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通過分子設計在高分子光電探測器中實現活性層的垂直相分離控制，有效降低負偏壓下的暗電流從而提高光探測器的探測度。具體上，課題組基于具有優(yōu)異光伏性能的苯并二噻吩（BDT）為主鏈構建單元，通過在側鏈引入共軛的3,4-乙撐二氧噻吩（EDOT）作為給體單元，與以噻吩并吡咯二酮TPD為受體單元共聚，合成了高分子PBT(EDOT)? 與噻吩側鏈的高分子PBT（TH）相比，PBT(EDOT)器件負偏壓下的暗電流密度降低了2個數量級以上，而其光伏性能沒有顯著下降（圖1）。并且，探測器在±2.0V時具有非常高的整流比，暗電流的比值達到106-107，說明該探測器具有非常優(yōu)異的二極管特性。在-0.2 V時，PBT(EDOT)器件暗電流密度可以達到1.6 × 10-10 A cm-2。暗電流的降低，使PBT(EDOT)光探測器在光譜響應區(qū)內可以獲得1013 Jones以上的探測度。與之相對的是，基于PBT(TH)的探測器，其探測度始終在1.1 × 1012 Jones以下的水平（圖2a）。此外，由于暗電流的減小，PBT(EDOT)器件對于弱光的探測敏感性大大提高，可以探測到光強在1 pW cm-2以下的弱光（圖2b）。該項工作已申請PCT專利，課題組將進一步開發(fā)高分子光探測器在傳感、光通訊等方面的實際應用。

項目簡介 本成果太陽能型獨立灌溉補光螺旋栽培立柱，由太陽能對微型水泵供電或圓筒形 LED 燈管供電，從而實現無電能消耗的螺旋栽培立柱獨立自動灌溉與補光，整體結構簡單可 靠，便于拆裝，屬國際首創(chuàng)項目。該成果處于中試研究階段，并申請了專利，專利號： 201410000816.4。 性能指標 （1）整機尺寸：≤1.6m╳1m╳1m（升降臺折疊）。 （2）承載量：150kg；92 （3）升降高度：1m~3m； （4）行走速度：5kg/h

研究了二維鐵磁材料VI 3

本發(fā)明公開了一種偏振無關空間光調制方法和裝置，該方法利 用偏振分束、偏振旋轉、偏振相關空間光調制器件、偏振合束實現偏 振無關空間光調制。裝置包括偏振分束鏡，反射鏡、半波片和反射式 偏振相關空間光調制器件，其中偏振分束鏡、偏振相關空間光調制器 件和反射鏡構成直角三角形回路或者多邊形回路，半波片位于回路中。 裝置還可以進行多種改進。本發(fā)明可以適用于多種空間光束，如軌道 角動量光束、多路廣播的軌道角動量光束、任意空間相位調

本項目主要開展納微結構體系光子帶隙的設計、納微結構體系的光學非線性效應、光波傳播動力學以及光控光操作應用等方面的研究，發(fā)展在介觀尺度下調控光子傳輸行為的新效應、新原理與新技術。已在Physical Review Letters、Optics Letters、Applied Physics Letters和Optics Express等國內外重要學術刊物上發(fā)表論文30余篇。其中有關鐵鋯雙摻鈮酸鋰晶體的相關成果被《Science Archived》收錄，有關非傳統(tǒng)偏壓配置條件下各種非線性光子學晶格的制備

本實用新型公開了一種分布式光感卡盤安全扳手，包括從上至下依次固定相連的手柄、上扳手體和 下扳手體，所述手柄上設有至少一個光感傳感器，所述下扳手體底部設有方形軸，所述下扳手體內部設 有電源、控制器和蜂鳴器，所述方形軸內底部設有光感傳感器，所述手柄上和方形軸內光感傳感器的信 號均接入控制器，通過控制器接收信號判斷卡盤安全扳手所處狀態(tài)，來控制蜂鳴器是否報警。本實用新 型原理簡單，使用、維護方便，可有效的

