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本發(fā)明公開(kāi)了一種基于雙層熱電堆結(jié)構(gòu)的風(fēng)速風(fēng)向傳感器及檢測(cè)方法，該傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且易于測(cè)量，具有高靈敏度。所述基于雙層熱電堆結(jié)構(gòu)的風(fēng)速風(fēng)向傳感器，所述風(fēng)速風(fēng)向傳感器包括硅襯底、位于硅襯底上方的二氧化硅層，以及位于二氧化硅層中的加熱電阻、上層熱電堆組和下層熱電堆組；上層熱電堆組和下層熱電堆組上下布設(shè)；加熱電阻分別與第一加熱電阻接觸塊和第二加熱電阻接觸塊連接。

本發(fā)明公開(kāi)了一種寬帶小型化基片集成同軸線壓控諧振器，包括從上往下依次層疊的第一金屬層、第一介質(zhì)層、第二金屬層、第二介質(zhì)層、第三金屬層、第三介質(zhì)層和第四金屬層。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)對(duì)諧振頻率的寬調(diào)諧功能，同時(shí)，與相同結(jié)構(gòu)的微帶、基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)相比，實(shí)現(xiàn)了結(jié)構(gòu)的小型化，這就使得以基片集成同軸線諧振器為基礎(chǔ)的濾波器或者振蕩器實(shí)現(xiàn)寬調(diào)諧和小型化成為可能。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于多傳感器技術(shù)的葡萄水分脅迫診斷方法及系統(tǒng)，方法包括以下步驟：（1）采集建模葡萄樣本的冠層覆蓋率值、冠層溫度特征值和冠層光合有效輻射值；（2）以冠層覆蓋率值、冠層溫度特征值和冠層光合有效輻射值為輸入變量，冠層水分脅迫等級(jí)為輸出變量建立檢測(cè)模型；（3）按照步驟（1）的方法采集待測(cè)葡萄樣本的冠層覆蓋率值、冠層溫度特征值和冠層光合有效輻射值，代入檢測(cè)模型計(jì)算出待測(cè)葡萄樣本的冠層水分脅迫等級(jí)。本發(fā)明通過(guò)引入多光譜成像技術(shù)、熱紅外成像技術(shù)以及多信息的數(shù)據(jù)融合技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)葡萄水分脅迫程度的早期、快速、實(shí)時(shí)檢測(cè)，提高檢測(cè)精度。

本發(fā)明公開(kāi)了一種微氣泡發(fā)生器，包括氣泡噴口、流體芯、外殼和端蓋；所述的外殼或端蓋上開(kāi)設(shè)有進(jìn)水口。流體芯呈中空梭形結(jié)構(gòu)，且在橫截面直徑最大處環(huán)繞開(kāi)設(shè)有排氣孔；流體芯放置于氣泡發(fā)生器外殼內(nèi)；外殼一端由端蓋密封，另一端為與外界相連的氣泡噴口。基于擴(kuò)壓破碎技術(shù)的萬(wàn)噸級(jí)船舶微氣泡發(fā)生裝置，包括進(jìn)水管、過(guò)濾裝置、水泵、連接軟管、微氣泡發(fā)生器、進(jìn)氣管和鼓風(fēng)機(jī)；進(jìn)水管與水泵相連，且進(jìn)水管上設(shè)有過(guò)濾裝置；水泵通過(guò)連接軟管與微氣泡發(fā)生器的進(jìn)水口相連；微氣泡發(fā)生器的進(jìn)氣口通過(guò)進(jìn)氣管與鼓風(fēng)機(jī)相連。本發(fā)明克服了現(xiàn)有氣幕減阻技術(shù)中存在的難以同時(shí)滿足氣泡直徑小和氣量大以及制造成本高、制造困難的問(wèn)題。

本芯片采用動(dòng)態(tài)追蹤算法等專利技術(shù),可以高效能的對(duì)生物電信號(hào)及物聯(lián)網(wǎng)(LoT)中傳感器信號(hào)進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換,適合便攜式傳感器設(shè)備中ADC的需求。同時(shí),芯片集成了對(duì)心電信號(hào)特征參數(shù)提取處理模塊,用最小的設(shè)計(jì)開(kāi)銷達(dá)到便攜式心電信號(hào)監(jiān)護(hù)設(shè)備的基本要求。

