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本實(shí)用新型公開了一種網(wǎng)格方環(huán)加載過孔結(jié)構(gòu)的2.5維超寬帶移動(dòng)通信天線罩。主要由多個(gè)相同周期單元陣列組成的周期性頻率選擇表面，每個(gè)周期單元主要由上下兩層介質(zhì)層、設(shè)置在介質(zhì)層上的金屬貼片和金屬過孔以及兩層介質(zhì)層之間的空氣縫隙層組成；空間內(nèi)的電磁場(chǎng)入射于所述天線罩，依次經(jīng)過上層介質(zhì)層、空氣縫隙層和下層介質(zhì)層的選擇性濾波后，從下層介質(zhì)層輸出所需頻段的電磁場(chǎng)，能在電磁波入射角度變化的情況下抑制雜波的能量。本實(shí)用新型適用于超寬帶移動(dòng)通信天線罩的設(shè)計(jì)，通帶帶寬大，帶內(nèi)插入損耗極小且穩(wěn)定，尤其是入射電磁波在大角度變化時(shí)寬帶性能穩(wěn)定，頻率選擇性能佳。在移動(dòng)通信、雷達(dá)、電磁屏蔽等領(lǐng)域都具有巨大的應(yīng)用價(jià)值。

5G通信技術(shù)、嵌入式軟件開發(fā)、計(jì)算機(jī)技術(shù)等， 本科生、碩士研究生等全職聘用， 博士以上學(xué)歷考慮兼職聘請(qǐng)為技術(shù)顧問等

本發(fā)明公開了一種基于相變磁性材料的非易失性邏輯器件及邏 輯操作方法，非易失性邏輯器件包括磁頭以及依次附著于襯底上的底 電極、絕緣層，相變磁性薄膜和頂電極；其中相變磁性材料由一種相 變材料基質(zhì)中摻雜鐵磁性元素構(gòu)成，材料的磁性能夠通過非晶態(tài)-晶態(tài) 相變來可逆調(diào)控。本發(fā)明基于材料的相變控磁特性實(shí)現(xiàn)“實(shí)質(zhì)蘊(yùn)涵” 邏輯運(yùn)算以及“與”、“或”、“與非”和“或非”四種布爾邏輯運(yùn) 算，其運(yùn)算結(jié)果以材料的剩余磁化存儲(chǔ)在器件中，從而實(shí)現(xiàn)

