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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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一種高壓直流供電的電氣化鐵路系統(tǒng)
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高壓直流供電的電氣化鐵路系統(tǒng)，它包括：高壓交流母線、牽引變電站、高壓直流接觸網(wǎng)、高壓直流母線、受電弓、鋼軌和電力機(jī)車；牽引變電站一端連接高壓交流母線，另一端連接高壓直流母線，將高壓交流母線上的交流電轉(zhuǎn)化為高壓直流電，并傳輸?shù)礁邏褐绷髂妇€；所述高壓直流母線連接高壓直流接觸網(wǎng)和鋼軌，接觸網(wǎng)、受電弓、電力機(jī)車、鋼軌組成電力回路；本實(shí)用新型不僅解決了目前單相輪換供電產(chǎn)生的負(fù)序電流影響電網(wǎng)電能質(zhì)量的問(wèn)題，接觸網(wǎng)電壓的升高還大幅度提高了電氣化鐵路的性能。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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稀土永磁無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)（系列）
本系統(tǒng)由稀土永磁（REPM）無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)（BLDCM）本體及其驅(qū)動(dòng) 控制器兩大部分組成。無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)本體定子釆用三相Y形集中整距繞 組，適用于方波電流驅(qū)動(dòng)，轉(zhuǎn)子釆用稀土永磁體（釵鐵硼或彩鉆磁鋼）； 轉(zhuǎn)子位置傳感器釆用雙余度開(kāi)關(guān)型霍爾（Hall）位置傳感器；驅(qū)動(dòng)控制器 釆用數(shù)字信號(hào)處理器（DSP） +復(fù)雜可編程邏輯器件（CPLD）實(shí)現(xiàn)全數(shù)字控 制，主功率電路釆用三相橋式逆變器，工作于120°三相六狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)控 制器可實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速、電流雙閉環(huán)調(diào)速和穩(wěn)速
西北工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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一種基于直流無(wú)刷電機(jī)的吊杯式栽植器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于直流無(wú)刷電機(jī)的吊杯式栽植器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，栽植器用于幼苗移栽時(shí)的打孔成穴、栽苗作業(yè)。基于無(wú)刷直流電機(jī)的吊杯栽植器包括控制器模塊、驅(qū)動(dòng)器模塊、蓄電池電源模塊、直流無(wú)刷電機(jī)、反饋模塊、減速器、傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、吊杯移栽機(jī)構(gòu)。傳動(dòng)機(jī)構(gòu)傳遞動(dòng)力，驅(qū)動(dòng)曲柄搖桿機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)，當(dāng)運(yùn)動(dòng)到最高點(diǎn)，吊杯承接投入的缽苗；當(dāng)運(yùn)行到最低點(diǎn)時(shí)，吊杯打土、入穴，缽苗被投入穴孔內(nèi)完成栽苗作業(yè)。驅(qū)動(dòng)控制部分主要由控制器、直流無(wú)刷電機(jī)、驅(qū)動(dòng)器和反
華中科技大學(xué)
2021-04-14
MMC-HVDC 系統(tǒng)直流側(cè)單極接地故障的非對(duì)稱運(yùn)行控制方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種 MMC-HVDC 系統(tǒng)直流側(cè)單極接地故障的非 對(duì)稱運(yùn)行控制方法。對(duì)于基于單極對(duì)稱接線的 MMC-HVDC 系統(tǒng)，發(fā) 生直流側(cè)單極接地故障之后，不需要閉鎖換流器，通過(guò)將故障極橋臂 輸出電壓直流分量設(shè)置為零即可快速消除交、直流側(cè)過(guò)電壓和故障電 流，從而消除對(duì)交、直流系統(tǒng)的絕緣威脅；通過(guò)調(diào)整不同橋臂電壓交 流分量的相角，使系統(tǒng)在隔離直流側(cè)單極接地故障的同時(shí)還能繼續(xù)傳 輸一半的額定有功功率并且為交流系統(tǒng)提供無(wú)功支撐，對(duì)連接的交、 直流系統(tǒng)穩(wěn)定性有積極意義；故障期間換流器不需要退出運(yùn)行，系統(tǒng)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種基于 VCA810 的寬帶直流放大電路系統(tǒng)