本發(fā)明公開(kāi)了一種壓力傳感器，包括襯底、薄膜、永磁體、金屬線圈和導(dǎo)體懸臂梁，永磁體固定連接在襯底的底面，襯底的上部設(shè)有空腔，薄膜生長(zhǎng)在襯底的頂面，且薄膜覆蓋在空腔的上方；金屬線圈固定連接在薄膜的頂面，導(dǎo)體懸臂梁固定連接在襯底的頂面，且導(dǎo)體懸臂梁位于金屬線圈上方。該壓力傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且利用電磁原理實(shí)現(xiàn)壓力測(cè)量，過(guò)程簡(jiǎn)單。同時(shí)，本發(fā)明還提供壓力傳感器的工作方法，易于實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明屬于流化床和多相流領(lǐng)域，特別涉及一種強(qiáng)化載氧體氧化再生的化學(xué)鏈燃燒空氣反應(yīng)器；包括反應(yīng)室、第一提升管、復(fù)合式內(nèi)構(gòu)件和第二提升管；所述反應(yīng)室的側(cè)壁設(shè)置給料口，底部設(shè)置空氣入口；所述反應(yīng)室和第一提升管之間采用第一漸縮管連接；所述第一提升管與第二提升管之間安裝有復(fù)合式內(nèi)構(gòu)件；所述復(fù)合式內(nèi)構(gòu)件包括第二漸縮管、環(huán)形內(nèi)構(gòu)件、導(dǎo)向管、支撐板和傾斜式環(huán)形內(nèi)構(gòu)件；解決了現(xiàn)有技術(shù)中提升管內(nèi)載氧體徑向分布不均、氧化再生效率不高的問(wèn)題，可以有效延長(zhǎng)載氧體的停留時(shí)間，提高大粒徑載氧體的氧化再生效率，從而提高化學(xué)鏈燃燒效率。

