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項目成果/簡介:近日，天津大學趙廣久教授團隊在鈣鈦礦材料的激發(fā)態(tài)化學機制研究方面取得突破性進展。相關研究成果發(fā)表在《Chemical Engineering Journal》（IF: 10.65）上。該團隊首次合成了一種新型非鉛雙鈣鈦礦材料，并調控晶格畸變，調控了激發(fā)態(tài)載流子動力學，從而顯著促進了光致發(fā)光量子產率的提升，對進一步的材料開發(fā)和應用有很強的指導意義。 研究背景 在過去的十年中，關于鈣鈦礦材料的開發(fā)和應用一直在光伏電池和發(fā)光領域得到了極大的發(fā)展。鈣鈦礦納米晶體的與其塊狀材料相比，具有許多優(yōu)勢，例如鈣鈦礦納米晶具有高的光致發(fā)光量子產率，顏色可調，同時易于大規(guī)模制備柔性器件。因此，鹵化鈣鈦礦納米晶體已成為研究人員的重要研究對象。 不幸的是，鉛的毒性限制了鹵化鉛的進一步應用鈣鈦礦納米晶體。最近報道了一些無鉛鈣鈦礦納米晶體的合成，但是其很難構造3D的鈣鈦礦結構，導致性能不佳。鉛基鈣鈦礦的出色光學性能NC由獨特的3D鈣鈦礦結構和ns2電子軌道，使其具有優(yōu)異的電荷載流子行為。同時，幾種雙鈣鈦礦納米晶體 3D結構取得了一些進展。但是有兩個問題仍然存在。一種是開發(fā)更新穎的雙納米晶體來配合設備的應用；另一種是使用高精度光譜探索更深層次的激發(fā)態(tài)動力學。因此，更有效的合成技術改造和更深刻的載流子動力學研究是目前最有效的方法，這可提高無鉛鈣鈦礦納米晶體的應用前景。 研究基礎 在前期的研究中，團隊在鈣鈦礦光電材料設計與機理研究方面取得了一系列的原創(chuàng)性成果。前期我們團隊通過離子摻雜誘導相轉變，從非活性相轉變?yōu)榛钚韵啵沟冒l(fā)光效率得到大幅度提高 (Angew. Chemie. Int. Ed. 2019, 58, 11642.) ; 在認識到晶型對發(fā)光調控的重要影響后，我們進一步地通過離子摻雜控制晶格變形程度進而調控發(fā)光峰的寬度，可以在實現(xiàn)高發(fā)光效率的同時隨意控制發(fā)光峰寬度的窄化和拓寬(Chem. Eng. J. 2020, 125367; J. Lumin. 2020, 117045; 2D Mater. 2020, 7, 031008.)；最后我們?yōu)榱碎_發(fā)多手段實現(xiàn)構象調控，我們通過引入不同的左右旋手性基團，從而實現(xiàn)手性的傳遞和放大(J. Mater. Chem. C. 2020, 8, 5673. Phys. Chem. Chem. Phys. 2020, 22, 17299.)。 研究進展 在這項工作中，趙廣久團隊創(chuàng)新地開發(fā)了高效光致發(fā)光鈉鉍雙鈣鈦礦Cs2NaBiX6（X = Cl，Br）納米晶體。該團隊通過離子摻雜控制晶格畸變，促進自陷態(tài)激子的捕獲，實現(xiàn)了超快的熱載流子弛豫；同時，DFT理論計算分析表明離子摻雜后的晶體的能帶結構從間接帶隙轉變?yōu)橹苯訋叮龠M了電子空穴的輻射復合；此外離子摻雜也降低了晶體的體相缺陷，減少了缺陷產生的非輻射復合。以上三者的貢獻綜合作用從而大幅度促進了光致發(fā)光產率的提升，結果離子摻雜后的雙鈣鈦礦Cs2NaBiCl6 NCs可顯示約16％的明亮寬帶光致發(fā)光PLQY，高于迄今為止報告的單組分鈣鈦礦發(fā)光材料（2-10％）。我們的研究為未來的新材料的開發(fā)和應用提供了指導。

