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本發明基于煤水分離式管道輸煤技術，旨在提供一種煤水分離的固體管道輸煤系統及其輸送方法。本發明包括水箱、主輸送管道、注入管道裝置、流量計、排氣閥、球閥、調節閥和變頻離心泵，所述水箱包括第一水箱、第二水箱和料倉補水箱，所述調節閥包括第一調節閥和第二調節閥，所述球閥包括第一球閥、第二球閥、第三球閥和第四球閥。本發明的有益效果是：通過單獨的注入端，避開離心泵實現固體物料的裝載，無論何種形狀固體，都可通過注入端進入主輸送管道，隨載流體高速輸送。本發明固體物料目前針對圓柱狀固體；固體物料輸送速度明顯大于流體速度，輸送效率提高，輸送時固體物料不與管道內壁發生摩擦，不會因為固體物料增加額外阻損。

本發明公開了一種基于葉酸修飾的混合光子晶體復合材料及應用，包括載體混合光子晶體以及負載在該載體上的葉酸；其中，所述混合光子晶體包括聚乙二醇雙丙烯酸酯反蛋白石骨架及填充于該骨架孔隙中的甲基丙烯酸酯明膠和磁性納米粒子；其應用于髓性白血病耐藥細胞的檢測。本發明的顯著優點為該復合材料不僅具有納米的有序結構、比表面積大，且機械強度高、穩定性強，同時還具有優越的生物兼容性和磁性響應性，易于操控；將其應用于耐藥細胞的檢測，能夠特異、靈敏、簡單、有效地抓捕到髓性白血病耐藥細胞，并保持要細胞株具有良好的生物活性，抓捕后只需施加磁場即可有效地對其進行富集、分離。

本發明提供了一種具有倒裝結構的紫外發光二極管，其該二極管自下而上依次為襯底、AlN成核層、非摻雜AlN或者AlaGa1?aN緩沖層、n型AlbGa1?bN區、AlcGa1?cN?AldGa1?dN多量子阱有源區、BN電子阻擋層、AleGa1?eN?BN布拉格反射鏡結構p型區、重摻p型GaN層、ITO導電層、在ITO導電層上設置有p型歐姆電極，在n型AlbGa1?bN層上設置有n型歐姆電極，且n型歐姆電極與除n型AlbGa1?bN層以外的其他區域絕緣。該二極管有效提高了紫外LED的發光效率，同時大幅降低紫外LED的開啟電壓和電阻率。

本發明提供了一種基于多光子吸收的染料摻雜液晶隨機激光器，包括玻璃基片以及其上順序附著的固化層和混合層，所述固化層為光控染料與表面聚合材料的飽和溶液固化形成的薄膜，所述混合層為液晶與激光染料的混合溶液層。本發明基于多光子吸收效應，泵浦光處于長波段在激光器表層的損耗較少，可穿透表層到達介質內部，使多光子吸收發生在激光器較深處，對隨機激光器的厚度沒有特殊要求，能有效提高泵浦效率。并且，多光子泵浦光源的長波段光子能量較低，可減少對材料的損害，防止發生短波段光子引起的材料變性的問題。

本發明公開了一種Sn摻雜的ZnO超細納米線及其合成方法。該納米線具有六方纖鋅礦結構,納米線的直徑為1～10納米,長度為2～10000納米。其合成步驟如下:將脂肪酸鋅、脂肪酸錫、脂肪胺和高沸點有機溶劑混合置于反應燒瓶中,在惰性保護氣氛下,磁力攪拌加熱至50～200℃,保溫1～1000分鐘,然后在惰性保護氣氛下加熱到200～350℃,保溫1～1000分鐘,離心分離,得Sn摻雜的ZnO超細納米線。本發明制備工藝簡單、成本較低、重復性好、易于工業化生產,有望在透明導電薄膜、柔性顯示器件、薄膜晶體管、傳感器等諸多領域得到應用。

本發明公開了一種用于乙炔吸附和存儲的金屬有機框架物材料及制備方法，所述的金屬有機框架物材料由過渡金屬離子與多齒有機配體5,5’-(吡啶-2,5-二基)-間苯二甲酸通過配位鍵或者分子間作用力構成的三維網絡結構。過渡金屬離子優選二價的銅、鋅、鈷、鎳、鎘離子。所述的金屬有機框架物材料制備工藝簡單，具有較高的比表面積2000~2200m2/g和孔容1.0~1.3cm3/g。該材料所用的多齒有機配體引入了含吡啶的堿性單元，可以有效提高乙炔的吸附和存儲量。該材料在273K和298K溫度條件下具有較高的乙炔吸附量，可以在低壓下使用，可望作為一種新型高效的乙炔吸附和存儲材料。