本項(xiàng)目屬光、機(jī)、電、材一體化技術(shù)領(lǐng)域，具有多學(xué)科綜合的特點(diǎn)。半導(dǎo)體激光器具有效率高、體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、能將電能直接轉(zhuǎn)換為激光能、功率轉(zhuǎn)換效率高、便于直接調(diào)制、省電等優(yōu)點(diǎn)，因此應(yīng)用領(lǐng)域日益擴(kuò)大。半導(dǎo)體激光技術(shù)已成為一種具有巨大吸引力的新興技術(shù)并在工業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。高功率半導(dǎo)體泵浦激光器是半導(dǎo)體激光技術(shù)中最具發(fā)展?jié)摿Φ念I(lǐng)域之一。 半導(dǎo)體激光器最大的缺點(diǎn)是激光性能受溫度影響大，光束的發(fā)散角較大。封裝成本占半導(dǎo)體激光器組件成本的一半，封裝技術(shù)不僅直接影響泵浦激光器組件的可靠性，而且直接關(guān)系到泵浦激光器芯片的性能能否充分發(fā)揮。本項(xiàng)目對(duì)非致冷高功率980nm泵浦激光器的封裝技術(shù)進(jìn)行了研究，整個(gè)封裝技術(shù)涉及光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)、機(jī)械等，精度達(dá)微米數(shù)量級(jí)。通過(guò)采用激光器芯片的倒裝貼片技術(shù)，小型化、全金屬化無(wú)膠封裝技術(shù)，最終滿足了光纖放大器對(duì)泵浦激光器小體積、高功率、低成本、高可靠性的要求。光耦合則采用透鏡光纖直接耦合，最大限度地減小耦合系統(tǒng)的元件數(shù)和相關(guān)損耗，提高了光路可靠性和易操作性。采用雙光纖光柵波長(zhǎng)鎖定技術(shù)，提高了非致冷高功率980nm泵浦激光器的邊模抑制比和波長(zhǎng)穩(wěn)定性。項(xiàng)目組通過(guò)采用這些技術(shù)，最終解決了一系列非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關(guān)鍵技術(shù)。 經(jīng)國(guó)家光學(xué)儀器質(zhì)量監(jiān)督檢測(cè)中心測(cè)試，非致冷高功率980nm泵浦激光器主要技術(shù)指標(biāo)如下：    1. 管殼尺寸：12.7(mm)×7.4(mm)×5.2 (mm)    2. 工作溫度：0-70℃    3. 中心波長(zhǎng)：980nm    4. 譜 寬：1nm    5. 閾值電流：24mA    6. 輸出功率：240mW    7. 功 耗：小于1W 本項(xiàng)目的研究成果，通過(guò)與相關(guān)企業(yè)開(kāi)展產(chǎn)學(xué)研合作，經(jīng)過(guò)近五年的技術(shù)研發(fā)和不斷改進(jìn)，非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關(guān)鍵技術(shù)研究成果已成功應(yīng)用于相關(guān)產(chǎn)品的批量生產(chǎn)，為企業(yè)創(chuàng)造了較好的經(jīng)濟(jì)效益。在社會(huì)效益方面，填補(bǔ)了我國(guó)非致冷高功率半導(dǎo)體泵浦激光器方面的不足，對(duì)行業(yè)技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級(jí)起到了積極的推動(dòng)作用。 耦合封裝是對(duì)精度要求非常高的一系列工藝過(guò)程，這注定它很難實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化技術(shù)。因此，小型化泵浦激光器封裝技術(shù)的研究成果，特別適合在中國(guó)這樣人力成本低且技術(shù)基礎(chǔ)好的環(huán)境。通過(guò)對(duì)小型化980nm泵浦激光器封裝技術(shù)的研究，實(shí)現(xiàn)了封裝技術(shù)的源頭性創(chuàng)新，有助于向其他半導(dǎo)體泵浦激光器和光電器件的耦合封裝拓展。該技術(shù)在光電子器件的應(yīng)用方面具有廣闊的市場(chǎng)潛力和廣泛的推廣應(yīng)用前景，將成為形成光電子器件封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)的重要技術(shù)支撐。

本發(fā)明公開(kāi)了一種集成加熱部件的微型氣敏傳感器的制作工藝，步驟為：①在基底上勻膠和光刻顯影，形成叉指形狀的光刻膠圖形； ②將基底在保護(hù)氣氛下進(jìn)行熱解，形成玻碳叉指電極；③在玻碳叉指 電極上勻膠并光刻顯影；④再次熱解，得到具有氣體敏感材料和加熱 部件的叉指電極氣敏傳感器。本發(fā)明利用光刻和熱解技術(shù)先制作完成 加熱部件和氣敏部分，不需要另外加上檢測(cè)電路，以及另外旋涂敏感 材料。本工藝的特點(diǎn)是將氣體敏感材料部分和加熱器件集成為一體， 而且制作的工藝就是常規(guī)的光刻、熱解等工藝，相對(duì)于現(xiàn)有的氣敏傳 感器的加熱部件具有尺寸小，耗費(fèi)能量小，制作簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。 

本發(fā)明公開(kāi)了一種測(cè)量滾動(dòng)直線導(dǎo)軌與阻尼器間油膜厚度的裝 置，其包括機(jī)架，還包括多個(gè)支撐滾筒，多個(gè)相互平行的支撐滾筒位于機(jī)架寬度方向的棱邊上并與之平行，用于支撐其上面的滾動(dòng)直線導(dǎo) 軌。還包括多個(gè)測(cè)量單元，其均位于導(dǎo)軌夾具底部，一個(gè)測(cè)量單元包 括位于導(dǎo)軌夾具底部的磁力座和與磁力座相固定的位移傳感器，位移 傳感器從導(dǎo)軌夾具底部測(cè)量滾動(dòng)直線導(dǎo)軌與其上部阻尼器間的油膜厚 度。本發(fā)明裝置可同時(shí)測(cè)量多個(gè)位置的油膜厚度，其成本低、測(cè)量效 率高、操作簡(jiǎn)便。