本發(fā)明公開了一種非晶合金微細零件的制備方法，包括：將非晶合金所需的各種純金屬按比例配制成非晶合金原材料，并置于所述真空電弧吸鑄爐的真空熔腔內；準備用于制備非晶合金微細零件的硅模具，將該硅模具置于內部型腔為通孔的銅模具中，并將所述銅模具置于真空電弧吸鑄爐的下型腔中；將真空熔腔抽真空并充入保護氣，對非晶合金原材料進行熔煉，并通過降低銅模具內的氣壓使熔煉后的非晶合金熔液通過所述通孔由真空熔腔吸入硅模具內；脫模即可得到非晶合金微細零件。本發(fā)明還公開一種非晶合金微細零件的制備裝置。本發(fā)明采用真空吸鑄，克服了非

懸賞金額：10萬元 發(fā)榜企業(yè)：德旭新材料（廣州）股份有限公司 產業(yè)集群：先進材料產業(yè)集群 需求領域：特種功能材料;精細化工;電子材料;半導體材料;表面改性材料 技術關鍵詞：抗磨;超滑;切割;拋光

該成果采用鈦酸鉀晶須、碳纖維改性聚醚醚酮等聚合物，獲得高強、高耐磨聚合物復合材料（耐磨墊片），或以其為內襯、金屬為外層，通過特殊結構設計和預處理在高溫高壓使兩者結合，得到所需金屬/聚合物復合材料制品（復合軸承）。相關產品實現(xiàn)高強、高耐磨、防抱死、免維護功能，與國外產品相比，具有部分功能（耐磨性、耐熱性等）與成本優(yōu)勢。 該成果在科技部國家國際合作專項、湖南省國際合作重點項目的支持下取得一系列創(chuàng)新性成果，包括2個發(fā)明專利，并于2013年獲得湖南省科技進步二等獎（主持）。通過與長沙精達高分

一種通過用膠帶預處理基底來氣相沉積生長單層MoS 2 枝晶的方法，有意在初始成核階段和/或生長過程中引入孿晶缺陷，實現(xiàn)單層MoS 2 樹枝晶的形貌調控。所得的MoS 2 晶體具有六次對稱的骨架，分枝數(shù)可調。其形狀的演化過程是由膠黏劑種子誘導的雙晶缺陷形核和局部硫/鉬源蒸氣比的協(xié)同效應所引起的。此外，由于硫空位的富集，極大地增強了循環(huán)孿晶區(qū)的光致發(fā)光效率。該工作為合成可控形狀的單層MoS 2 提供了一種簡便有效的策略，同時也為理解孿晶缺陷的生長機制以及在其電催化和光電催化等領域的應用做出了貢獻。

三維（3D）親鋰集流體可以調節(jié)鋰金屬負極中鋰枝晶生長，然而目前大部分集流體的親鋰層在高溫環(huán)境下使用熔融法預儲存鋰時面臨著熔化或脫落的挑戰(zhàn)。針對該問題，鄧永紅研究團隊通過簡單的去合金法制備了一種帶有親鋰鋅位點的3D多孔CuZn合金集流體。由于親鋰鋅位點以量子點的形式存在于CuZn合金中，熔融法預鋰化時親鋰鋅位點不僅不會融化與脫落，反而由于鋅對鋰具有強

北京大學物理學院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室劉開輝教授課題組與合作者提出模塊化局域元素供應生長技術，成功實現(xiàn)了半導體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴展至與當代主流半導體工藝兼容的12英寸，有望推動二維半導體材料由實驗研究向產業(yè)應用過渡，為新一代高性能半導體技術發(fā)展奠定了材料基礎。2023年7月4日，相關研究以“模塊化局域元素供應技術批量制備12英寸過渡金屬硫族化合物晶圓”（Modularized Batch Production of 12-inch Transition Metal Dichalcogenides by Local Element Supply）為題，在線發(fā)表于《科學通報》（Science Bulletin）。