本實(shí)用新型涉及電子工業(yè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于 VCA810 的寬帶直流放大電路系統(tǒng)，包括依 次連接的前置放大電路、程控放大電路、濾波電路和后級(jí)功率放大電路，以及與程控放大電路連接的 DAC 轉(zhuǎn)換電路和 FPGA 控制，與 FPGA 控制連接的鍵盤輸入和 LCD 顯示。該寬帶直流放大電路系統(tǒng)的 電壓增益可預(yù)置并顯示，預(yù)置范圍為 0~60dB，步距為 5dB，最大增益輸出噪聲電平小于 0.5V。能夠進(jìn) 行 0~9MHz 頻段內(nèi)的信號(hào)的放大，且放
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種具備直流潮流與短路控制的復(fù)合裝置及其控制方法
一種直流電網(wǎng)用的具備直流潮流控制與直流短路控制的復(fù)合裝置及其控制方法，復(fù)合控制裝置包括：潮流控制裝置，其包括一對(duì)耦合電感、四個(gè)開(kāi)關(guān)管、四個(gè)二極管和兩個(gè)電容；短路控制裝置，其包括兩個(gè)高壓快速機(jī)械開(kāi)關(guān)、三個(gè)避雷器和三個(gè)開(kāi)關(guān)管。所述第一電容作為第一可調(diào)電壓源串聯(lián)在第一條輸電線路中，第二電容作為第二可調(diào)電壓源串聯(lián)在第二條輸電線路中，用于潮流控制；快速機(jī)械開(kāi)關(guān)
東南大學(xué)
2021-04-14
一種用于直流濾波電容器的熔絲參數(shù)獲取方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于直流濾波電容器的熔絲參數(shù)獲取方法， 包括(1)將金屬化膜試品置于自愈試驗(yàn)平臺(tái)中，通過(guò)設(shè)置試驗(yàn)溫度并施 加壓強(qiáng)來(lái)進(jìn)行自愈試驗(yàn)，獲得金屬化膜試品的自愈電壓和自愈電流； (2)根據(jù)金屬化膜試品的自愈電壓和自愈電流獲得自愈電弧電阻，并根 據(jù)自愈電弧電阻獲得電阻模型，根據(jù)電阻模型獲得自愈電弧電阻參數(shù) 最小值，最大值以及時(shí)間參數(shù)；(3)搭建安全膜仿真模型，設(shè)置安全膜 仿真模型中自愈電弧電阻參數(shù)、自愈成功時(shí)的擊穿電壓、自愈失敗時(shí) 的擊穿電壓，并計(jì)算不同熔絲數(shù)量下自愈成功和自愈失敗時(shí)流過(guò)安全 膜
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種帶耦合電抗器的高壓直流斷路器
本發(fā)明公開(kāi)了一種帶耦合電抗器的強(qiáng)制過(guò)零型高壓直流斷路器， 該斷路器包括機(jī)械開(kāi)關(guān)、充電換流模塊、換流電容和吸能限壓模塊。 充電換流模塊由耦合電抗器和與之二次側(cè)串聯(lián)的觸發(fā)開(kāi)關(guān)和預(yù)充電模塊構(gòu)成，預(yù)充電模塊為并聯(lián)的預(yù)充電電容和續(xù)流電路，續(xù)流電路由串 聯(lián)的電阻和二極管組成。電容充電模塊與換流電容一起為故障電流提 供換流緩沖支路。本發(fā)明提供的帶耦合電抗器的強(qiáng)制過(guò)零型高壓直流 斷路器，可以實(shí)現(xiàn)故障電流的雙向開(kāi)斷，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，控制方便；速度 快，可靠性高。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種自動(dòng)充電型強(qiáng)制過(guò)零高壓直流斷路器
本發(fā)明公開(kāi)了一種自動(dòng)充電型強(qiáng)制過(guò)零高壓直流斷路器，該斷 路器包括快速開(kāi)關(guān)單元、吸能單元、耦合電抗器單元、換流電容單元 和主回路隔離開(kāi)關(guān)單元。快速開(kāi)關(guān)單元由快速開(kāi)關(guān)和快速開(kāi)關(guān)供能模 塊構(gòu)成，快速開(kāi)關(guān)用于承擔(dān)電流開(kāi)斷后的系統(tǒng)電壓；吸能單元用于對(duì) 快速開(kāi)關(guān)進(jìn)行限壓保護(hù)；耦合電抗器單元用于耦合故障線路與換流電 容支路；換流電容單元用于和耦合電抗器單元形成振蕩；主回路隔離 開(kāi)關(guān)單元用于在斷路器開(kāi)斷成功后斷開(kāi)，以保護(hù)直流斷路器內(nèi)部元件。 本發(fā)明提供的自動(dòng)充電型強(qiáng)制過(guò)零高壓直流斷路器，預(yù)充電設(shè)備體積 小、換流支路
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種高壓直流 MMC 在基頻調(diào)制下的均壓方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種高壓直流 MMC 在基頻調(diào)制下的均壓方法； 包括步驟 S1 在第 i 個(gè)基波周期的起始時(shí)刻，采集 N 個(gè)子模塊的電容電 壓；并在 N 個(gè)子模塊中選出 x 個(gè)電容電壓較大的第一子模塊以及 y 個(gè) 電容電壓較小的第二子模塊，剩余的子模塊為第三子模塊；步驟 S2 通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制第一子模塊在當(dāng)前基波周期的終止時(shí)刻的電容電 壓小于起始時(shí)刻的電容電壓；通過(guò)第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制第二子模塊在當(dāng) 前基波周期的終止時(shí)刻的電容電壓大于起始時(shí)刻的電容電壓；通過(guò)第 三驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制第三子模塊在當(dāng)前基波周期的終
華中科技大學(xué)
2021-04-14