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介        光纖通信作為一門新興技術(shù)，它具有容量大、中繼距離長(zhǎng)、保密性好、不受電磁干擾和節(jié)省銅材等優(yōu)點(diǎn)。近年來發(fā)展速度快，已被廣泛應(yīng)用到軍事通信、民用通信等各種領(lǐng)域，是世界新技術(shù)革命的重要標(biāo)志和未來信息社會(huì)中各種信息的主要傳送工具。在光纖的使用過程中，光纖線路的耦合對(duì)于其中光功率的傳輸至關(guān)重要。其中存在著兩種主要的系統(tǒng)問題：1、如何從多種類型的發(fā)光光源將光功率耦合進(jìn)一根特定的光纖；2、如何將光功率從一個(gè)光纖發(fā)射出來后經(jīng)過特定的裝置耦合進(jìn)另外一根光纖。光無源器件是光纖通信設(shè)備的重要組成部分。它是一種光學(xué)元器件，也是其它光纖應(yīng)用領(lǐng)域不可缺少的元器件。該實(shí)驗(yàn)儀重點(diǎn)介紹了常用的光無源器件的相關(guān)參數(shù)及測(cè)試方法。為此公司研制出本實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，讓學(xué)生了解和認(rèn)識(shí)光纖耦合的相關(guān)參數(shù)和特性、光無源器件的相關(guān)參數(shù)及測(cè)試方法等，通過實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的搭建，可以讓學(xué)生更深刻的了解，也能鍛煉學(xué)生校準(zhǔn)光路等方面的動(dòng)手能力，是學(xué)校金工實(shí)習(xí)（工程實(shí)習(xí)）與工程檢測(cè)的不二之選。 二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 650nm激光器與光纖耦合實(shí)驗(yàn) 1550nm光纖激光器與光纖耦合實(shí)驗(yàn) 相同模式光纖之間耦合實(shí)驗(yàn) 不同模式光纖之間耦合實(shí)驗(yàn) 光源與顯微物鏡及準(zhǔn)直器耦合特性對(duì)比實(shí)驗(yàn) 光纖轉(zhuǎn)換器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖變換器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖耦合器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖隔離器特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 波分復(fù)用器和解復(fù)用器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 可調(diào)光纖衰減器測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖機(jī)械光開關(guān)特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖偏振控制器特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 光纖偏振分束器（PBS）性能能參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn) 不同種類光纖、光纜及光器件認(rèn)知和操作實(shí)驗(yàn) 熔接機(jī)原理及使用實(shí)訓(xùn)操作實(shí)驗(yàn) 剝纖、清潔、切纖及光纖接續(xù)實(shí)訓(xùn)操作實(shí)驗(yàn) 手動(dòng)模式下，光纖熔接實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn) 自定義模式下，光纖熔接實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn) 光纖端面處理基本操作實(shí)驗(yàn) 光纖耦合技術(shù)基本操作實(shí)驗(yàn) 光纖耦合技術(shù)基本操作實(shí)驗(yàn) 光功率耗損法對(duì)光纖熔接質(zhì)量測(cè)試 三、實(shí)驗(yàn)配置參數(shù) 1、光源：波長(zhǎng)1310±20nm，1550±20nm；輸出功率：1-2.5mw，連續(xù)可調(diào)；輸出端口：FC/PC；穩(wěn)定性＜0.5db（5h）；光源類型：LD光源； 2、光功率計(jì)：波長(zhǎng)范圍800-1700nm；輸入接口：FC 校準(zhǔn)波長(zhǎng)：1550nm,1310nm； 3、偏振控制器：插入損耗＜0.05dB；消光比＞40dB；回波損耗＞65dB； 4、光纖機(jī)械光開關(guān)：插入損耗：1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ，P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波損耗＞50dB ；開關(guān)速度：≦8ms ； 5、高隔離度光纖隔離器：最大插入損耗：0.35dB ；回波損耗：≧50dB ；隔離度：≧30dB ； 6、光纖耦合器：分光比：50% : 50% ；最大插入損耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纖波分復(fù)用器：隔離度：1310nm ：31.8% ；1550nm ：34%；插入損耗：1310nm ：0.30%；1550nm ：0.34% ； 8、光纖可調(diào)衰減器：0-30db可調(diào)； 9、軟件：配套儀器使用，數(shù)據(jù)采集處理； 10、光纖熔接機(jī)：適用光纖：SM (單模), MM (多模), DS (色散位移)光纖, NZDS (非零色散位移，即G.655光纖)，BIF/UBIF（G.657）； 光纖切割長(zhǎng)度：8-16mm, 被覆光纖直徑250µm，16mm，被覆光纖直徑250µm-1000µm；平均接續(xù)損耗：0.02dB(SM)、0.01dB(MM)、0.04dB(DS)、0.04dB(NZDS)；顯示：高性能5.6英寸彩色LCD顯示屏，提供清晰的數(shù)字圖像顯示；電極壽命：2500次；鋰電池容量：典型熔接250次，充電時(shí)間3小時(shí)，可在充電時(shí)使用；電源：交流適配器輸入電壓100-240V  50／60Hz，輸出電壓：DC13.5V /5A，直流輸入電壓11.1v ( 內(nèi)置鋰電池8800mAh )； 四、實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 1、了解光纖連接器及其原理、種類，實(shí)驗(yàn)操作進(jìn)行連接器參數(shù)測(cè)量； 2、掌握光纖頭平端面的處理技術(shù)。 3、掌握光纖之間的耦合、調(diào)試技術(shù)，了解光纖橫向和縱向偏差對(duì)光纖耦合損耗的影響。 4、掌握光纖熔接的基本技術(shù)。 5、熟悉光纖型號(hào)及結(jié)構(gòu)，掌握其裝配方法、使用環(huán)境及保護(hù)措施等；

本發(fā)明公開了一種可見光通信中信道沖激響應(yīng)抽頭個(gè)數(shù)的估計(jì)方法，屬于可見光通信技術(shù)領(lǐng)域。該估計(jì)方法基于馬氏距離來進(jìn)行判別的，該距離計(jì)算的是協(xié)方差距離，考慮了數(shù)據(jù)之間的相關(guān)性。將沖激響應(yīng)循環(huán)前綴之后的所有點(diǎn)作為噪聲類，而循環(huán)前綴中選取前面一部分點(diǎn)作為沖激響應(yīng)類，剩余點(diǎn)為待判斷點(diǎn)，根據(jù)馬氏距離來判斷待判斷點(diǎn)屬于哪一類。通過上述方法估計(jì)信道沖激響應(yīng)抽頭個(gè)數(shù)，均方誤差性能相比傳統(tǒng)的以CP作為沖激響應(yīng)的方法有所提高。在低信噪比下，性能相比精確知道沖激響應(yīng)抽頭時(shí)也有所提升，在高信噪比下相當(dāng)。

本發(fā)明公開了一種適用于5G毫米波通信的高增益漸變縫隙陣列天線，包括上層金屬、板材、下層金屬，所述上層金屬和下層金屬疊合在一起形成金屬層，所述金屬層刻蝕在板材上，所述金屬層由微帶轉(zhuǎn)SIW結(jié)構(gòu)、一分八T型SIW功分器、二階感性窗和TSA天線單元組成。本發(fā)明結(jié)構(gòu)緊湊、方便設(shè)計(jì)和安裝，T型SIW功分器輸出端口金屬過孔的引入，引入了感性加載，調(diào)整功分器輸出相位，使得天線在寬頻范圍內(nèi)增益較高，從而提高了天線的增益帶寬，本發(fā)明提出的高增益漸變縫隙陣列天線適用于5G毫米波通信40.5～43.5GHz頻段。