光掩膜版(又稱光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中實現設計圖形轉移的載體，是決定其微細結構和線寬精度的核心材料和工具。 目前中國半導體掩膜版的國產化率10%左右，90%需要進口，高端掩膜版國產化率3%，miniLED和microLED產業(yè)升級也需要更多高端掩膜版。隨著中國市場需求的持續(xù)提升，掩膜版產能嚴重不足。并且中國半導體掩膜版的產業(yè)起步較晚，技術滯后，核心技術和裝備基本讓國外公司壟斷，特別是在設備、材料領域眾多技術處于“卡脖子”狀態(tài)，例如掩膜版制造的核心裝備光刻機、檢測機、測量機、修復機和貼膜機等都依賴進口，嚴重制約中國半導體產業(yè)的發(fā)展。華中科技大學徐智謀教授團隊致力于全套高端半導體光掩膜版的關鍵核心技術研發(fā)與量產，為“卡脖子”技術研究而努力。 具有建立180 nm技術節(jié)點半導體掩膜版量產線相關核心技術；具備130 nm至28 nm半導體掩膜版研發(fā)、設計及驗證能力。主要研究成果如下： 1） 工藝突破 團隊掌握了掩膜版MEMS微納加工量產核心技術，如電子束光刻、激光光刻和納米壓印光刻等MEMS微納加工工藝的各類技術參數的搭配和優(yōu)化，以及大數據量軟件快速處理、補償等。 2） 裝備國產化 A. 超高精度二維測量裝備 尺寸測量是驗證掩膜版技術指標的核心，主要包括關鍵尺寸測量(CD)和長尺寸測量(TP)。團隊已掌握掩膜版的關鍵測量技術，達到國內先進水平，具有整套設備的整機制造能力。 TP測量是掩膜版制作的核心指標，直接影響到客戶的套合精度，該測量設備一直由國外極少數廠商壟斷，且價格昂貴，一般在1000萬美元以上，高端限制對中國出口。團隊目前正在攻克該項技術，已取得階段性成果。 B. 缺陷修復裝備 掩膜版修補技術是提升良品率的關鍵手段，該技術一直為國外壟斷。團隊已熟練掌握UV、DUV激光化學沉積技術及皮秒飛秒激光金屬處理技術，具備整機制造能力，可降低設備采購成本70%以上。 C. Pellicle自動貼膜裝備 隨著產品精度的提升和應用領域的高端化，掩膜版貼膜是個不可缺少的重要環(huán)節(jié)。在IC制造領域100%掩膜版需貼Pellicle，在IC封裝領域90%以上需貼膜，在LED領域80%以上需貼膜。該貼膜設備一直國外公司壟斷，國內廠家沒有提供，國外采購全自動貼膜設備需100萬美元左右。團隊具備研發(fā)制造該設備的能力，貼膜精度±0.1mm,且有設備正式在產線運營，制造成本可節(jié)約90%以上。 3） 廠房建設關鍵技術 團隊對MEMS及其掩膜工廠工藝設備廠務設計有豐富經驗，掌握高等級防微震廠房結構和設備平臺的設計施工，可達到VC-D級技術標準，滿足納米級生產技術要求。 【技術優(yōu)勢】 （1）掌握了高性價比掩膜版量產的關鍵核心技術，包括部分裝備的國產化，解決“卡脖子”技術難題，量產線建設成本節(jié)約30%以上； （2）具備28 nm及以下技術節(jié)點掩膜版設計開發(fā)能力和驗證平臺，驗證周期可縮短3倍； （3）擁有一支20多年以上掩膜版量產、研發(fā)和銷售經驗的隊伍，成熟的企業(yè)管理經驗，保證企業(yè)穩(wěn)步成長，確保投資風險可控。 【合作方式】 股權投資合作共建或政府孵化+中試線。

本發(fā)明公開了一種混合集成電控液晶光開關陣列，包括：被混合集成的電控液晶聚光微透鏡陣列和電控液晶散光微透鏡陣列，每單元液晶聚光微透鏡與每單元液晶散光微透鏡的光軸重合；在加電態(tài)下，聚光微透鏡在不同均方幅度的電驅控信號作用下實施光束的可調焦聚光操作，散光微透鏡在不同均方幅度的電驅控信號作用下實施光束的可控發(fā)散程度散光操作；在斷電態(tài)下，液晶聚光微透鏡與散光微透鏡被轉換為僅延遲光波相位的液晶相移板；液晶聚光微透鏡與散光微透