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激光雷達(dá)等傳感器以及高效率砷化鎵太陽能電池是國務(wù)院國家制造強國建設(shè)戰(zhàn)略咨詢委員會列出的核心基礎(chǔ)元器件，本項目在國務(wù)院國資委以及國家級人才計劃科研項目支持下，聯(lián)合國內(nèi)知名企業(yè)進(jìn)行關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，研制出基于砷化鎵的超快半導(dǎo)體激光芯片與激光器可適用于激光加工、5G通信、生物醫(yī)療等領(lǐng)域，同時研制出的高效率砷化鎵薄膜三結(jié)電池曾獲得世界最高效率，相關(guān)產(chǎn)品已處于中試和量產(chǎn)階段，本項目相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品曾獲得過2018年度上海市科技進(jìn)步二等獎，2020年中國發(fā)明協(xié)會發(fā)明創(chuàng)新二等獎，2020年中國光學(xué)學(xué)會光學(xué)科技獎一等獎等獎勵。本次將展示本項目研制的相關(guān)砷化鎵基半導(dǎo)體激光器以及高效率柔性輕質(zhì)砷化鎵薄膜三結(jié)太陽能電池。

近期，信息材料與智能感知安徽省實驗室謝峰老師課題組在寬禁帶半導(dǎo)體日盲紫外探測器和白光激光器研究方面取得新進(jìn)展，相關(guān)研究成果相繼發(fā)表在國際知名期刊Opt.Express和IEEETrans.ElectronDevices上，三篇論文均以安徽大學(xué)信息材料與智能感知安徽省實驗室為第一單位，謝峰老師為論文第一作者。

本文介紹了近年來拉曼分布式光纖傳感技術(shù)的研究進(jìn)展和典型應(yīng)用，目標(biāo)是讓該領(lǐng)域和相關(guān)領(lǐng)域的讀者能充分了解這一重要技術(shù)，并提供了一個可行的研究進(jìn)程路線圖。

生物科學(xué)與醫(yī)學(xué)工程學(xué)院激光共聚焦顯微鏡招標(biāo)項目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在南京市建鄴區(qū)西城路300號君泰國際大廈C座3樓新華招標(biāo)有限公司獲取招標(biāo)文件，并于2022年07月04日14點00分（北京時間）前遞交投標(biāo)文件。

羅正錢教授團(tuán)隊采用少模Pr/Yb共摻雙包層ZBLAN光纖作為可見光增益介質(zhì)，構(gòu)建基于非線性偏轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)（NPR）技術(shù)的鎖模激光腔，利用腔內(nèi)空間濾波效應(yīng)和NPR可飽和吸收效應(yīng)補償階躍折射率光纖中超大的模間色散，從而平衡了各橫模之間的走離效應(yīng)，首次實現(xiàn)了可見光波段的時空鎖模光纖激光。

李朝暉教授、張斌副教授團(tuán)隊自主開發(fā)了GeSbS硫系玻璃的片上集成光子平臺，該平臺具有低損耗、高光學(xué)非線性和高拉曼增益、可實現(xiàn)靈活的色散調(diào)控、硅基片上集成等特點，非常適合于實現(xiàn)可調(diào)諧的片上拉曼激光器。

工業(yè)級SLA打印機二極管泵浦固體激光Nd:YVO4波長的控制研發(fā)控制程序的編程研發(fā)

在大面積柔性襯底上直接生長集成高品質(zhì)晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實現(xiàn)僅在液滴/納米線生長界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長速度可以高達(dá)3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線生長速度提高了3個數(shù)量級。值得一提的是，即便在此高速生長過程中，IPSLS納米線的生長路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調(diào)控激光照射時序，可以對納米線生長動態(tài)過程進(jìn)行前所未有的精確調(diào)控（例如，對生長液滴實現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實現(xiàn)對超長納米線的精準(zhǔn)形貌/直徑編碼。基于此技術(shù)，成功在柔性PI襯底上生長高品質(zhì)納米線溝道，并制備了納米線場效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長策略有望推廣應(yīng)用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長和集成高品質(zhì)晶硅納米線陣列，為推動各種高性能柔性電子器件的規(guī)模化應(yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線。