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一種帶漂移干擾的模型預測控制器的建模質量監控方法
本發明公開了一種帶漂移干擾的模型預測控制器的建模質量監控方法,包括如下步驟：建立閉環控制系統的干擾模型；根據閉環控制系統的實際情況以及給定的控制目標，設計過程的動態模型 MPC 控制器；采用干擾模型及 MPC 控制器控制閉環控制系統，并采集閉環控制系統運行所得的過程數據；根據閉環控制系統結構，對過程輸出及過程輸入數據進行正交投影，獲得過程估計干擾更新；根據閉環控制系統既定參考信號和過程實際輸出，獲取閉環控制系統的實際
華中科技大學
2021-04-14
三相六開關整流器負載電流觀測的直接功率預測控制方法
三相六開關整流器負載電流觀測的直接功率預測控制方法。本發明公開了一種三相整流器負載電流觀測的直接功率預測控制技術，其步驟是：A、通過電流傳感器、電壓傳感器分別測出三相電流、三相電網電壓和直流側電容電壓；B、通過測量的直流電容電壓計算出八種開關組合(000,001,010,100,011,101,110,111)對應的電壓矢量；C、給定的直流電壓通過濾波器后得到本采樣周期的瞬時參考電壓，根據直流側和交流側功率守恒原則獲
華中科技大學
2021-04-14
一種氧化鋅納米線陣列紫外光電探測器的制備方法
本發明公開了一種基于氧化鋅納米線陣列的紫外光電探測器，屬于光電子器件領域。本發明利用化學氣相沉積技術，通過調節雙溫區管式爐裝中真空壓力等實驗參數，在氮化鎵襯底上實現氧化鋅納米線陣列的均勻可控生長，然后利用透明導電玻璃直接貼壓法，得到對365nm 紫外光具有毫秒量級的快速響應和恢復時間的紫外光電探測器。本方法工藝簡單，材料成本低廉，在快速紫外光電傳感器和短長光電器件領域有廣泛的運用前景。
華中科技大學
2021-04-14
一種兩自由度隔振與精密定位的復合主動隔振器
本發明公開了一種兩自由度隔振與精密定位的復合主動隔振器， 該隔振器包括基礎平臺(10)和負載平臺(30)，該隔振器還包括隔振單 元，其設置在所述基礎平臺(10)和負載平臺(30)之間，所述隔振單元包括沿第一方向設置的空氣彈簧(20)和第一音圈電機(25a)，所述隔振單 元還包括沿第二方向設置的可調剛度片彈簧和第二音圈電機(25b)，該 隔振器還包括定位單元，其設置在所述隔振單元的外側，所述定位單 元包括沿第一方向設置的比例壓力閥(26)，所述定位單元還包括沿第二 方向的第二音圈電機(25b)。本發明
華中科技大學
2021-04-14
一種基于選權迭代的星敏感器在軌幾何定標方法及系統
一種基于選權迭代的星敏感器在軌幾何定標方法及系統，利用星敏感器拍攝多張恒星背景，獲取恒 星控制點的方向矢量和量測矢量，構建星敏感器在軌幾何定標模型，利用選權迭代與最小二乘方法解算 定標參數，獲取定標結果。本發明可以有效的抑制由于星敏感器相機參數存在偏差造成的星圖誤識別引 入的錯誤恒星控制點信息，有效的提高星敏感器在軌幾何定標的可靠性與穩定性，提高衛星測量精度。
武漢大學
2021-04-14
一種基于 555 斯密特觸發器的聲控鼓風機電路
本實用新型提供一種基于 555 斯密特觸發器的聲控鼓風機電路，包括依次連接的音頻采集電路、放 大電路和驅動電路。本實用新型對微小的音頻信號進行采集，放大和處理，使得音頻信號經過觸發器之 后成為高電平方波信號，觸發鼓風機電機工作，達到送風的目的。本實用新型電路結構簡單、經濟實用， 可以通過簡易的電路信號處理裝置，將音頻信號轉化成為一種觸發信號。
武漢大學
2021-04-14
輸出電容低ESR開關變換器雙緣PFM調制電壓型控制方法及其裝置
本成果來自國家科技計劃項目，現已結題，并獲得國家發明專利授權（ZL201310022469.0），知識產權屬于西南交通大學。該成果公開了一種輸出電容低ESR開關變換器雙緣PFM調制電壓型控制方法及其裝置，檢測流過輸出電容的電流ic以及輸出電壓Vo，將兩者相加得到信號Vos，電壓控制信號Vc與Vos經過時間運算器生成可變時間，結合預設的恒定時間，再經過控制時序生成器產生由恒定時間和可變時間組成的控制時序，控制開關變換器開關管的導通與關斷。本成果具有輸出電壓低紋波且無低頻振蕩、穩定范圍廣、瞬態響應速度快、穩壓精度高的優點。
西南交通大學
2016-06-27
一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方法
本發明公開了一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方 法，適合鍶、鈰、鈀等元素摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備。 本方法采用陽極氧化法制備納米棒陣列模板，采用溶膠凝膠法在模板 上形成摻雜鈷酸鑭納米棒，并采用晶種的方式將納米棒與電極基板接 觸。該方法可以完好的保留納米棒的形貌，并能在室溫下對一氧化碳 有較好的響應。采用該方法制備的室溫一氧化碳傳感器結構簡單，性 能優異。
華中科技大學
2021-04-14
一種賤金屬內電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其制備方法
本發明公開了一種賤金屬內電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其 制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內電極依次層壓生成，其中所述 內電極材質為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發明 具有以下有益效果：（1）本發明所使用的 ZnO 壓敏電阻材料配方適 用于還原再氧化制備工藝；（2）本發明采用賤金屬 Ni 為內電極，可 以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統的固相燒 結方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法
本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導體區域、分別位于半導體區 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導體區域的隧穿電介 質、圍繞隧穿電介質上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質以及多個電荷存儲層的阻隔電介質層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導體區域包括多個存儲單元的
華中科技大學
2021-04-14