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本發明公開了一種基于平均場博弈的移動通信基站能效優化方法，屬于無線通信技術領域。本發明方法用基站發送功率的產出投入關系來定義系統的能量效率，結合平均場博弈的能量效率優化算法，通過數學推導得出了每個基站的最優控制策略應滿足的方程組，求解得到最優化基站發送功率，從而提高基站的能量效率，本發明方法有效針對提出的功率控制策略的大規模網絡，采用本發明方法能效保持穩定，且能量效率大于采用固定發射功率策略。

青島科恩銳通信息技術股份有限公司，是由“青島市杰出青年”、“山東省五四青年獎章”獲得者萬濱創辦，主要從事無線通信、GPS衛星定位、紅外熱像、圖像識別等產品及系統的設計、開發、集成和銷售的高新技術企業和整體方案提供商。 青島科恩銳通信息技術股份有限公司秉承“科學管理、技術創新、開拓進取、優質服務”的經營理念，嚴格遵照GB/T19001-2008 ISO9001_58_2005IDT國際質量認證標準，以高新技術研發為核心，以規范、標準、專業、完善的系統服務體系為依托，不斷為客戶提供擁有自主知識產權的系統解決方案。公司是青島市的高新技術企業，擁有自己獨立研發的多項軟件著作權、專利、發明等知識產權。 青島科恩銳通信息技術股份有限公司是美國MOTOROLA公司的戰略合作伙伴。并自主設計開發有TRBOSTAR系列便攜式數字無線應急通信系統（專利）、數字無線通信調度系統、350兆警用無線通信系統、同頻同播無線通信系統以及分布式數字短波集群通信系統。公司與全球大的紅外熱像儀和無線通訊系統廠商長期保持密切技術合作，通過自主創新、自主設計，研發了多種紅外熱像識別產品，這些系統是多領域、多學科、多專業的高度集成，是引進消化吸收再創新的集中體現，是長期技術積累的結果。 公司為適應業務高速發展需要，高薪誠聘有識之士，共謀發展！公司提供優厚的福利待遇、免費的培訓學習機會、廣闊的提升的發展平臺。

一種利用軌道角動量提高無線通信容量的方法，屬于無線通信方法，利用軌道角動量作為數據信息載體，解決現有無線通信所存在的頻譜資源緊張，通信容量提升有限的問題。本發明包括構建發射天線步驟、設立接收天線步驟、獲取信道矩陣步驟、發送數據步驟和接收數據步驟。本發明利用軌道角動量中拓撲荷相互正交的物理特性進行通信，充分利用多輸入多輸出技術的潛力，復用軌道角動量，無需增加新的頻段即可有效提升容量；只要接收端天線的方位角滿足一定等式關系，不改變通信系統的核心部件，可以得到最大的容量提升，所需的代價較小，且對其他通信系統無影響，可應用于現有的各種無線通信系統。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發明涉及一種半導體發光與顯示器件的制備方法，具體地說，是涉及一種基于紫外光激發的白光發射器件及其制備方法，屬光電集成技術領域。該制備方法包括如下步驟：清洗硅片、在清洗后的硅片上制備多孔硅、在多孔硅上沉積氮化鋁薄膜、用紫外光照射氮化鋁薄膜，得到在可見光區發光的白光發射器件。 技術推廣意向：半導體發光與顯示領域技術創新：本發明具有如下的有益效果：器件結構簡單，無污染，制備成本低；不需要熒光粉，發光效率高；發光性能穩定，光譜波長范圍寬。

本發明公開了一種用于高可靠性WLCSP器件焊接的無鉛釬料，屬于金屬材料類及冶金領域釬焊材料。該種無鉛釬料中的納米Al顆粒的含量為0.01~1%，納米CeO2的含量為0.01~1%，Ag的含量為0.5~4.5%，Cu的含量為0.2~1.5%，余量為Sn。使用市售的Sn錠、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按設計所需成分配比，預先熔化，然后加入納米顆粒，采用高能超聲攪拌的制造工藝冶煉無鉛釬料，為防止元素的燒損在惰性氣體保護氣氛中冶煉、澆鑄成棒材，然后通過擠壓、拉拔即得到所需要的釬料絲材，也可將新釬料制備成焊膏使用。本無鉛釬料對應無鉛焊點的抗疲勞特性和抗跌落特性得到顯著提高。 

本發明公開了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其 制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖 維層、保護層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層 為 PVDF 纖維。通過采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極， 并選擇合適的靜電紡絲參數沉積 PVDF 壓電纖維，無需再對壓電纖維 進行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡化納米壓電纖維 能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉換效率，尤其是對彎曲運動機械 能的捕獲效果。 

本發明公開了一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件，包括單片集成的六軸微慣性器件、玻璃襯底、金屬電極、金屬引線、SOI蓋帽和SOI密封墻；六軸微慣性器件通過陽極鍵合工藝鍵合在玻璃襯底上；金屬電極為一個以上，均勻設置在玻璃襯底一側，金屬電極通過金屬引線與六軸微慣性器件相接，SOI蓋帽設在玻璃襯底正上方，SOI密封腔設在SOI蓋帽和SOI密封墻之間，形成空腔結構；每個金屬電極正上方的SOI蓋帽上設有梯形電極孔，梯形電極孔正下方的SOI密封墻上設有垂直貫通；梯形電極孔、垂直貫通與金屬電極一一對應。本發明具有全解耦、質量小、結構精巧、成本低和便于批量生產等優點，在單個器件內同時實現了對三軸的加速度和角速度的檢測，應用范圍廣，有著良好的市場前景。

本發明屬于電子元器件的封裝設備技術領域，并公開了一種用 于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置，包括水平工作臺、熱壓 機構、驅動機構和調距機構等，其中熱壓機構被設計為雙路結構，并 用于實現料帶的封合，保證壓力的一致性，進而完成料帶的良好熱封； 驅動機構用于驅動熱壓機構實現垂直方向的上下運動；調距機構用于 調節工作臺兩側的間距以及兩側壓頭的間距，進而實現適應不同寬度 的料帶的熱封。通過本發明，能實現單側壓頭的溫度均勻分布，兩側 壓頭溫度和壓力的一致性以及不同寬度的料帶的良好熱封，同時具備 結構緊湊，便

本發明公開了一種基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測器件及其驅動方法，采用薄膜晶體管基板，并采用化學溶液法制備ＰｂＳ或者Ｇｅ半導體量子點，作為光電轉換材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低溫旋涂、噴墨打印或者轉印等方法，沉積可傳感紅外信號的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子點層；在量子點光電轉換層上利用濺射方法制備對紅外吸收較少的公共導電層；薄膜晶體管背板的像素源電極、量子點光電轉換層，以及透明電極構成紅外光敏電阻結構，該光敏電阻吸收紅外信號后，產生光生載流子，從而改變電阻的阻值。本發明提出的紅外探測器件成像面積大，