本發(fā)明公開了一種D2D通信中頻譜效率最大化的功率分配方法，通過分布式優(yōu)化蜂窩用戶的發(fā)射功率、D2D用戶對(duì)的發(fā)射功率，在保證宏用戶最低服務(wù)質(zhì)量要求和D2D用戶與蜂窩用戶的功率限制的情況下最大化D2D用戶的頻譜效率。在給定蜂窩頻帶資源的情況下，最大化D2D通信的頻譜效率等價(jià)于最大化D2D通信的和速率。本方法給出了在任何D2D用戶都可以使用所有信道，并且任意信道可以同時(shí)被所有D2D用戶占用的情況下，最優(yōu)的蜂窩用戶發(fā)射功率和D2D鏈路發(fā)射功率。主要用凸近似的方法將非凸問題近似為可求解的凸優(yōu)化問題，并利用給出的閉式解快速收斂到凸問題的優(yōu)化解。本發(fā)明具有收斂速度快，計(jì)算量小，易于實(shí)現(xiàn)，結(jié)果精度高等優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于智能配電網(wǎng)的 EPON 通信系統(tǒng)的動(dòng)態(tài) 帶寬分配方法，包括步驟(1)基于不同需求將智能配電網(wǎng)各業(yè)務(wù)分為 EF 業(yè)務(wù)、AF 業(yè)務(wù)和 BE 業(yè)務(wù)；步驟(2)通過層次分析法計(jì)算 AF 業(yè)務(wù)和 BE 業(yè)務(wù)的權(quán)值，并計(jì)算一個(gè)輪詢周期內(nèi) EF 業(yè)務(wù)和加權(quán)業(yè)務(wù)的緩存量和緩 存速率；步驟(3)根據(jù)電網(wǎng)故障情況，對(duì)各 ONU 業(yè)務(wù)緩存速率和業(yè)務(wù) 緩存量進(jìn)行修正，計(jì)算一個(gè)輪詢周期內(nèi)各 EF 業(yè)務(wù)和加權(quán)業(yè)務(wù)的帶寬需 求量；步驟(4)根據(jù) EPON 帶寬值對(duì) EF 業(yè)務(wù)進(jìn)行分配，然后對(duì)加權(quán)業(yè) 務(wù)進(jìn)行分

一種基于聚類強(qiáng)化學(xué)習(xí)的城市道路交叉口交通信號(hào)優(yōu)化方法，該方法涉及智能優(yōu)化技術(shù)領(lǐng)域，可以提高單位時(shí)間內(nèi)通過道路交叉口的車輛數(shù)。道路交叉口是道路網(wǎng)的重要組成部分，也是路段交通流的瓶頸。研究顯示，城市平面交叉口的通行能力只相當(dāng)于路段上的40%-50%。平面交叉口所消耗的時(shí)間約占全程時(shí)間的31%，而車輛行駛延誤時(shí)間中有80%-90%由平面交叉口延誤造成。提高城市平面道路交叉口的通行能力，可以減少車輛延誤，節(jié)約人們的出行時(shí)間，增強(qiáng)人們的出行安全，并能夠減輕環(huán)境污染。  本發(fā)明能夠根據(jù)交叉口的 交通狀態(tài)自動(dòng)選擇合適的相位動(dòng)作，以適應(yīng)交叉口交通狀況的變化，能夠提高單位時(shí)間內(nèi)通  過交叉口的車輛數(shù)，減少車輛延誤。與其他聚類強(qiáng)化學(xué)習(xí)方法的不同之處在于，本發(fā)明在學(xué) 習(xí)過程中，能夠根據(jù)回報(bào)值的標(biāo)準(zhǔn)差動(dòng)態(tài)地增加或減少質(zhì)心數(shù)，能在保證強(qiáng)化學(xué)習(xí)收斂的前  提下盡可能地減少質(zhì)心數(shù)，從而盡可能減少Q(mào)值函數(shù)存儲(chǔ)空間、提高收斂速度，使交通信號(hào)控制策略更快地適應(yīng)當(dāng)前交通流情況，從而盡可能減少交通延誤。

本發(fā)明公開了一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制 備方法，包括由多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串構(gòu)成的存儲(chǔ)串陣列； 每個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串包括半導(dǎo)體區(qū)域以及圍繞半導(dǎo)體區(qū)域的四層包 裹結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體區(qū)域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯(lián)連接；溝道為方柱形結(jié)構(gòu)；四層包裹結(jié)構(gòu)從里到外依 次為隧穿電介質(zhì)層、電荷存儲(chǔ)層、阻隔電介質(zhì)層以及控制柵電極；阻 隔電介質(zhì)層在不同的方向具有不同的厚度，