本發明公開了一種喜樹堿及其衍生物的自乳化藥物前體，其是由藥物分子與親水基團共價結合而成的；其中，所述的藥物分子為喜樹堿分子或喜樹堿衍生物分子，該前體的攜藥量可高達50％以上。本發明還公開了該自乳化藥物前體的應用，其在水中能形成納米尺寸膠束或者囊泡，可以作為藥物載體，用于負載其它抗癌藥物如CPT衍生物、紫杉醇、姜黃素、甲氨蝶呤、伊立替康、丹酚酸、苦參堿、阿霉素等中的一種或多種，形成攜帶多種藥物的納米藥物，實現了藥物的協同治療。

本人從事新型垂直篩板塔的研究多年，發表了關于新型垂直篩板板結構，出口堰尺寸，點效率，板效率的論文八篇，受到國際關注。其二篇論文被美國工程索引及美國化學化工文摘收錄，其中一篇論文被法國一家公司索取。   新型垂直篩板塔（簡稱VST）是日本三井公司于上世紀七十年代初開發的一種氣液并流接觸塔板。它是一種以氣相為連續相，液相為分散相的高效新型塔板，其處理能力達到普通塔板的1.5-2倍，板效率高于一般塔板的10％-20％，操作范圍寬，壓降低。該種塔板在日本已大量應用。    本人經過理論和實驗研究，發現板孔，帽罩及出口堰對塔的處理量及塔板的分離效率影響較大。因此，舊塔可經過改造，提高塔的分離效率，降低生產成本，創造經濟效益。同時，建議新企業建廠時，采用新型垂直篩板塔作為分離塔設備（精餾塔，吸收塔，解析塔），歡迎來面談。

當今凝聚態物理研究中最重要的問題之一是揭示磁性材料中的高溫超導機制。帶有自旋的電子常被認為是局域在磁性離子實周圍的，而形成電流的電子則被視為在晶格中巡游。但事實上這兩者均為同一粒子。因此，這對立的兩面如何共同協助超導形成，是一個非常有趣的問題。這種“非常規”的機制與銅基超導體、鐵基超導體以及重費米子超導體都密切相關。 在具有多個電子軌道的體系，例如鐵基超導材料中，電子自旋和軌道自由度的相互作用使得這個問題更為復雜。李源研究員與合作者之前的研究報道已經揭示了自旋-軌道耦合對材料的磁性性質有非常重要的影響。他們的實驗同時還表明鐵基超導材料中的磁性具有巡游與局域的雙重特性。這并不是一個完全意外的結果，因為已有的一些理論研究也說明鐵基超導體可以被所謂“洪德金屬”的模型描述。不過自旋-軌道耦合以怎樣的方式影響鐵基材料中的超導機理，依然是一個未知的問題。Figure 1. (a-c) Imaginary part of dynamic spin susceptibility measured at different temperatures. (d) Imaginary part of dynamic spin susceptibility integrated over 4-8 meV based on the data in (a) and (b). 現在，李源研究組及合作者采用基于飛行時間原理的中子散射譜學技術，發現在一種鐵基超導材料中，有一類特定的磁激發對超導的形成至關重要，其作用機理與材料中的自旋-軌道耦合效應密切相關。這項工作于2019年1月4日發表在《物理評論快報》上。 這項研究針對的是近年來發現的空穴摻雜的“122”體系鐵基超導材料中新奇四重對稱性磁相。在傳統的二重對稱性磁相中，電子自旋指向在晶體的ab面內，而在這種新發現的磁相中電子的自旋指向沿晶體的c方向。有這種四重對稱性磁相的晶體中超導溫度也被壓制。該項研究旨在探索超導的壓制與四方磁相中探測到的譜學特征的聯系。基于這一目的，研究組瞄準了Sr1-xNaxFe2As2這一種有魯棒性的四方磁相，且較易制備大單晶的鐵基超導材料。Figure 2. (a-b) Constant-Q cuts measured at (0.5, 0.5, 1) and (0.5, 0.5, 3), with background subtracted. (c-d) Intensity difference between 6 K and 20 K at L = 1 and 3. 實驗發現，在材料發生從二重對稱性（圖1a, T = 80 K）轉化為四重對稱性（圖1b, T = 20 K）的相變后，低能的自旋激發發生了顯著的變化。根據中子散射截面與散射幾何的關系，在L = 1處測量到的信號中c方向的磁激發有更大的比重，而在L = 3處則可探測到更多的ab面內的磁激發。圖1d顯示，當溫度從80 K降到20 K后，由于自旋的方向發生偏轉到了c方向，在低能激發中將難以沿c方向時自旋的長短發生改變，因此低能磁激發中c方向的自旋激發被抑制。實驗還發現了重要的一點：超導相（圖1c, T = 6 K）的自旋激發相對非超導相的自旋激發有輕微的改變，這說明材料超導與的磁性質相關聯。進一步的分析（圖2）發現，這種改變主要發生在L = 1的位置，這說明在四重對稱性磁相中，盡管c方向的磁激發被抑制，但它們仍然是與超導關系最密切的磁激發。這項結果揭示了在多軌道序洪德金屬中實現高溫超導的一個“兼容性”要求：局域的磁矩必須能夠為巡游電子提供后者在實現超導配對過程中所需的磁激發。由于在四重對稱性磁相中，該要求恰好不被滿足，所以超導溫度被抑制。 量子材料科學中心博士研究生郭見青和岳莉為該項工作的共同第一作者。相關的中子散射實驗是由日本的MLF, J-Parc用戶實驗項目支持完成的。這項工作由量子材料科學中心李源研究組和張焱研究組合作完成。研究課題得到了中國自然科學基金委和科技部項目的資助。References:[1] C. Wang et al., Phys. Rev. X 3, 041036 (2013).[2] M. Ma et al., Phys. Rev. X 7, 021025 (2017).[3] Z.P. Yin et al., Nat. Mater. 10, 932 (2011).[4] J. Guo, L. Yue et al., Phys. Rev. Lett. 122, 017001 (2019).

