氣體開(kāi)關(guān)的