在具有多個電子軌道的體系，例如鐵基超導材料中，電子自旋和軌道自由度的相互作用使得這個問題更為復雜。李源研究員與合作者之前的研究報道已經揭示了自旋-軌道耦合對材料的磁性性質有非常重要的影響。他們的實驗同時還表明鐵基超導材料中的磁性具有巡游與局域的雙重特性。這并不是一個完全意外的結果，因為已有的一些理論研究也說明鐵基超導體可以被所謂“洪德金屬”的模型描述。不過自旋-軌道耦合以怎樣的方式影響鐵基材料中的超導機理，依然是一個未知的問題。Figure 1. (a-c) Imaginary part of dynamic spin susceptibility measured at different temperatures. (d) Imaginary part of dynamic spin susceptibility integrated over 4-8 meV based on the data in (a) and (b). 現在，李源研究組及合作者采用基于飛行時間原理的中子散射譜學技術，發現在一種鐵基超導材料中，有一類特定的磁激發對超導的形成至關重要，其作用機理與材料中的自旋-軌道耦合效應密切相關。這項工作于2019年1月4日發表在《物理評論快報》上。 這項研究針對的是近年來發現的空穴摻雜的“122”體系鐵基超導材料中新奇四重對稱性磁相。在傳統的二重對稱性磁相中，電子自旋指向在晶體的ab面內，而在這種新發現的磁相中電子的自旋指向沿晶體的c方向。有這種四重對稱性磁相的晶體中超導溫度也被壓制。該項研究旨在探索超導的壓制與四方磁相中探測到的譜學特征的聯系。基于這一目的，研究組瞄準了Sr1-xNaxFe2As2這一種有魯棒性的四方磁相，且較易制備大單晶的鐵基超導材料。Figure 2. (a-b) Constant-Q cuts measured at (0.5, 0.5, 1) and (0.5, 0.5, 3), with background subtracted. (c-d) Intensity difference between 6 K and 20 K at L = 1 and 3. 實驗發現，在材料發生從二重對稱性（圖1a, T = 80 K）轉化為四重對稱性（圖1b, T = 20 K）的相變后，低能的自旋激發發生了顯著的變化。根據中子散射截面與散射幾何的關系，在L = 1處測量到的信號中c方向的磁激發有更大的比重，而在L = 3處則可探測到更多的ab面內的磁激發。圖1d顯示，當溫度從80 K降到20 K后，由于自旋的方向發生偏轉到了c方向，在低能激發中將難以沿c方向時自旋的長短發生改變，因此低能磁激發中c方向的自旋激發被抑制。實驗還發現了重要的一點：超導相（圖1c, T = 6 K）的自旋激發相對非超導相的自旋激發有輕微的改變，這說明材料超導與的磁性質相關聯。進一步的分析（圖2）發現，這種改變主要發生在L = 1的位置，這說明在四重對稱性磁相中，盡管c方向的磁激發被抑制，但它們仍然是與超導關系最密切的磁激發。這項結果揭示了在多軌道序洪德金屬中實現高溫超導的一個“兼容性”要求：局域的磁矩必須能夠為巡游電子提供后者在實現超導配對過程中所需的磁激發。由于在四重對稱性磁相中，該要求恰好不被滿足，所以超導溫度被抑制。